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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> gan mos driver

羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC  MOS  

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

  • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
  • 關(guān)鍵字： LED  GaN  MOSFET  

MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器自制

  • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過(guò)程：　　 　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號(hào)發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
  • 關(guān)鍵字： 自制  逆變器  效應(yīng)  MOS  

高性能、可高壓直接驅(qū)動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
  • 關(guān)鍵字： 光耦  可調(diào)  死區(qū)時(shí)間  MOS  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

  • 1　引　言　　目前,實(shí)現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長(zhǎng)度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對(duì)器件的特性
  • 關(guān)鍵字： 行為  建模  及其  效應(yīng)  管短溝  MOS  

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
  • 關(guān)鍵字： GaN  S波段  寬帶  放大器    

GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  探測(cè)器  紅外  量子  GaN  

電源變壓器的MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器制作

  • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛(ài)好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過(guò)程。
  • 關(guān)鍵字： 逆變器  制作  效應(yīng)  MOS  變壓器  電源  

舞臺(tái)功放MOS管改裝方法

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專(zhuān)業(yè)功放為例(電路見(jiàn)中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見(jiàn)下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關(guān)鍵字： 方法  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)  

基于MOS開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問(wèn)題研究

  • 摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問(wèn)題，通過(guò)分析其干擾信號(hào)頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz，4kV脈沖源，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
  • 關(guān)鍵字： 電磁兼容  問(wèn)題  研究  脈沖  高壓  MOS  開(kāi)關(guān)  高頻  基于  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  MOS—FET  

MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

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gan mos driver介紹

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