臺積電7月14日首度揭露最先進的5納米FinFET(鰭式場效電晶體)技術藍圖。臺積電規(guī)劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對外提供代工服務，是全球首家揭露5納米代工時程的晶圓代工廠。
臺積電透露，配合客戶明年導入10納米制程量產，臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務。臺積電強化InFO布局，是否會威脅日月光、矽品等專業(yè)封測廠，業(yè)界關注。
臺積電在晶圓代工領域技術領先，是公司維持高獲利的最大動能，昨天的新聞發(fā)布會上，先進制程布局，成為法人另一個關注焦點。
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臺積電 FinFET
ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現(xiàn)更佳運算能力與功耗表現(xiàn)?！ 〈丝顪y試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的
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ARM FinFET
據中新網、網易等報道，當?shù)貢r間2016年5月19日，美國總統(tǒng)奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎，包括9名國家科學獎獲得者和8名國家技術和創(chuàng)新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業(yè)于臺灣大學。
她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發(fā)酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進口石油的依賴。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后
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FinFET
Nvidia和AMD雙方都擁有為數(shù)眾多的粉絲,每天在網上相互抨擊的文章和帖子是數(shù)不勝數(shù)，大家都認為自家購買的顯卡是最好的，而把對方貶的一無是處，顯卡如此，CP黨爭更是如此。
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AMD FinFET
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關領域的業(yè)界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢待發(fā)。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發(fā)展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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FD-SOI FinFET
身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
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FD-SOI FinFET
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢、應用領域和應用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術的長期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協(xié)議進一步擴展了雙方的長期合作關系，并將領先的工藝技術從移動手機延伸至下一代網絡和數(shù)據中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術合作。 ARM全球執(zhí)行副總裁兼產品事業(yè)群總裁
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ARM FinFET
三星(Samsung)即將量產用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項消息持續(xù)引發(fā)一些產業(yè)媒體的關注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進一步的更新。
業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺積電(TSMC)。TechInsights曾經在去年
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三星 FinFET
半導體業(yè)自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術(DP)。再進一步發(fā)展至16/14納米時，大多采用finFET技術。如今finFET技術也一代一代升級，加上193i的光學技術延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時，基本上可以使用同樣的設備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(FP)，這已引起全球業(yè)界的關注。
而對于更先進5納米生產線來說，至今業(yè)界
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5納米 finFET
應用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸認為，在3D NAND和10奈米技術帶動下，今年晶圓代工資本支出有望回升?！ ?nbsp;用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁與全球半導體業(yè)務服務群跨區(qū)域總經理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進入谷底，預估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術;對晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)
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晶圓 FinFET
一直在先進制程晶圓代工技術領域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術的商業(yè)化量產邏輯制程。
香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻所有臺積電訂單的近兩成，到2017年之后會將大多數(shù)10/14奈米訂單轉往三星：“三星會是未來高通14奈米晶片與數(shù)據
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三星 FinFET
盡管GPU(繪圖處理器)市場剩下AMD與NVIDIA兩大供應商，但在先進技術的投入上，仍然沒有手軟過。
AMD的GPU主力產品Radeon系列，在去年推出導入HBM(高頻寬記憶體)技術后，引來市場關注。AMD又在今天發(fā)布Radeon新一代的產品Polaris架構，采用14奈米FinFET制程，目前已經送樣給主要的OEM客戶，預計在今年年中進入量產時程，該產品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實境)與桌上型電腦等領域。
據AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示，Polaris架構有別于過往
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AMD FinFET
DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協(xié)議、于相關高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FinFET
最近，關于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱，最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步，先不評判蘋果一再強調的整機綜合續(xù)航差2~3%的準確性，但是三星14nm工藝相比臺積電16nm工藝較差已經可以說是板上釘釘?shù)氖铝恕?/li>
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A9處理器 臺積電 三星 Finfet
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [
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