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大陸打造半導(dǎo)體供應(yīng)鏈

  • 　　去年中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口DRAM總金額達(dá)到102億美元，吃下全球五分之一產(chǎn)能。為了減少入超，官方主導(dǎo)的“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(國(guó)家大基金)”在全球大肆收購(gòu)企業(yè)，透過(guò)進(jìn)口替代，打造完整的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。 　　研究機(jī)構(gòu)集邦科技統(tǒng)計(jì)，2014年中國(guó)市場(chǎng)的DRAM消化量金額為102億美元，占全球營(yíng)業(yè)額約20%。其中，行動(dòng)式記憶體(Mobile DRAM)在中國(guó)大陸的營(yíng)業(yè)額就達(dá)到56億美元。顯示大陸在近幾年智慧型手機(jī)及行動(dòng)上網(wǎng)普及后，市場(chǎng)強(qiáng)勁的消費(fèi)潛力。 　　集邦科技指出，中國(guó)市場(chǎng)半導(dǎo)體包
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美光不賣(mài)也沒(méi)用？

  • 電腦和智能機(jī)疲弱，需求萎靡，下半年DRAM或許將陷入供給過(guò)剩，價(jià)格再受重壓，美光現(xiàn)在不賣(mài)也不行。
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從紫光并購(gòu)美光看我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的決心

  • 　　中國(guó)大陸紫光集團(tuán)有意以每股21美元、總價(jià)230億美元(超過(guò)7千億新臺(tái)幣)購(gòu)并美國(guó)美光科技，消息傳出撼動(dòng)全球科技界，DRAM龍頭韓國(guó)的三星和SK海力士當(dāng)日股價(jià)分別重挫3.24%及6.66%，更直接反映此一購(gòu)并案對(duì)DRAM市場(chǎng)的未來(lái)沖擊。 　　盡管業(yè)界評(píng)估紫光此次購(gòu)并美光難度極高，因?yàn)榘雽?dǎo)體仍受美國(guó)國(guó)安監(jiān)控，尤其美光部分產(chǎn)品線是為美國(guó)軍方單位量身打造，美國(guó)官方批準(zhǔn)可能性微乎極微。不過(guò)此案的發(fā)展關(guān)乎臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存，我們以為無(wú)論購(gòu)并是否成功，其趨勢(shì)都有深入關(guān)注的必要。 　　   　
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Gartner調(diào)降半導(dǎo)體預(yù)測(cè)　DRAM明后年皆衰退

  • 　　電子業(yè)景氣趨緩，市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)最新研究報(bào)告將今年全球半導(dǎo)體成長(zhǎng)率從4%下修到2.2%，其中，近2年成長(zhǎng)動(dòng)能最高的DRAM業(yè)，明后年將連續(xù)2年衰退，其中明年衰退幅度高達(dá)17.4%。 　　Gartner表示，2015年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)估將達(dá)到3480億美元，年增2.2%，但低于上一季預(yù)測(cè)的4.0%成長(zhǎng)目標(biāo)。 　　Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示：“帶動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要應(yīng)用，包括PC、智慧型手機(jī)與平板等前景都已向下修正。再加上美元走強(qiáng)，對(duì)主要市場(chǎng)的需求造成沖擊
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SEMI：未來(lái)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可維持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)

  • 　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)表示，過(guò)去五年，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市占率不斷增加，不僅在晶圓代工和封裝測(cè)試市場(chǎng)的占有率有所提升，同時(shí)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中先進(jìn)技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)域亦見(jiàn)成長(zhǎng)。不僅如此，臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商在尖端技術(shù)上的持續(xù)投資，也將為后續(xù)幾年進(jìn)一步的發(fā)展而鋪路。 　　盡管世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)預(yù)測(cè)，2015和2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將各別小幅成長(zhǎng)3.4%，但臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卻能以高于全球兩倍的速度成長(zhǎng)，其中在晶圓代工、DRAM和后段封裝測(cè)試廠商的貢獻(xiàn)下，將為臺(tái)灣半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來(lái)更強(qiáng)勁的漲幅。尤其是
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三星最快7月啟動(dòng)DRAM 17產(chǎn)線 對(duì)手或跟進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)最快將于7月啟動(dòng)在韓國(guó)京畿道華城的17產(chǎn)線。在初期稼動(dòng)，17產(chǎn)線預(yù)定僅啟動(dòng)整體生產(chǎn)能力(CAPA)的10~30%。雖然不會(huì)立即對(duì)目前DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生巨大影響，但不排除競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)跟進(jìn)加速擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)的可能性。 　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)在第3季投產(chǎn)17產(chǎn)線DRAM。預(yù)定投入20納米DRAM制成的17產(chǎn)線，目前設(shè)備已經(jīng)全數(shù)搬入，并進(jìn)入試驗(yàn)稼動(dòng)中，最快將于7月或8月正式投產(chǎn)。 　　熟稔三星
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買(mǎi)設(shè)備

  • 　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開(kāi)新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買(mǎi)設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 　　韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購(gòu)不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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DRAM市占率維持上升趨勢(shì)　三星、SK海力士春風(fēng)得意

  • 　　受惠DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展，三星1Q半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收與營(yíng)利成長(zhǎng)率都勝過(guò)英特爾。三星官網(wǎng)2015年第1季半導(dǎo)體前五大業(yè)者中，只有三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)的市占率維持上升趨勢(shì)，受惠于DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展，兩企業(yè)可謂春風(fēng)得意。 　　不只PC、筆記型電腦(NB)，連電視、冰箱、洗衣機(jī)都搭載DRAM的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時(shí)代正在來(lái)臨，使DRAM產(chǎn)業(yè)成為最大的受惠者。而在十多年競(jìng)爭(zhēng)中存活下來(lái)的DRAM三大業(yè)者三星電子、SK海力士與美光(Micron)，正在享受寡
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全球內(nèi)存條市場(chǎng)：中國(guó)記憶科技高居第二

  • 全球內(nèi)存條市場(chǎng)十大廠商，中國(guó)竟排名二名。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

兩岸再攜手建12英寸晶圓代工廠 合肥 力晶誰(shuí)沾了誰(shuí)的光?

  • 如果一切順利，力晶很有可能超越目前正在考慮西進(jìn)大陸的臺(tái)積電，成為繼臺(tái)聯(lián)電登陸廈門(mén)后，中國(guó)大陸迎來(lái)的第二座臺(tái)灣12英寸晶圓廠。
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2014年全球DRAM模組廠營(yíng)收排名

  • 　　根據(jù)Trendforce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新發(fā)布的全球記憶體模組廠排名調(diào)查，2014年全球模組市場(chǎng)總銷(xiāo)售金額約為88億美元，與2013年的73億美元相比，大幅成長(zhǎng)約21%左右，主要受惠于標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格的平穩(wěn)走勢(shì)與合約市場(chǎng)的比重提升。 　　前五大記憶體模組廠仍占據(jù)整體銷(xiāo)售金額的81%，前十名幾乎囊括全球模組市場(chǎng)中92%的營(yíng)業(yè)額，其中金士頓(Kingston)仍穩(wěn)坐模組廠龍頭之位，營(yíng)收較前年成長(zhǎng)約44%;記憶科技(Ramaxel)與威剛(ADATA)則分居二、三名，都有著不錯(cuò)
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美光2015年三季度利潤(rùn)大幅減少，受個(gè)人電腦市場(chǎng)低迷影響

  • 　　美光科技日前發(fā)布了截至2015年6月4日的第三季度財(cái)報(bào)，銷(xiāo)售額同比減少3%，為38.53億美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比減少25%，為6.31億美元;凈利潤(rùn)同比減少39%，為4.91億美元(英文發(fā)布資料)。該公司表示，業(yè)績(jī)惡化是因?yàn)槭艿搅藗€(gè)人電腦市場(chǎng)需求停滯等的影響。經(jīng)營(yíng)個(gè)人電腦相關(guān)產(chǎn)品的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門(mén)的業(yè)績(jī)本季度大幅惡化。 　　與上季度(2014年12月～2015年2月)相比，總銷(xiāo)售額減少8%，毛利潤(rùn)率也降低了約3個(gè)百分點(diǎn)，約為31%。減收減益的主要原因是DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比降低10%。不過(guò)，削減制
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美光本季財(cái)測(cè)差 PC不妙

  • 　　電腦晶片制造商美光科技公司(Micron)上季獲利下滑39%，并警告本季的營(yíng)收可能低于市場(chǎng)預(yù)期，因?yàn)閭€(gè)人電腦(PC)晶片的價(jià)格可能繼續(xù)下跌。 　　美光生產(chǎn)PC用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片，以及行動(dòng)裝置用來(lái)儲(chǔ)存音樂(lè)、相片等資料的NAND記憶晶片。DRAM約占美光總營(yíng)收的60%。 　　美光25日公布，截至6月4日的年度第3季營(yíng)收為38.5億美元，較去年同期減少3.2%，是兩年多來(lái)首次下滑，也不如分析師預(yù)期的39億美元。 　　上季獲利為4.91億美元，或每股42美分，低于一年前的8.06億美
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DRAM報(bào)價(jià)慘！美光獲利掉近四成、盤(pán)后暴跌

  • 　　美國(guó)記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)最新財(cái)報(bào)(2015會(huì)計(jì)年度第三季)出爐，受PC景氣蕭條影響，美光當(dāng)季獲利暴瘦近四成，且本季展望也不如預(yù)期。 　　DRAM與NAND記憶體是美光主要產(chǎn)品，也多用在PC上。美光執(zhí)行長(zhǎng)Mark Durcan在財(cái)報(bào)上明講，景氣逆風(fēng)主要來(lái)自PC上半年需求疲弱。 　　翻開(kāi)財(cái)報(bào)檢視，美光當(dāng)季DRAM銷(xiāo)售量平平，但平均售價(jià)跌了一成，拖累當(dāng)季整體營(yíng)收年減3%至38.5億美元，低于分析師預(yù)估的39億美元。 　　凈利僅4.91億美元，較去年同期衰退
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ISSI 并購(gòu)戰(zhàn)狂打三個(gè)月，中國(guó)進(jìn)軍 DRAM 頻遭搶親

  • 　　2015 年 3 月 12 日，以武岳峰為首的中國(guó)資本企業(yè)發(fā)表聲明，將以每股 19.25 美元收購(gòu)美國(guó) DRAM 廠商 ISSI，宣告中國(guó)的半導(dǎo)體布局觸角延伸到 DRAM 產(chǎn)業(yè)，但邁開(kāi)的這一步卻始終無(wú)法走向下個(gè)階段，時(shí)經(jīng)三個(gè)月雙方仍在并購(gòu)談判中原地踏步，很大一部分原因在于殺出賽普拉斯(Cypress)這家程咬金。 　　你來(lái)我往的出價(jià)競(jìng)賽 　　檢視這三個(gè)月雙方的并購(gòu)發(fā)展，這場(chǎng) ISSI 爭(zhēng)奪大戰(zhàn)打得如火如荼，5 月 13 日另家美國(guó)半導(dǎo)體廠商賽普拉斯(Cypress)出手，宣布將以每股優(yōu)于武岳峰資本
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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