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DDRII需求過于樂觀　導(dǎo)致DDR供應(yīng)出現(xiàn)缺口

  •     5月26日消息，近幾個(gè)月以來(lái)，全球DRAM大廠為配合英特爾（Intel）及國(guó)際計(jì)算機(jī)大廠全力推動(dòng)DDRII成為下一世代的計(jì)算機(jī)主流架構(gòu)，紛紛加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至DDRII，因而造成DDR產(chǎn)出量迅速下滑。也由于計(jì)算機(jī)大廠對(duì)于DDRII做出“過于樂觀”的錯(cuò)誤判斷，反而需回頭向中國(guó)臺(tái)灣DRAM廠采買更多的DDR顆粒以因應(yīng)市場(chǎng)需求。  　　DRAM廠指出，過去幾個(gè)月以來(lái)，戴爾（Dell）、惠普（HP）等個(gè)人計(jì)算機(jī)（PC）大廠，對(duì)于推升DDRII成為市場(chǎng)主流的態(tài)度越來(lái)越積
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臺(tái)灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動(dòng)近期趨頻繁

  •     近來(lái)臺(tái)灣DRAM晶圓廠人事異動(dòng)頻繁，包括華邦電（2344）原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國(guó)，以及力晶（5346）原創(chuàng)始元老曾邦助，都相繼轉(zhuǎn)換跑道，為其他DRAM業(yè)者效力，加上華邦電近半年來(lái)亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動(dòng)率偏高情況，DRAM業(yè)界多認(rèn)為，盡管人員流動(dòng)不至于影響DRAM廠既有運(yùn)作，但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。   　華邦電發(fā)言人溫萬(wàn)壽19日表示，王其國(guó)原任華邦電BG2（Business Group 2）事業(yè)群總經(jīng)
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半導(dǎo)體分析師認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌將減緩

  •  根據(jù)彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團(tuán)旗下半導(dǎo)體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團(tuán)科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評(píng)等調(diào)高，理由是認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌的狀態(tài)將開始減緩。     據(jù)了解，花旗將Infineon和南亞科技的評(píng)等由“持有”調(diào)高至“買進(jìn)”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調(diào)高至“持有”，韓國(guó)三星電子評(píng)等維持不變?cè)凇俺钟小?。分析師指出，價(jià)格可能在下個(gè)月或其后一個(gè)約觸底，而全球
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300mm線建設(shè)今年掀高潮

  • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷售值勢(shì)比上年大幅下降，但銷量將繼續(xù)快速增長(zhǎng)。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線，比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線，其回報(bào)在2001年經(jīng)濟(jì)衰退中受到嚴(yán)重打擊，可執(zhí)著堅(jiān)持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場(chǎng)再創(chuàng)新高時(shí)獲得豐厚回報(bào)。 
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

  • 　　英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學(xué)會(huì)　2004年12月13～15日于美國(guó)舊金山舉行）國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來(lái)DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù)，此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎(chǔ)。目前全球25％的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報(bào)告中，英飛凌闡述了全部集成計(jì)劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破，顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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上半年全球DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)66% 中國(guó)成決定因素

  • 　　iSuppli最新發(fā)布的報(bào)告指出，今年上半年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模比去年同期增長(zhǎng)66%，中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)88%，其次為亞太地區(qū)(不含中國(guó))的81%。日本經(jīng)濟(jì)情況改善，其DRAM銷售增 長(zhǎng)70%。美國(guó)僅僅增長(zhǎng)48%，遠(yuǎn)不及全球的66%。  　　　在主要供貨商方面，Hynix、Elpida Memory與大部份臺(tái)灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長(zhǎng)；而三星、美光與英飛凌的市場(chǎng)份額則在下降。中國(guó)是全球增長(zhǎng)最迅速的DRAM市場(chǎng)，Hynix是該地區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，市場(chǎng)占有率高達(dá)42%，去年同期為40%。
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美商凱創(chuàng)獲獎(jiǎng)入侵偵測(cè)系統(tǒng)Dragon新版問世

  • 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示，日內(nèi)發(fā)表其獲獎(jiǎng)產(chǎn)品Dragon入侵偵測(cè)系統(tǒng)（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強(qiáng)化企業(yè)網(wǎng)路的安全
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1993年，第一塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功

  • 　　1993年，第一塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功。
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1985年，第一塊64K DRAM在無(wú)錫國(guó)營(yíng)742廠試制成功

  • 　　1985年，第一塊64K DRAM在無(wú)錫國(guó)營(yíng)742廠試制成功。
  • 關(guān)鍵字： 芯片  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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