三星512GB eUFS 3.1投產(chǎn),傳Galaxy Note 20率先采用
智能手機(jī)的運算能力越來越高,下載速度也越來越快,儲存芯片的讀寫速度亦需要配合,才能發(fā)揮每個環(huán)節(jié)的最高效能。日前三星(Samsung)就宣布開始大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲存芯片,它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202003/411214.htm三星表示512GB的eUFS 3.1儲存芯片,連續(xù)寫入速度將超過1,200MB/s,比起現(xiàn)在相同容量eUFS 3.0儲存芯片的400MB/s,速度快達(dá)3倍。
同時512GB eUFS 3.1儲存芯片的隨機(jī)讀寫表現(xiàn)為100,000/70,000 IOPS,亦較eUFS 3.0的產(chǎn)品快60%。三星指新儲存芯片只需90秒就能完成100GB的檔案傳輸,舊款要4分鐘以上,特別適合用于儲存8K高分辨率影片。
有消息指三星可能會將512GB的eUFS 3.1儲存芯片,率先應(yīng)用于下半年的旗艦手機(jī)Galaxy Note 20系列;之后三星還會陸續(xù)生產(chǎn)和供應(yīng)128GB和256GB的eUFS 3.1儲存芯片。
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