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半導體業(yè)訂單強勁 3月年增10.1%居首
- 經(jīng)濟部統(tǒng)計處表示,電子產(chǎn)品因手持行動裝置需求續(xù)增及規(guī)格之提升,帶動晶圓高階制程、晶片、DRAM等半導體業(yè)訂單強勁增加,3月年增率10.1%,增幅居各主要貨品別之首;資訊及通信產(chǎn)品亦因手持行動裝置組裝代工持穩(wěn)、電腦代工廠調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及電腦需求回溫,致年增8.6%,為支撐訂單持續(xù)成長之前二大貨品。精密儀器因電視及電腦面板需求漸增,致減幅已顯縮小。而傳統(tǒng)接單貨品因全球景氣逐漸回升及業(yè)者積極拓銷,年增率均呈正成長。 展望未來,受惠于手持行動裝置需求持續(xù)增加,及規(guī)格不斷升級,可望帶動電子產(chǎn)品接單持續(xù)成
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Gartner:2013年全球半導體公司排行榜
- 國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)今日發(fā)布統(tǒng)計報告,去年全球半導體營收總計3,150億美元,年增5%;英特爾雖連二年營收下滑,仍連續(xù)22年居半導體龍頭寶座。 根據(jù)顧能調(diào)查,全球前25大半導體廠商合計營收增幅達6.9%,遠優(yōu)于市場其余廠商的績效,其余廠商營收成長率僅0.9%。部分原因可歸于領(lǐng)先廠商中,有許多記憶體廠,這些記憶體廠營收年增幅高達23.5%,表現(xiàn)出色。 顧能研究副總裁諾伍德(AndrewNorwood)表示,去年在歷經(jīng)年初半導體庫存過剩而不振后,第2及第3季營收持續(xù)
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半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)
- 智慧之石 作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件,已經(jīng)歷了三個巨大變革時代:1.?電子管時代――1905~1947(42年);2.?晶體管時代――1947~1958(11年);3.?集成電路時代――1958~…(到2014年已有56年)?! ‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時代的序幕,為當時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件,在它存在的40多年的時間里,推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM PC 201404
DRAM價格緩步下滑 存儲器產(chǎn)業(yè)走向寡占結(jié)構(gòu)
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange指出,自農(nóng)歷年過后,受到傳統(tǒng)PC出貨淡季、中國白牌平板出貨量滑落,加上供給缺口回補,使得現(xiàn)貨市場不論是記憶體模組或是顆粒的需求皆呈現(xiàn)交投清淡走勢,導致現(xiàn)貨主流顆粒DDR34Gb512Mx8eTT價格在農(nóng)歷年過后下滑幅度達13%。 TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示,由于時處傳統(tǒng)PC出貨淡季,加上2014年英特爾(Intel)新晶片組Boardwell將遞延至第四季發(fā)表,以及Microsoft8.1確定無法拉抬
- 關(guān)鍵字: DRAM 存儲器
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時鐘信號,即可保持數(shù)據(jù)不丟失。 1、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。 2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
電子產(chǎn)品競爭中,日本已淪為陪跑
- 在過去20年間,日本在各類電子產(chǎn)品市場中的角色,相繼由一國獨大變成陪跑角色,例如動態(tài)存儲器(DRAM)芯片由1987的76%驟降至2004年的3%,汽車導航系統(tǒng)由2003年的100%跌至2007年的20%,太陽能板由2004年的45%減至2007的21%。2005年生產(chǎn)的iPod有七成零件來自日本,但5年后面世的iPad,零件卻只有兩成是日制。 報道說,韓日同樣在戰(zhàn)后經(jīng)歷過政府推動經(jīng)濟增長階段,但兩者在應(yīng)對上述問題時卻出現(xiàn)不同結(jié)果。1997年亞洲金融風暴爆發(fā)后,韓國大力推動市場改革和信息科技普及,并鼓勵通
- 關(guān)鍵字: DRAM 導航 太陽能板
供應(yīng)吃緊 2013年第四季DRAM產(chǎn)值再創(chuàng)新高
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,2013年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士(Hynix)無錫廠大火影響而有略減,但因供貨吃緊反而造成平均銷售單價勁揚,因此當季全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美元,較上一季成長近5%。同時,前兩大DRAM供應(yīng)商的獲利能力較上季皆有提升,其中獲利差異點取決于各DRAM廠標準型記憶體的供給多寡。 TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示,就2013年第四季合約價格走勢做觀察,由于9月SK海力士受祝融波及而
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚,連創(chuàng)5季新高
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減,但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚,因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金,QoQ近5%。同時,前兩大DRAM供貨商的獲利能力較上季皆有提升,其中獲利差異點取決于各DRAM廠標準型內(nèi)存的供給多寡。 TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示,就4Q13合約價格走勢做觀察,由于九月SK海力士受祝融波及而影響當下出貨,DRAM 4GB合約
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
SuVolta成功獲得1060萬美元風險投資
- 2014年1月15日,致力于為低功耗、高性能的集成電路芯片開發(fā)可擴展式半導體技術(shù)的SuVolta公司宣布其已獲得1060萬美元的資金。
- 關(guān)鍵字: SuVolta DRAM 物聯(lián)網(wǎng)
2013年全球半導體市場達3190億美元 成長4.9%
- 全球半導體市場在2012年衰退2.5%后,2013年恢復成長,年成長率達4.9%。2013年全球半導體市場營業(yè)額達3190億美元,較2012年的3029億美元成長4.9%,成長主要動力是由DRAM及NANDFlash帶動,DRAM及NAND在2013年的年成長率分別為35%及27.7%。 營業(yè)額前3甲連莊 2013年全球半導體公司營業(yè)額,英特爾(Intel)、三星(Samsung)及高通(Qualcomm)繼蟬聯(lián)前3名,2013年營業(yè)額合計977.6億美元,占整體半導體產(chǎn)業(yè)營業(yè)額30.8%
- 關(guān)鍵字: 半導體 DRAM
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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