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集成電路芯片熱機械應(yīng)力特征研究

  • 　　摘要：本文在試驗和理論兩個方面，系統(tǒng)研究了芯片熱機械應(yīng)力特征。作者利用紅外熱成像技術(shù)研究了芯片內(nèi)部熱機械應(yīng)力隨工作電流的瞬態(tài)變化關(guān)系，發(fā)現(xiàn)芯片熱機械應(yīng)力隨工作電流呈對數(shù)增長。同時本文利用有限元方法模擬計算了芯片熱機械應(yīng)力在不同電流密度下與總工作電流的關(guān)系，從而驗證了上述實驗結(jié)論，并發(fā)現(xiàn)隨著電流密度增加芯片內(nèi)部熱機械應(yīng)力上升速率變快。 　　引言 　　隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，電路元件集成度不斷提高，盡管芯片總功耗在降低，由于芯片面積和元件尺寸不斷減小，導(dǎo)致芯片的熱功耗密度不斷增大，芯片內(nèi)部溫度和熱機械
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  熱機械應(yīng)力  紅外熱成像  GaAs  熱膨脹系數(shù)  201411  

一種可變增益功率放大器的應(yīng)用設(shè)計

  • 　　采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。最終實現(xiàn)了在6~9GHz頻率范圍內(nèi)，1 dB壓縮點輸出功率大于33 dBm,當(dāng)控制電壓在-1~0 V之間變化時，放大器的增益在5~40dB之間變化，增益控制范圍達(dá)到了35 dB.將功率放大器與增益控制電路制作在同一個單片集成電路上，面積僅為3.5 mm×2.3 mm,具有靈活易用、集成度高和成本低的特點，可廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信和數(shù)字微波通信等領(lǐng)域。 　　甚小口徑終端(verysmall apert
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  可變增益  GaAs  

全面解讀LED芯片知識

  • 　　1、LED芯片的制造流程是怎樣的? 　　LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿
  • 關(guān)鍵字： LED  GaAs  

RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng)新獎

  • 　　全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)大獎。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā)，推出獨特的無線通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據(jù)其對于無線通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場的最新分析結(jié)果，認(rèn)為RFaxis的創(chuàng)新解決方案實現(xiàn)了卓越性能、功能與經(jīng)濟(jì)性的完美結(jié)合，已經(jīng)得到證明是傳統(tǒng)GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項?！　鹘y(tǒng)上，F(xiàn)R
  • 關(guān)鍵字： RFaxis  Frost&Sullivan  GaAs  RF  

數(shù)字射頻存儲器用GaAs超高速3bit相位體制ADC的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)字射頻存儲器  GaAs  ADC  比較級電路  

基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開關(guān)

  • PIN二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管...
  • 關(guān)鍵字： GaAs  PIN    二極管    單刀雙擲開關(guān)  

超低噪聲的S頻段放大器設(shè)計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 超低噪聲  S頻段  放大器  GaAs  

一種基于MMIC技術(shù)的S波段GaAs單刀單擲開關(guān)

  • 摘要：射頻開關(guān)作為一個系統(tǒng)的重要組成部分其性能直接影響整個系統(tǒng)的指標(biāo)和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關(guān)速度是射頻開關(guān)最重要的幾個指標(biāo)。在實際測試中，S波段脈沖信號源需要產(chǎn)生快前沿的窄脈沖信號。在此基于
  • 關(guān)鍵字： 單刀  單擲  開關(guān)  GaAs  波段  MMIC  技術(shù)  基于  

利用GaAs PHEMT設(shè)計MMIC LNA

  • 在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關(guān)鍵?？刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù)，包括過濾和低 ...
  • 關(guān)鍵字： GaAs  PHEMT  MMIC  LNA  

瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管

  • 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  晶體管  SiGe:C HBT  

無線基礎(chǔ)設(shè)施被視為日益增長的砷化鎵集成電路市場

  • 根據(jù)市場戰(zhàn)略研究公司Strategy Analytics分析：全球無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體的市場預(yù)計將增長，從2011年的大約2.05億美元達(dá)到2015年約為3.2億美元。
  • 關(guān)鍵字： 無線網(wǎng)絡(luò)  GaAs  

18 GHz移動通訊回程中MMIC放大器運用

  • 為滿足第四代數(shù)據(jù)傳輸服務(wù)的需要，無線通訊業(yè)已向LTE(長期演進(jìn))迅猛發(fā)展。雖然某些地區(qū)的不同標(biāo)準(zhǔn)將仍將...
  • 關(guān)鍵字： MMIC放大器  移動通訊回程  GaAs  LTE  

基于SiGe HBT的射頻有源電感設(shè)計

  • 電感在射頻單片集成電路中具有重要作用，主要具備阻抗轉(zhuǎn)換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術(shù)的迅速...
  • 關(guān)鍵字： SiGe  HBT  射頻有源電感  晶體  反饋  

基于SiGe HBT的射頻有源電感的設(shè)計

  • 本文設(shè)計了四種結(jié)構(gòu)的射頻有源電感， 其中包括兩種正電感和兩種負(fù)電感。研究結(jié)果表明由晶體管構(gòu)成的有源電感的性能受晶體管的組態(tài)及偏置影響較大。四種電路結(jié)構(gòu)中，由共射放大器與共集放大器級聯(lián)反饋構(gòu)成的有源電感性能較好。采用回轉(zhuǎn)器原理實現(xiàn)的有源電感，電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓，有源電感具有可調(diào)諧性。
  • 關(guān)鍵字： 電感  設(shè)計  有源  射頻  SiGe  HBT  基于  
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