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Ziptronix和EVG集團展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度
- Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準(zhǔn)機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?! iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
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趨勢大師:DRAM高成長 帶旺半導(dǎo)體業(yè)
- 2013年全球半導(dǎo)體市場統(tǒng)計結(jié)果出爐,與我們先前預(yù)估吻合,2013年全球半導(dǎo)體市場較2012年成長4.9%,扭轉(zhuǎn)2012年衰退2.4%頹勢。半導(dǎo)體市場成長,是由DRAM及NANDFlash帶動,DRAM及NAND年成長率分別高達32.5%及24.2%。 統(tǒng)計2013年全球半導(dǎo)體市場營業(yè)額達3181億美元,較2012年的3031億美元成長4.9%。 2013年全球前25大半導(dǎo)體公司合計營業(yè)額2253億美元,占整體半導(dǎo)體營業(yè)額71%,較2012年的69%上升2個百分點。2013年全球最
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半導(dǎo)體業(yè)訂單強勁 3月年增10.1%居首
- 經(jīng)濟部統(tǒng)計處表示,電子產(chǎn)品因手持行動裝置需求續(xù)增及規(guī)格之提升,帶動晶圓高階制程、晶片、DRAM等半導(dǎo)體業(yè)訂單強勁增加,3月年增率10.1%,增幅居各主要貨品別之首;資訊及通信產(chǎn)品亦因手持行動裝置組裝代工持穩(wěn)、電腦代工廠調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及電腦需求回溫,致年增8.6%,為支撐訂單持續(xù)成長之前二大貨品。精密儀器因電視及電腦面板需求漸增,致減幅已顯縮小。而傳統(tǒng)接單貨品因全球景氣逐漸回升及業(yè)者積極拓銷,年增率均呈正成長。 展望未來,受惠于手持行動裝置需求持續(xù)增加,及規(guī)格不斷升級,可望帶動電子產(chǎn)品接單持續(xù)成
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Gartner:2013年全球半導(dǎo)體公司排行榜
- 國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)今日發(fā)布統(tǒng)計報告,去年全球半導(dǎo)體營收總計3,150億美元,年增5%;英特爾雖連二年營收下滑,仍連續(xù)22年居半導(dǎo)體龍頭寶座。 根據(jù)顧能調(diào)查,全球前25大半導(dǎo)體廠商合計營收增幅達6.9%,遠優(yōu)于市場其余廠商的績效,其余廠商營收成長率僅0.9%。部分原因可歸于領(lǐng)先廠商中,有許多記憶體廠,這些記憶體廠營收年增幅高達23.5%,表現(xiàn)出色。 顧能研究副總裁諾伍德(AndrewNorwood)表示,去年在歷經(jīng)年初半導(dǎo)體庫存過剩而不振后,第2及第3季營收持續(xù)
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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)
- 智慧之石 作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件,已經(jīng)歷了三個巨大變革時代:1.?電子管時代――1905~1947(42年);2.?晶體管時代――1947~1958(11年);3.?集成電路時代――1958~…(到2014年已有56年)?! ‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時代的序幕,為當(dāng)時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件,在它存在的40多年的時間里,推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM PC 201404
DRAM價格緩步下滑 存儲器產(chǎn)業(yè)走向寡占結(jié)構(gòu)
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange指出,自農(nóng)歷年過后,受到傳統(tǒng)PC出貨淡季、中國白牌平板出貨量滑落,加上供給缺口回補,使得現(xiàn)貨市場不論是記憶體模組或是顆粒的需求皆呈現(xiàn)交投清淡走勢,導(dǎo)致現(xiàn)貨主流顆粒DDR34Gb512Mx8eTT價格在農(nóng)歷年過后下滑幅度達13%。 TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示,由于時處傳統(tǒng)PC出貨淡季,加上2014年英特爾(Intel)新晶片組Boardwell將遞延至第四季發(fā)表,以及Microsoft8.1確定無法拉抬
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去年三星半導(dǎo)體市場占有率居全球第2位
- 市場調(diào)查機構(gòu)IHSISUPPLI23日發(fā)表的報告顯示,去年韓國三星電子半導(dǎo)體銷售額達338.22億美元,同比(下同)增長8.2%;市場占有率為10.6%,上升0.3個百分點,繼續(xù)保持全球第2位。而世界排名第1的美國英特爾公司去年半導(dǎo)體銷售額為469.81億美元,減少0.9%;市場占有率14.8%,下降0.8個百分點。報告還顯示,受個人電腦D-RAM價格上漲的拉動,去年韓國SK海力士公司半導(dǎo)體銷售額為128.09億美元,劇增42.8%;市場占有率由3%增至4.0%,排名由第7位升至第5位。美國高通公司(
- 關(guān)鍵字: 三星半導(dǎo)體 DRAM
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時鐘信號,即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。 2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
電子產(chǎn)品競爭中,日本已淪為陪跑
- 在過去20年間,日本在各類電子產(chǎn)品市場中的角色,相繼由一國獨大變成陪跑角色,例如動態(tài)存儲器(DRAM)芯片由1987的76%驟降至2004年的3%,汽車導(dǎo)航系統(tǒng)由2003年的100%跌至2007年的20%,太陽能板由2004年的45%減至2007的21%。2005年生產(chǎn)的iPod有七成零件來自日本,但5年后面世的iPad,零件卻只有兩成是日制。 報道說,韓日同樣在戰(zhàn)后經(jīng)歷過政府推動經(jīng)濟增長階段,但兩者在應(yīng)對上述問題時卻出現(xiàn)不同結(jié)果。1997年亞洲金融風(fēng)暴爆發(fā)后,韓國大力推動市場改革和信息科技普及,并鼓勵通
- 關(guān)鍵字: DRAM 導(dǎo)航 太陽能板
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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