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Intel憑何獨步天下!

Intel曾經(jīng)自己高調(diào)宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優(yōu)勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領世界。
關鍵字： Intel FinFET 14nm

FinFET 全面攻占 iPhone！五分鐘讓你看懂 FinFET

這一年來半導體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢? 　　
關鍵字： FinFET ARM

FinFET/3D NAND前景亮　推升半導體設備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關的蝕刻機臺和磊晶技術。　　應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。　　應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
關鍵字： FinFET 3D NAND

AMD終于用上了FinFET工藝

　　這么多年，新工藝一直是AMD的痛點。早年自己生產(chǎn)進展跟不上，現(xiàn)在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺積電都跑去抱蘋果的大腿了，導致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。　　不過在昨日的財務會議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，進展順利，接下來就可以去投產(chǎn)了。　　她并沒有說具體是哪兩款產(chǎn)品(估計會是新架構ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰，臺積電16nm、GF14nm都有
關鍵字： AMD FinFET

探秘大基金，下一個投資目標瞄準了誰？

　　自去年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡稱大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務。正是因為“手握重金”，坊間對于大基金的傳言不絕于耳。更有業(yè)者擔心大基金的投資會不會遍地開花，甚至會毀了中國整個集成電路產(chǎn)業(yè)。據(jù)最接近大基金的業(yè)內(nèi)資深人士透露，這個擔心是多余的，大基金的“國家戰(zhàn)略+市場化運營”的機制以及股權投資基金業(yè)的游戲規(guī)則決定了它不會這么干! 　　市場上的私募股權投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無非是它有了
關鍵字：集成電路 FinFET

哪些半導體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

　　美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。　　　　FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一
關鍵字： FD- SOI FinFET

只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。　　例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點采用
關鍵字： FinFET FD-SOI

GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設計而強化了14nm FinFET的設計架構

　　GLOBALFOUNDRIES，世界先進半導體制造技術的領導者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術而開發(fā)的強化過的設計架構，在幫助那些采用先進工藝技術設計的客戶的進程上達到了一個關鍵里程碑。　　GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開發(fā)出的新型設計流程，實現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術的PDK和早期試用標準單元庫，形成一個數(shù)字設計“入門套件”，為設計人員進行物理實
關鍵字： GLOBALFOUNDRIES FinFET

14納米FinFET制程略勝一籌全球晶圓代工競爭暗潮洶涌

　　雖然臺積電仍是全球晶圓代工市場的龍頭大廠，但為牽就蘋果(Apple)這個大客戶，內(nèi)部壓寶16納米、20納米設備可以大部互通的產(chǎn)能擴充彈性優(yōu)勢，硬是將16納米FinFET制程技術訂為20納米下一棒的規(guī)劃藍圖。　　反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術的懷抱后，即便蘋果仍可喂飽臺積電先進制程產(chǎn)能，但臺積電客戶結(jié)構從以IC設計公司為主，變成以系統(tǒng)廠獨霸半遍天，加上主要競爭對手也開始爭取到重要
關鍵字： FinFET 晶圓

三星14納米FinFET處理器揭密

　　Exynos 7420已經(jīng)將與英特爾在2014年10月發(fā)表第一款14奈米Broadwell 處理器5Y70的差距縮小。
關鍵字：三星 FinFET

Synopsys Galaxy設計平臺支撐了90%的FinFET設計量產(chǎn)

　　亮點：　　 Galaxy Design Platform設計平臺被用于90%的FinFET設計量產(chǎn) 　　強勁的平臺采用率彰顯了Synopsys在FinFET數(shù)字和定制設計實現(xiàn)工具領域內(nèi)的領先性　　所有的FinFET晶圓代工廠都已經(jīng)使用并認證了Galaxy Design Platform 　　新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 設計平臺支撐了90%基于FinFET設計的量產(chǎn)流
關鍵字： Synopsys Galaxy FinFET

新思科技已支援全球9成FinFET設計量產(chǎn)

　　新思科技(Synopsys)宣布，Galaxy Design Platform已支援全球9成的FinFET晶片設計量產(chǎn)投片，目前已有超過20家業(yè)界領導廠商運用這個平臺，成功完成超過100件FinFET投片。　　格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電子(Global Unichip Corporation)、海思半導體(H
關鍵字：新思科技 FinFET

Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢

　　新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過20家業(yè)界領導廠商運用這個平臺，成功完成超過100件FinFET投片。　　包括格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子(Samsung)等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電
關鍵字： Synopsys FinFET

聯(lián)電14納米下季試產(chǎn)

　　聯(lián)電積極擴充28奈米產(chǎn)能，預計今年中月產(chǎn)能可達2萬片，28奈米毛利率將達平均水準。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線，預計第2季進行第2代14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶產(chǎn)品陸續(xù)完成設計定案(tape out)，明年將開始拉升產(chǎn)能進入量產(chǎn)階段。　　聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶晶片進入量產(chǎn)，并有逾10家客戶完成設計定案并展開試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進行擴產(chǎn)，預估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴
關鍵字：臺積電三星 FinFET

Cadence與海思在FinFET設計領域擴大合作

　　益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，已與通訊網(wǎng)路與數(shù)位媒體晶片組供應商海思半導體(HiSilicon Technologies)已經(jīng)簽署合作協(xié)議，將于16奈米 FinFET 設計領域大幅擴增采用Cadence 數(shù)位與客制/類比流程，并于10奈米和7奈米制程的設計流程上密切合作。　　海思半導體也廣泛使用Cadence數(shù)位和客制/類比驗證解決方案，并且已經(jīng)取得Cadence DDR IP與Cadence 3D-IC 解決方案授權，將于矽中介層基底(silicon interp
關鍵字： Cadence 海思 FinFET

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FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]

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