epc gan fet 文章進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區(qū)

GaN 將能源效率推升至新高度

德州儀器(TI)是推動(dòng)GaN開(kāi)發(fā)和支持系統(tǒng)設(shè)計(jì)師采用這項(xiàng)新技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設(shè)計(jì)，致力于幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程。TI新穎的解決方案不僅可以?xún)?yōu)化性能，而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實(shí)施問(wèn)題，使客戶(hù)得以設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)，建設(shè)更綠色環(huán)保的世界。
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EPC和Microchip公司攜手開(kāi)發(fā)用于高功率密度計(jì)算應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板

美國(guó)微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）與宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的超高效氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN?FET）的結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)最佳功率密度（730 W/in3），從而實(shí)現(xiàn)高效、低成本的DC-DC轉(zhuǎn)換。EPC公司?宣布推出1/16磚式、300 W DC/DC穩(wěn)壓器（?EPC9143?）。 EPC9143功率模塊把Microchip??dsPIC33CK?數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）和最新一代eG
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自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車(chē)應(yīng)用

寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個(gè)功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn)，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷(xiāo)及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪(fǎng)，分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷(xiāo)及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
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助力新基建，安世半導(dǎo)體升級(jí)GaN產(chǎn)品線(xiàn)

近日，安世半導(dǎo)體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點(diǎn)應(yīng)用場(chǎng)合包括電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動(dòng)機(jī)牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級(jí)工業(yè)電源，用于機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。日前，安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細(xì)解析了安世半導(dǎo)體的GaN FET藍(lán)圖以及新一代GaN FET的特性。新一代GaN產(chǎn)品升級(jí) 2019年，安世半導(dǎo)體正式推出650V GaN MOSFET，采用級(jí)聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
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電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇

離線(xiàn)電源是最常見(jiàn)的電源之一，也稱(chēng)為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加，對(duì)所需輸出能力小于1瓦的低功率離線(xiàn)轉(zhuǎn)換器的需求也越來(lái)越大。對(duì)于這些應(yīng)用程序，最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，反激通常是任何低功耗離線(xiàn)轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開(kāi)關(guān)，用戶(hù)可以通過(guò)智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶(hù)在操作過(guò)程中不會(huì)接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對(duì)于離線(xiàn)電源來(lái)說(shuō)，反激拓?fù)涫且粋€(gè)合理的解決方案，因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
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Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專(zhuān)有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡(jiǎn)化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動(dòng)器也可以很容易地驅(qū)動(dòng)它們。新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過(guò)孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來(lái)

隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
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貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo旗下Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品

作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權(quán)分銷(xiāo)商，貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線(xiàn)訂購(gòu)。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國(guó)防和商業(yè)應(yīng)用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實(shí)現(xiàn)一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
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學(xué)習(xí)采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無(wú)人機(jī)、全自動(dòng)駕駛汽車(chē)及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)

EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個(gè)視頻，針對(duì)器件可靠性及基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應(yīng)用，包括面向人工智能的高功率密度運(yùn)算應(yīng)用，面向機(jī)械人、無(wú)人機(jī)及車(chē)載應(yīng)用的激光雷達(dá)系統(tǒng)，以及Ｄ類(lèi)放音頻放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個(gè)視頻主要分享實(shí)用范例，目的是幫助設(shè)計(jì)師利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉(zhuǎn)換器?、
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EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列

日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書(shū)的增訂內(nèi)容，更新了首7個(gè)、合共14個(gè)教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及應(yīng)用，例如激光雷達(dá)、DC/DC轉(zhuǎn)換及無(wú)線(xiàn)電源等應(yīng)用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書(shū)的內(nèi)容制作。合共14個(gè)教程的視頻播客系列旨在為功率
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TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)在貿(mào)澤開(kāi)售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和強(qiáng)大的保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出ePower(TM) 功率級(jí)集成電路系列，重新定義功率轉(zhuǎn)換

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率級(jí)集成電路，專(zhuān)為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計(jì)，用于具有高功率密度的運(yùn)算應(yīng)用及針對(duì)電動(dòng)車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。 EPC2152是一個(gè)單晶驅(qū)動(dòng)器并配以基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN? FET）、采用EPC專(zhuān)有的氮化鎵集成電路技術(shù)的半橋功率級(jí)。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動(dòng)器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)LGA封裝、細(xì)小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來(lái)提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠(chǎng)用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢(shì)，包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率（3.4eV對(duì)比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.

領(lǐng)先的汽車(chē)供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國(guó)一家專(zhuān)注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。通過(guò)此協(xié)議，MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車(chē)輛領(lǐng)域OBC車(chē)載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動(dòng)力總成逆變器開(kāi)發(fā)的尖端技術(shù)，進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車(chē)技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認(rèn)為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車(chē)行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗(yàn)。獲得這一技術(shù)對(duì)正在探索電力傳動(dòng)系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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