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EEPW首頁 >> 主題列表 >> epc gan fet

半導體一周要聞3.7-3.11

  • 1. 提前預定五年產能，全球半導體硅片進入黃金期！根據SEMI發(fā)布的數據顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長江存儲和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預計交易金額分別為1.55億元、8000萬元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
  • 關鍵字： 半導體  GaN  芯片  產能  

ST：發(fā)展碳化硅技術 關鍵在掌控整套產業(yè)鏈

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
  • 關鍵字： ST  GaN  SiC  

安森美剝離晶圓制造廠達成最終協(xié)議改善成本結構

  • 安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標是透過擴大毛利率實現(xiàn)可持續(xù)的財務業(yè)績。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產轉移到其全球制造網絡內更高效的晶圓廠，安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結構。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產剝離表明我們正在實現(xiàn)優(yōu)化的制造網路，同時為我們的客戶提供長期的供應保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機
  • 關鍵字： 安森美  晶圓制造廠  GaN  

基于GaN的高功率密度快充正快速成長

  • 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關器件的商用化進程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發(fā)展的，技術只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應用，包括：快充、服務器/ 通信電源、電機驅動、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達等，其中快充會繼續(xù)引領氮化鎵開關器件的市場成長。相對于硅
  • 關鍵字： 202201  GaN  英飛凌  

ST已經做好部署，準備挖掘GaN的全部潛力

  • GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但長期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場前景將如何？GaN技術和應用有何新突破？為此，本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動向。
  • 關鍵字： 202201  GaN  

GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開啟智能集成時代

  • GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應用夾縫之間。GaN產品的市場前景如何？GaN技術有何新突破？不久前，消費類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術。值此機會，電子產品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
  • 關鍵字： GaN  集成  202201  

蘋果證實：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

  • 　　10月19日消息，據The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器?！　∨c傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率?！　〈送?，蘋果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設備充電?！　⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網上架?！　∑渲?，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉MagSa
  • 關鍵字： 蘋果  電源適配器  GaN  充電器  

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業(yè)中大規(guī)模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

研華Arm-based邊緣智能網關 協(xié)助儲能企業(yè)打造穩(wěn)定高效的電池管理系統(tǒng)(BMS)方案

  • 應對全球變暖問題，研華整合軟硬件和服務，開發(fā)了可應用于儲能系統(tǒng)的邊緣智能解決方案，攜手綠色能源產業(yè)鏈的各方伙伴，有效提升家庭、商業(yè)、工業(yè)區(qū)、城市使用綠色能源效益，為追求可持續(xù)發(fā)展貢獻一己之力。項目背景客戶的儲能柜部署在全球各個地區(qū)，當設備出現(xiàn)故障時運維成本非常昂貴，客戶希望保證儲能柜的控制系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運行，并支持災難恢復、雙機熱備和基于Azure云平臺的實時在線監(jiān)控功能。痛點需求●? ?設備部署在偏遠地區(qū)，運行和維護成本高●? ?系統(tǒng)故障后不能自動恢復●?
  • 關鍵字： 研華  邊緣智能網關  WISE-DeviceOn/Commbridge  EPC-R3220  EPC-R4710  

InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

  • 　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計?！　⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內部集成
  • 關鍵字： PI  InnoSwitch?3-PD  GaN  

TI推出全新GaN技術，攜手臺達打造高效能服務器電源供應器

  • TI領先的功率密度、全新架構與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務器的設計難題，降低總所有成本
  • 關鍵字： GAN  TI  電源供應器  

集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

  • TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產品，至2025年市場規(guī)模將達8.5億美元，年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
  • 關鍵字： 新能源車  GaN  功率元件  

ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

  • 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產業(yè)專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
  • 關鍵字： ST  Exagan  GaN  

憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？

  • 氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會率先用到氮化鎵呢？
  • 關鍵字： 氮化鎵  快充  GaN  

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

  • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開關技術的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權衡取舍，一個好例子是既要求達到服務器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉換器部分實施PFC，升壓轉換器會將整流后
  • 關鍵字： SiC FET  PFC  
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