首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
      EEPW首頁 >> 主題列表 >> gaa fet

      UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產品組合

      • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
      • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET  

      UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產品組合

      • Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
      • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  電源  SiC FET  

      GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？

      • 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。事實上，GaN行業(yè)已經在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點，因
      • 關鍵字： GaN  FET  電源  可靠性  

      三星公布3納米GAA架構制程技術芯片開始生產

      • 2022年6月30日，作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節(jié)點的芯片已經開始初步生產。較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實現(xiàn)GAA"多橋-通道場效應晶體管"（簡稱: MBCFETTM  Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高
      • 關鍵字： 三星  3納米  GAA  

      貿澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類電源應用提供更好的支持

      • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產品，此第四代器件具有出色的導通電阻特性，適用于主流800V總線架構中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應用。?貿澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設計人員提供了
      • 關鍵字： SiC  FET  

      UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能1200V第四代SiC FET

      • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
      • 關鍵字： Mentor P  Qorvo  SiC FET  

      UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能 1200 V第四代SiC FET

      • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
      • 關鍵字： SiC  FET  

      采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

      • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開關技術的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權衡取舍，一個好例子是既要求達到服務器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉換器部分實施PFC，升壓轉換器會將整流后
      • 關鍵字： SiC FET  PFC  

      揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構

      TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應用

      • GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業(yè)務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
      • 關鍵字： GaN  FET  SiC  

      5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

      • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
      • 關鍵字： EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

      臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術

      • 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發(fā)的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產，業(yè)界以
      • 關鍵字： 臺積電  2nm  GAA  

      電源管理設計小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇

      • 離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產品數(shù)量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉換器的需求也越來越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時，反激通常是任何低功耗離線轉換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個智能燈開關，用戶可以通過智能手機的應用程序進行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線電源來說，反激拓撲是一個合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
      • 關鍵字： BOM  FET  VDD  

      Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

      • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
      • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

      對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案

      • 電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應管（FET），因此從有刷電流轉向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓撲轉換到無刷拓撲意味著FET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
      • 關鍵字： FET  BLDC  
      共116條 3/8 « 1 2 3 4 5 6 7 8 »
      關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
      Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
      《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
      備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473