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三星512GB eUFS 3.1投產(chǎn)，傳Galaxy Note 20率先采用

  • 智能手機的運算能力越來越高，下載速度也越來越快，儲存芯片的讀寫速度亦需要配合，才能發(fā)揮每個環(huán)節(jié)的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開始大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲存芯片，它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。
  • 關(guān)鍵字： 三星  Galaxy Note 20  512GB eUFS 3.1  

三星宣布全球首發(fā)量產(chǎn)512GB eUFS閃存

  • 據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆(Gb)V-NAND芯片和一個控制器芯片。
  • 關(guān)鍵字： 三星  eUFS  
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