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Microchip推出單I/O總線串行EEPROM系列

  •   全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今天宣布推出最新的總共10款具備單I/O總線接口的串行EEPROM器件系列。新器件支持Microchip待批專利的UNI/O存儲(chǔ)器件協(xié)議 (美國(guó)專利商標(biāo)局USPTO專利號(hào)7,376,020, 將于2008年5月20日發(fā)布) 。11XX010、11XX020、11XX040、11XX080及11XX160是業(yè)內(nèi)首批能支持從10kHz至100kHz范圍內(nèi)任意數(shù)據(jù)速率的單I/O
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關(guān)于EEPROM數(shù)據(jù)出錯(cuò)問題的探討

  • EEPROM數(shù)據(jù)出錯(cuò)是電視機(jī)產(chǎn)品經(jīng)常面對(duì)的問題,也是比較棘手的問題之一,本文結(jié)合實(shí)際工作從幾個(gè)方面分析問題產(chǎn)生的原因以及給出相應(yīng)的解決方法。
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一種基于單片機(jī)和串行EEPROM的智能密碼鎖

  • 本文介紹一種基于單片機(jī)和串行EEPROM的智能密碼鎖,對(duì)系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)和軟件實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了詳細(xì)的描述。
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I2C串行EEPROM應(yīng)用系統(tǒng)的健壯性設(shè)計(jì)

  •   引言   在嵌入式控制系統(tǒng)中,通常要用到非易失性存儲(chǔ)器。無論是掉電時(shí)維持需要保存的設(shè)置,還是存儲(chǔ)重要記錄,可靠的非易失性存儲(chǔ)器都是一種理想的選擇。非易失性存儲(chǔ)常常采用外部串行存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn),其中I2C接口產(chǎn)品是最常用的一種類型。然而,這種產(chǎn)品和其他EEPROM存儲(chǔ)器一樣,在使用時(shí)也存在著一些條件會(huì)潛在地導(dǎo)致其產(chǎn)生某些非標(biāo)準(zhǔn)的甚至是錯(cuò)誤的操作。因此在進(jìn)行I2C串行EEPROM存儲(chǔ)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)時(shí),除了應(yīng)考慮數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)范之外,還必須考慮更多的因素,這樣才能實(shí)現(xiàn)更健壯的總體設(shè)計(jì),確保系統(tǒng)具有優(yōu)良的質(zhì)量特性。
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高密度SPI EEPROM――SA25C020的DSP引導(dǎo)

  • 介紹TMS320VC55XX系列DSP基于24位高密度SPI EEPROM――SA25C020的引導(dǎo)、啟動(dòng)加栽方法;分析整個(gè)過程,并結(jié)合實(shí)例著重研究基于C5509A的引導(dǎo)、加栽方法和實(shí)現(xiàn);提供具體的電路設(shè)計(jì)和鳊制的相應(yīng)實(shí)現(xiàn)軟件。
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飛思卡爾使S08微控制器架構(gòu)的靈活性和性能達(dá)到新水平

  •   當(dāng)今的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)人員要求8位設(shè)備具有卓越的集成和性價(jià)比,以支持成本和功率敏感型應(yīng)用。為了幫助開發(fā)人員從8位設(shè)計(jì)中獲得最優(yōu)性能和功能,飛思卡爾推出了S08D系列8位微控制器(MCU)— 這是迄今為止該公司推出的集成度最高、擴(kuò)展性最大的S08設(shè)備。   飛思卡爾的S08D系列是業(yè)界第一款集成了控制器區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(CAN)接口、電子可擦拭可編程只讀內(nèi)存 (EEPROM)和片上仿真/調(diào)試工具的8位MCU。嵌入式CAN接口為眾多汽車和工業(yè)控制應(yīng)用提供理想的連通性解決方案,而嵌入式 EEPROM則通過實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的
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Microchip發(fā)布20MHz的1Mb串行EEPROM

  • MicrochipTechnologyInc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出業(yè)界速度最快(20MHz)的1Mb串行EEPROM器件25AA1024及25LC1024(25XX1024)。同時(shí),公司還推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512(25XX128/512)等多款128Kb和512Kb串行EEPROM器件,涵蓋整個(gè)串行外設(shè)接口(SPI)存儲(chǔ)密度范圍(1Kb至1Mb)。  所有新器件均可在高達(dá)125℃的溫度下工作,并可提供Microchip所有串行EEPROM產(chǎn)品一
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Microchip推出1Mb串行EEPROM

  • Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出業(yè)界速度最快(20 MHz)的1 Mb串行EEPROM器件25AA1024及25LC1024(25XX1024)。同時(shí),公司還推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512(25XX128/512)等多款128 Kb和512 Kb串行EEPROM器件,涵蓋整個(gè)串行外設(shè)接口(SPI)存儲(chǔ)密度范圍(1 Kb至1 Mb)。 所有新器件均可在高達(dá)125
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ROHM開發(fā)成功適于車載環(huán)境下使用SPI 接口EEPROM

  • 半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社最近開發(fā)出一種適合車載環(huán)境下使用的EEPROM 『BR25H□□0系列』 (非易失存儲(chǔ)器),這種新產(chǎn)品采用世界首創(chuàng)的雙單元結(jié)構(gòu),可以在125℃條件下穩(wěn)定工作,與SPI BUS兼容。ROHM倡導(dǎo)用雙單元結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高可靠性,整個(gè)EEPROM產(chǎn)品系列都采用這種新結(jié)構(gòu)。而且,這次開發(fā)出的樣品可以在125℃下穩(wěn)定工作;靜電耐壓也達(dá)到業(yè)界頂級(jí)的6kV;在嚴(yán)酷環(huán)境下的車載ECU內(nèi)讀出初始數(shù)據(jù)和寫入狀態(tài)信息都表現(xiàn)出高的可靠性。新的產(chǎn)品系列中根據(jù)存儲(chǔ)器容量和封裝形式的不同共有12款不同型號(hào)的產(chǎn)品
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奧地利微電子推出EEPROM的8位數(shù)字電位器

  • 奧地利微電子公司推出256抽頭、SPI接口、非易失數(shù)字電位器AS1506,可提供10、50和100kΩ電阻,進(jìn)一步擴(kuò)展了數(shù)字電位器產(chǎn)品系列。 AS1506的最大待機(jī)電流為500nA,包括CMOS寫操作電流在內(nèi)的最大工作電流只有200µA,因此是低功耗應(yīng)用的理想選擇。AS1506采用2.7至 5.5V單電源工作,端到端電阻的溫度系數(shù)為90ppm/
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奧地利微電子推出帶有EEPROM的8位數(shù)字電位器

  • 奧地利微電子公司推出256抽頭、SPI接口、非易失數(shù)字電位器AS1506,可提供10、50和100kΩ電阻,進(jìn)一步擴(kuò)展了數(shù)字電位器產(chǎn)品系列。 AS1506的最大待機(jī)電流為500nA,包括CMOS寫操作電流在內(nèi)的最大工作電流只有200µA,因此是低功耗應(yīng)用的理想選擇。AS1506采用2.7至 5.5V單電源工作,端到端電阻的溫度系數(shù)為90ppm/
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基于NiosII的SOPC中EEPROM Controller Core的設(shè)計(jì)

  • 摘  要:介紹了如何在基于NiosII的SOPC中設(shè)計(jì)EEPROM的Controller Core,用Verilog HDL實(shí)現(xiàn)其硬件部分,編寫了相關(guān)驅(qū)動(dòng)程序和應(yīng)用層軟件,構(gòu)建了基于NiosII的SOPC。并以AT24C02為例,在Altera的Stratix1S10的FPGA上實(shí)現(xiàn)了通過EEPROM Controller對(duì)其進(jìn)行讀寫,試驗(yàn)結(jié)果正確。關(guān)鍵詞:NiosII; SOPC; EEPROM Controller&nbs
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意法半導(dǎo)體成為世界第一大EEPROM芯片供應(yīng)商

  • 意法半導(dǎo)體宣布,據(jù)市場(chǎng)分析公司iSuppli的報(bào)告,ST是2006年全球串行EEPROM市場(chǎng)第一大廠商,這是ST在這個(gè)市場(chǎng)連續(xù)第三年排名第一。據(jù)iSuppli的分析報(bào)告,2006年ST的市場(chǎng)份額為25%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于排名位置與其最近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,雖然價(jià)格不斷降低,但是ST的銷售額卻提高了17.8%??備N售額2.78億美元,主要貢獻(xiàn)者包括串行EEPROM芯片、記憶卡和電子標(biāo)簽(RFID)。 與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比,ST的2006年市場(chǎng)表現(xiàn)非常出色,串行EEPROM芯片產(chǎn)量達(dá)到17億顆,比2005年提高22%。ST的EEP
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ST推出采用2 x 3mm MLP8微型封裝的串行EEPROM系列產(chǎn)品

  •   意法半導(dǎo)體宣布該公司存儲(chǔ)密度2 Kbit到64 Kbit的所有串行EEPROM芯片(SPI和I2C接口兩個(gè)系列)都將采用2 x 3mm MLP8微型封裝,與上一代的4 x 5mm S08N封裝相比,新封裝能夠?yàn)楦叨讼M(fèi)電子和通信產(chǎn)品節(jié)省大量的空間和成本。   ST是市場(chǎng)第一個(gè)用小封裝提供全系列低密度串行EEPROM產(chǎn)品的半導(dǎo)體廠商。與其它封裝相比,新的超薄(0.6mm)細(xì)節(jié)距雙平面2 x 3mm微型引腳框架封裝(MLP)取得了多項(xiàng)重大技術(shù)改良,而且新系列產(chǎn)品的占位面積在2 Kbit到64 Kbit整
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ST率先推出SO8窄型封裝的1Mbit串行EEPROM

  •   ST推出一款新的1-Mbit串行EEPROM 芯片,這個(gè)型號(hào)為M24M01的新產(chǎn)品采用微型SO8N封裝,封裝外殼寬度僅為150-mil (3.8mm);這個(gè)串行EEPROM是目前市場(chǎng)上唯一的在如此小的封裝內(nèi)擠進(jìn)高密度存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體器件。該產(chǎn)品還有一款是采用SO8W封裝,這款產(chǎn)品內(nèi)置I2C雙線串口,專門為消費(fèi)電子和醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì),是保存參數(shù)經(jīng)常被修改的海量數(shù)據(jù)的理想選擇。存儲(chǔ)密度從1千位一直到1兆位,ST的I2C EEPROM系列是目前市場(chǎng)上的最強(qiáng)大的產(chǎn)品陣容。   M2
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eeprom介紹

  EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用。   EEPROM(電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)是可用戶更改的只讀存儲(chǔ)器(ROM),其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程(重寫)。 [ 查看詳細(xì) ]

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