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HOLTEK推出HT24LC128新款大容量串行式EEPROM

HOLTEK推出新款串行式EEPROM產(chǎn)品 -- HT24LC128，使用兩線式串行接口，總共有128K位內(nèi)存容量，內(nèi)存架構(gòu)為16384 x 8位。HT24LC128的最快工作頻率為400kHz，工作電
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PIC32單片機(jī)在氣相色譜儀中應(yīng)用方案，軟硬件協(xié)同

PIC32單片機(jī)在氣相色譜儀中應(yīng)用方案，軟硬件協(xié)同, 1 主要內(nèi)容1.1課題的目的及意義氣相色譜儀是一個(gè)精密儀器，其用途非常廣泛。他廣泛用于石油、化工、農(nóng)藥、公安、白酒、環(huán)境檢測(cè)、衛(wèi)生防疫以及高等院校、科研部門。自1952年世界上第一次創(chuàng)建實(shí)用氣液色譜法以來，在
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Flash芯片你都認(rèn)識(shí)嗎？

　　Flash存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對(duì)它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn)，給大家一個(gè)全新認(rèn)識(shí)?！　∫弧IC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡(jiǎn)單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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新一代存儲(chǔ)技術(shù)漸入實(shí)用階段

　　近十年來，在高速成長(zhǎng)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)市場(chǎng)的推動(dòng)下，業(yè)界一直在試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲(chǔ)器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲(chǔ)器，提高存儲(chǔ)性能。目前具有突破性的存儲(chǔ)技術(shù)有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。　　新一代存儲(chǔ)技術(shù)顯現(xiàn) 　　“多、快、省”特點(diǎn) 　　MRAM是一種非易失性磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力及動(dòng)態(tài)隨
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意法半導(dǎo)體(ST)推出全球首款內(nèi)置多I2C地址的4焊球WLCSP封裝 EEPROM

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)的M24系列EEPROM存儲(chǔ)器新增四款完全兼容工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4焊球WLCSP封裝(Wafer Level Chip Scale Package，晶圓級(jí)芯片封裝) 的產(chǎn)品，同時(shí)也是首個(gè)準(zhǔn)許在同一條I2C總線上連接兩顆以上4針EEPROM芯片，這是因?yàn)槊靠町a(chǎn)品都有一個(gè)獨(dú)立、內(nèi)部固化連接的I2C地址。因此設(shè)計(jì)人員可以在同一條總線上連接
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【E問E答】EEPROM工作原理是怎樣的？

　　PROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同，主要結(jié)構(gòu)如圖所示：　　　　浮柵中沒有電子注入時(shí)，在控制柵加電壓時(shí)，浮柵中的電子跑到上層，下層出現(xiàn)空穴。由于感應(yīng)，便會(huì)吸引電子，并開啟溝道。如果浮柵中有電子的注時(shí)，即加大的管子的閾值電壓，溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開關(guān)功能。　　　　如圖2所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極加高壓，電子從源極流向漏極溝道充分開啟。在高壓的作用下，
關(guān)鍵字： EEPROM 浮柵

【E問E答】EEPROM工作原理是怎樣的？

　　PROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同?！　ROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同，主要結(jié)構(gòu)如圖所示：　　浮柵中沒有電子注入時(shí)，在控制柵加電壓時(shí)，浮柵中的電子跑到上層，下層出現(xiàn)空穴。由于感應(yīng)，便會(huì)吸引電子，并開啟溝道。如果浮柵中有電子的注時(shí)，即加大的管子的閾值電壓，溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開關(guān)功能?！　∪鐖D2所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極
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Microchip新型數(shù)模轉(zhuǎn)換器集成EEPROM，可在掉電時(shí)保留設(shè)置

　　全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)日前發(fā)布MCP48FXBXX系列新器件，進(jìn)一步擴(kuò)展其數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)產(chǎn)品線。MCP48FEBXX系列DAC器件一共包含6款新產(chǎn)品，內(nèi)有集成的EEPROM，可在掉電時(shí)保存DAC設(shè)置，而MCP48FVBXX系列則為不需要集成存儲(chǔ)器的應(yīng)用提供了成本更低的另一種選擇。這些低功耗的單通道和雙通道DAC提供8、10和12位分辨率，具有SPI串行接口，采
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用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限

　　一般地,EEPROM存儲(chǔ)器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數(shù)為10萬次,超過這一極限時(shí),該單元就無法再使用了。但在實(shí)際應(yīng)用中，可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫。這時(shí)，可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限?！　∥覀冇幸粋€(gè)單字節(jié)的數(shù)據(jù)要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法來做：　　1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元。　　2、將要尋址的單元地址(假設(shè)為01H)放入93C56的00H地址中?！　?、每次要對(duì)E2PROM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫時(shí)，先讀取00H中的數(shù)據(jù)，并
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實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)吐血推薦：怎樣在Linux環(huán)境下輕松實(shí)現(xiàn)基于I2C總線的EEPROM驅(qū)動(dòng)程序

　　1引言　　I2C (Inter-Integrated Circuit1總線是一種由Philips公司開發(fā)的2線式串行總線，用于連接微控制器及其外圍設(shè)備。它是同步通信的一種特殊形式，具有接口線少、控制方式簡(jiǎn)單、器件封裝形式小、通信速率較高等優(yōu)點(diǎn)。在主從通信中，可有多個(gè)I2C總線器件同時(shí)接到I2C總線上，通過地址來識(shí)別通信對(duì)象。筆者在開發(fā)基于MPC8250的嵌入式Linux系統(tǒng)的過程中發(fā)現(xiàn)I2C總線在嵌入式系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，I2C總線控制器的類型比較多，對(duì)系統(tǒng)提供的操作接口差別也很大。與I2C總線相連的
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來IIC，您將看到這些公司的新產(chǎn)品（一）

　　離 IIC2015 秋季展只有一個(gè)月了，對(duì)于過去19年以來都有參觀的老工程師來說，去現(xiàn)場(chǎng)參觀一下參觀商，聽?zhēng)讏?chǎng)重要的研討會(huì)，似乎是每年都會(huì)盡量安排去做的事。今年是IIC展會(huì)第20周年，展會(huì)即將來臨之前，在此先向大家推薦多家參展商預(yù)告的產(chǎn)品與技術(shù)，這樣有助于您現(xiàn)場(chǎng)參觀時(shí)更有針對(duì)性的去參觀了解。　　廠商一：聚辰半導(dǎo)體(上海)有限公司(展位號(hào)： 3B21) 　　聚辰半導(dǎo)體(上海)有限公司會(huì)在現(xiàn)場(chǎng)推廣I2C、SPI和Microwire接口的系列EEPROM產(chǎn)品、OPA產(chǎn)品和鏡頭驅(qū)動(dòng)芯片。重點(diǎn)展示非接觸射
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意法半導(dǎo)體（ST）世界首款汽車級(jí)2Mbit EEPROM讓汽車變得更環(huán)保、更安全

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出業(yè)界首款通過AEC-Q100認(rèn)證的2Mbit EEPROM芯片，為復(fù)雜的汽車系統(tǒng)模塊存儲(chǔ)及管理參數(shù)提供更多的應(yīng)用機(jī)會(huì)。　　提升混合動(dòng)力汽車、電動(dòng)汽車或重型卡車發(fā)動(dòng)機(jī)功率轉(zhuǎn)換效率和環(huán)保性能需要大量使用各種參數(shù)，包括進(jìn)氣量、燃油噴射、廢氣排放量或電池充電信息。同樣地，各種汽車安全應(yīng)用包括安全氣囊、行車記錄儀或制動(dòng)控制器，均需要存儲(chǔ)并處理大量輸出參數(shù)以執(zhí)行物體檢測(cè)、3軸運(yùn)動(dòng)感測(cè)、車輪速度及轉(zhuǎn)向角度等。　　意法半導(dǎo)體新款M95M02
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華虹半導(dǎo)體最新推出0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)

　　華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)工藝平臺(tái)。該工藝平臺(tái)作為華虹半導(dǎo)體0.18微米超低漏電技術(shù)的延續(xù)，可為客戶提供一個(gè)完美兼具高性能、低功耗、低成本優(yōu)勢(shì)于一身的差異化解決方案。　　新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)支持低至于1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。該平臺(tái)的存儲(chǔ)器I
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意法半導(dǎo)體(ST)的寬溫串口EEPROM 提升工控和智能照明設(shè)計(jì)的靈活性

　　意法半導(dǎo)體新推出的工業(yè)增強(qiáng)版(Industrial-Plus)串口EEPROM存儲(chǔ)器工作溫度高達(dá)105°C，是市場(chǎng)上存儲(chǔ)容量、總線接口和芯片封裝選擇最齊全的EEPROM存儲(chǔ)器，為設(shè)計(jì)人員更新系統(tǒng)數(shù)據(jù)參數(shù)帶來更多的靈活性，而且無需修改印刷電路板設(shè)計(jì)。　　34款新產(chǎn)品屬于M24(I2C)系列和M95(SPI)系列，存儲(chǔ)容量從2Kbits到512Kbits，采用引腳兼容的SO8N或TSSOP封裝，可靠性的提升讓采用新產(chǎn)品的設(shè)備能夠在惡劣的溫度環(huán)境下工作。　　典型目標(biāo)應(yīng)用包括先進(jìn)工業(yè)控制和網(wǎng)絡(luò)
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FRAM存儲(chǔ)“多、快、省”

　　近日，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場(chǎng)部經(jīng)理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。擁有15年FRAM量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的富士通半導(dǎo)體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點(diǎn)?！岸唷敝傅氖荈RAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點(diǎn)，可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;“省”是FRAM超低
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eeprom介紹

　　EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。　　EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）是可用戶更改的只讀存儲(chǔ)器（ROM），其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。 [ 查看詳細(xì) ]