全球領先的單片機和模擬半導體供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今天宣布推出最新的總共10款具備單I/O總線接口的串行EEPROM器件系列。新器件支持Microchip待批專利的UNI/O存儲器件協(xié)議 (美國專利商標局USPTO專利號7,376,020, 將于2008年5月20日發(fā)布) 。11XX010、11XX020、11XX040、11XX080及11XX160是業(yè)內首批能支持從10kHz至100kHz范圍內任意數據速率的單I/O
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Microchip EEPROM 存儲器
EEPROM數據出錯是電視機產品經常面對的問題,也是比較棘手的問題之一,本文結合實際工作從幾個方面分析問題產生的原因以及給出相應的解決方法。
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CPU EEPROM SDA SCL 復位
引言
在嵌入式控制系統(tǒng)中,通常要用到非易失性存儲器。無論是掉電時維持需要保存的設置,還是存儲重要記錄,可靠的非易失性存儲器都是一種理想的選擇。非易失性存儲常常采用外部串行存儲器來實現,其中I2C接口產品是最常用的一種類型。然而,這種產品和其他EEPROM存儲器一樣,在使用時也存在著一些條件會潛在地導致其產生某些非標準的甚至是錯誤的操作。因此在進行I2C串行EEPROM存儲器的應用設計時,除了應考慮數據手冊規(guī)范之外,還必須考慮更多的因素,這樣才能實現更健壯的總體設計,確保系統(tǒng)具有優(yōu)良的質量特性。
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EEPROM
介紹TMS320VC55XX系列DSP基于24位高密度SPI EEPROM――SA25C020的引導、啟動加栽方法;分析整個過程,并結合實例著重研究基于C5509A的引導、加栽方法和實現;提供具體的電路設計和鳊制的相應實現軟件。
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EEPROM C020 SPI 020
當今的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)人員要求8位設備具有卓越的集成和性價比,以支持成本和功率敏感型應用。為了幫助開發(fā)人員從8位設計中獲得最優(yōu)性能和功能,飛思卡爾推出了S08D系列8位微控制器(MCU)— 這是迄今為止該公司推出的集成度最高、擴展性最大的S08設備。
飛思卡爾的S08D系列是業(yè)界第一款集成了控制器區(qū)域網絡(CAN)接口、電子可擦拭可編程只讀內存 (EEPROM)和片上仿真/調試工具的8位MCU。嵌入式CAN接口為眾多汽車和工業(yè)控制應用提供理想的連通性解決方案,而嵌入式 EEPROM則通過實現數據的
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 微控制器 MCU EEPROM MCU和嵌入式微處理器
MicrochipTechnologyInc.(美國微芯科技公司)宣布推出業(yè)界速度最快(20MHz)的1Mb串行EEPROM器件25AA1024及25LC1024(25XX1024)。同時,公司還推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512(25XX128/512)等多款128Kb和512Kb串行EEPROM器件,涵蓋整個串行外設接口(SPI)存儲密度范圍(1Kb至1Mb)。 所有新器件均可在高達125℃的溫度下工作,并可提供Microchip所有串行EEPROM產品一
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 Microchip EEPROM 美國微芯科技 MCU和嵌入式微處理器
Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出業(yè)界速度最快(20 MHz)的1 Mb串行EEPROM器件25AA1024及25LC1024(25XX1024)。同時,公司還推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512(25XX128/512)等多款128 Kb和512 Kb串行EEPROM器件,涵蓋整個串行外設接口(SPI)存儲密度范圍(1 Kb至1 Mb)。
所有新器件均可在高達125
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 Microchip EEPROM 25AA1024 MCU和嵌入式微處理器
半導體制造商ROHM株式會社最近開發(fā)出一種適合車載環(huán)境下使用的EEPROM 『BR25H□□0系列』 (非易失存儲器),這種新產品采用世界首創(chuàng)的雙單元結構,可以在125℃條件下穩(wěn)定工作,與SPI BUS兼容。ROHM倡導用雙單元結構來實現高可靠性,整個EEPROM產品系列都采用這種新結構。而且,這次開發(fā)出的樣品可以在125℃下穩(wěn)定工作;靜電耐壓也達到業(yè)界頂級的6kV;在嚴酷環(huán)境下的車載ECU內讀出初始數據和寫入狀態(tài)信息都表現出高的可靠性。新的產品系列中根據存儲器容量和封裝形式的不同共有12款不同型號的產品
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奧地利微電子公司推出256抽頭、SPI接口、非易失數字電位器AS1506,可提供10、50和100kΩ電阻,進一步擴展了數字電位器產品系列。 AS1506的最大待機電流為500nA,包括CMOS寫操作電流在內的最大工作電流只有200µA,因此是低功耗應用的理想選擇。AS1506采用2.7至 5.5V單電源工作,端到端電阻的溫度系數為90ppm/
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模擬技術 電源技術 奧地利微電子 EEPROM 8位 電位器 模擬IC 電源
奧地利微電子公司推出256抽頭、SPI接口、非易失數字電位器AS1506,可提供10、50和100kΩ電阻,進一步擴展了數字電位器產品系列。 AS1506的最大待機電流為500nA,包括CMOS寫操作電流在內的最大工作電流只有200µA,因此是低功耗應用的理想選擇。AS1506采用2.7至 5.5V單電源工作,端到端電阻的溫度系數為90ppm/
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 奧地利微電子 EEPROM 數字電位器 嵌入式
摘 要:介紹了如何在基于NiosII的SOPC中設計EEPROM的Controller Core,用Verilog HDL實現其硬件部分,編寫了相關驅動程序和應用層軟件,構建了基于NiosII的SOPC。并以AT24C02為例,在Altera的Stratix1S10的FPGA上實現了通過EEPROM Controller對其進行讀寫,試驗結果正確。關鍵詞:NiosII; SOPC; EEPROM Controller&nbs
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 NiosII SOPC EEPROM Controller 嵌入式
意法半導體宣布,據市場分析公司iSuppli的報告,ST是2006年全球串行EEPROM市場第一大廠商,這是ST在這個市場連續(xù)第三年排名第一。據iSuppli的分析報告,2006年ST的市場份額為25%,遠遠高于排名位置與其最近的競爭對手,雖然價格不斷降低,但是ST的銷售額卻提高了17.8%??備N售額2.78億美元,主要貢獻者包括串行EEPROM芯片、記憶卡和電子標簽(RFID)。 與競爭對手相比,ST的2006年市場表現非常出色,串行EEPROM芯片產量達到17億顆,比2005年提高22%。ST的EEP
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意法半導體宣布該公司存儲密度2 Kbit到64 Kbit的所有串行EEPROM芯片(SPI和I2C接口兩個系列)都將采用2 x 3mm MLP8微型封裝,與上一代的4 x 5mm S08N封裝相比,新封裝能夠為高端消費電子和通信產品節(jié)省大量的空間和成本。
ST是市場第一個用小封裝提供全系列低密度串行EEPROM產品的半導體廠商。與其它封裝相比,新的超薄(0.6mm)細節(jié)距雙平面2 x 3mm微型引腳框架封裝(MLP)取得了多項重大技術改良,而且新系列產品的占位面積在2 Kbit到64 Kbit整
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EEPROM ST 單片機 嵌入式系統(tǒng) 意法半導體 封裝
eeprom介紹
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數據不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息,重新編程。一般用在即插即用。
EEPROM(電可擦寫可編程只讀存儲器)是可用戶更改的只讀存儲器(ROM),其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程(重寫)。 [
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