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半導體一到五月產(chǎn)值達6000億元
- 行動裝置熱銷,激勵今年1至5月半導體產(chǎn)值噴發(fā)達6,003億元,創(chuàng)歷年同期新高。展望未來,經(jīng)濟部統(tǒng)計處副處長楊貴顯表示,第3季為傳統(tǒng)旺季,應能延續(xù)暢旺,第4季則視品牌大廠新品推陳出新時間表。 經(jīng)濟部統(tǒng)計處昨(5)日公布今年1至5月半導體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù),集成電路與半導體封測為我國半導體產(chǎn)業(yè)兩大主軸,合計兩者產(chǎn)值占整體逾九成,兩者今年1至5月產(chǎn)值皆創(chuàng)歷史同期新高,推升半導體產(chǎn)值續(xù)創(chuàng)新高。 楊貴顯說,去年半導體產(chǎn)值增速已達二位數(shù)成長,今年1至5月成長動能延續(xù),上升至14.2%,凸顯半導體榮景
- 關鍵字: 半導體 DRAM
IC競爭 韓流來勢洶洶 臺灣高階化成效顯著
- 經(jīng)濟部統(tǒng)計處5日公布上半年集成電路(簡稱IC)出口分布狀況,結(jié)果一喜一憂。出口至東南亞的金額,出現(xiàn)跳躍性成長;但出口至大陸及香港的金額仍占整體逾半,即將面臨大陸與韓國嚴酷的挑戰(zhàn)。 按出口地區(qū)看,今年上半年臺灣集成電路出口到日本、韓國的金額,雙雙出現(xiàn)衰退,但出口至馬來西亞、菲律賓金額分別大幅成長39.4%、26.4%。 經(jīng)濟部官員表示,近來臺灣半導體產(chǎn)業(yè)推動高階化成效顯著,國際競爭力越來越強,以DRAM為例,過去可能要回銷日韓做進一步加工,才能出口至東南亞,現(xiàn)可直接出口東南亞國。
- 關鍵字: 集成電路 DRAM
半導體與DRAM產(chǎn)值 同步創(chuàng)史上新高
- 以智慧型手機為首的行動裝置全球熱賣,帶動今年前5月半導體產(chǎn)值創(chuàng)下史上新高,達6003億元、年增14.2%。其中,低迷多年的DRAM出頭天,價量齊揚,以產(chǎn)值615億元也創(chuàng)下歷史新高,一口氣較去年同期成長56.9%。 半導體是臺灣重要的外銷產(chǎn)業(yè)之一,今年上半年南韓及日本的出口衰退最多,對馬來西亞及菲律賓的出口成長最快速。 經(jīng)濟部今天公布上述臺灣半導體產(chǎn)值的統(tǒng)計結(jié)果。更進一步看,其中以積體電路業(yè)產(chǎn)值3916億元占65%為最大宗,半導體封裝及測試業(yè)產(chǎn)值1647億元占27%居次,2者合占逾9
- 關鍵字: 半導體 DRAM
第三季移動存儲器體價格持平 廠商獲利穩(wěn)定
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,2014年第三季行動式記憶體價格與前季相較相對持穩(wěn),所有產(chǎn)品線的跌幅皆落在5%以內(nèi),其中大部分的智慧型手機廠甚至在第三季的采購價格與前季完全相同,在行動式記憶體連續(xù)跌價超過兩年的前例看來,今年受旺季需求支撐所呈現(xiàn)的價格持平走勢相當難得,DRAM廠在該領域的獲利持續(xù)向上攀升。 DRAMeXChange研究協(xié)理吳雅婷表示,智慧型手機仍是第二季最大的需求來源,其中由于正值中國地區(qū)電信系統(tǒng)由3G轉(zhuǎn)4GTD-LTE,
- 關鍵字: 移動存儲器體 DRAM
2013年全球內(nèi)存模塊廠營收排名
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存研究部門DRAMeXchange最新發(fā)表的模塊營收調(diào)查顯示,2013年全球模塊市場總銷售金額約為73億美元,相較于2012年55億美元,大幅提升32%,主要受益于標準型內(nèi)存價格的上漲、現(xiàn)貨市場轉(zhuǎn)趨熱絡及合約市場的比重提升。2013年模塊廠前十名幾乎囊括全球模塊市場中88%的營業(yè)額,其中金士頓穩(wěn)坐模塊廠龍頭,年營收增長約32%;威剛與記憶科技則分居二、三名,營收也大幅增長116%及37%。由于模塊廠營業(yè)項目轉(zhuǎn)趨多元,本次排名僅針對各家模塊廠的DRAM營收做統(tǒng)計
- 關鍵字: DRAM 內(nèi)存模塊
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設計與實現(xiàn)
- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數(shù)據(jù)進行快速存儲和讀取,而這種先進先出的結(jié)構(gòu)特點很好地適應了這些要求,是傳統(tǒng)RAM無法達到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存,但是由于成本和容量限制,常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴展,這往往導致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復雜,成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件,介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制,來
- 關鍵字: FIFO SRAM DRAM CPLD
受惠三大因素上半年半導體業(yè)淡季不淡
- 根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)觀察,2014上半年臺灣IC設計產(chǎn)業(yè)受惠于中國大陸與新興市場智慧手機需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素,拉動了智慧手機晶片、驅(qū)動IC及電視SoC晶片之營收持續(xù)高漲,形成半導體產(chǎn)業(yè)少見的淡季不淡現(xiàn)象。 展望2014下半年,雖為傳統(tǒng)旺季,但中國大陸6月份縮減了3G智慧型手機補助,為市場投下變數(shù),中國4G/LTE手機的銷售情形,將成為左右臺廠營收的重要關鍵。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預估,2014下半年臺灣IC設計營收預估達80.7億美元,較去年同
- 關鍵字: 半導體 DRAM
基于CPLD的DRAM控制器設計方法
- 80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產(chǎn)品之一,已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領域。在該嵌入式微處理器片內(nèi),集成有DRAM RCU單元,即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動產(chǎn)生DRAM刷新總線周期,它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當編程后,RCU將向?qū)⑻幚砥鞯?BIU(總線接口)單元產(chǎn)生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后,BIU單元執(zhí)行刷新周期時,被編程的存儲器范圍片選有效。 存儲器是嵌入式計算機系統(tǒng)的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)
- 關鍵字: CPLD DRAM VHDL
大廠偏重生產(chǎn)移動存儲器 DRAM供貨吃緊
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標準型記憶體轉(zhuǎn)移至行動式記憶體,加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進有延宕的情形下,2014下半年已有供貨吃緊的跡象。 以需求端來觀察,由于PCOEM庫存水位普遍不高,采購策略上除了希望原廠提供的顆粒外,亦向記憶體模組廠尋求更多的支援,DRAM市場已經(jīng)醞釀第三季合約價格上漲的氛圍;從現(xiàn)貨價格來觀察,目前4GB報價約在36美元間,5月合約均價在30.5美元,
- 關鍵字: 存儲器 DRAM
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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