mos-fet 文章 進(jìn)入mos-fet技術(shù)社區(qū)
用Python自動化雙脈沖測試
- 電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能,被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高,SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動汽車動力系統(tǒng),而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是,但雙脈沖測試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設(shè)備的可靠性,雙脈沖測試(DPT)已發(fā)展成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù),用于測量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測試系統(tǒng)包括示波
- 關(guān)鍵字: 寬禁帶 FET 測試
內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機(jī)BLDC驅(qū)動芯片方案
- 引言全球高速無刷電機(jī)行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長和發(fā)展。根據(jù)市場調(diào)研,亞洲市場占據(jù)了全球高速無刷電機(jī)行業(yè)的首位,市場規(guī)模占比達(dá)47%,并且預(yù)計(jì)未來增長將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國,無刷電機(jī)技術(shù)已逐漸成熟,電機(jī)和驅(qū)動器的價(jià)格均已下探到可以廣泛應(yīng)用的程度,也就拓展了無刷電機(jī)的使用場景。而控制芯片作為無刷電機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,通過接收轉(zhuǎn)子位置的反饋信號,精確控制電機(jī)的電流和電壓,實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和精確控制。目前直流無刷電機(jī)的控制主要分兩大類:方波控制(梯形波控制)與正弦波控制,這兩類控制方式的原理分別是什么呢
- 關(guān)鍵字: MOS 三相直流無刷電機(jī) BLDC 驅(qū)動芯片
一文了解SiC MOS的應(yīng)用
- 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
- 關(guān)鍵字: SiC MOS 碳化硅 MOSFET
從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用,這篇文章把MOS管講透了。
- MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。其結(jié)構(gòu)示意圖:解釋1:溝道上面圖中,下邊的p型中間一個(gè)窄長條就是溝道,使得左右兩塊P型極連在一起,因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性,因此它的一個(gè)重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻,選用mos管必須清楚這個(gè)參數(shù)是否符合需求。解釋2:n型上圖表示的是p型mos管,讀者可以依據(jù)此圖理解n型的,都是反過來即可,因此,不難理解,n型的如圖在柵極加正壓會導(dǎo)致導(dǎo)通,而p型的相反。解釋3:增強(qiáng)型相對于耗盡型
- 關(guān)鍵字: 模擬電路 MOS
GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器
- D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效,從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢,在4Ω負(fù)載時(shí),每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì),其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級子板,實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高,使
- 關(guān)鍵字: GaN FET D類音頻放大器
測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn) Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場,因?yàn)樗梢蕴峁┏jP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而,電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易,因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩,并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度,這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵 FET
EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
- 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
- 關(guān)鍵字: EPC 1mΩ 導(dǎo)通電阻 GaN FET
適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類參與其中,因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害,汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求,同時(shí)發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖,重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性,因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管,但又不能直接驅(qū)動它,這樣就必須增加一個(gè)柵極
- 關(guān)鍵字: 自主駕駛 LiDAR GaN FET
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動汽車設(shè)計(jì)性能
- 中國 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ,非常適合車載充電器、DC/DC 
- 關(guān)鍵字: Qorvo SiC FET 電動汽車
徹底弄清MOS管 (NMOS為例
- 來自專欄芯片基礎(chǔ)課說來慚愧,大二學(xué)了一遍模電數(shù)電,考研專業(yè)課又學(xué)了一遍模電數(shù)電,但拿到如下這張mos管結(jié)構(gòu)圖,讓我立馬說出:【這是什么型mos管,標(biāo)準(zhǔn)符號襯底的箭頭指向哪里,簡化符號柵極有沒有小圓圈,襯底該接高接低,柵極高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通,導(dǎo)通電流方向是什么】的答案,時(shí)不時(shí)還真有點(diǎn)卡殼。這真的不能怪我們,是真的太繞了,比如PMOS管柵極居然是低電平有效,簡化圖上輸入帶圈,這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關(guān)系徹底理順,開始吧!首先,你應(yīng)該已經(jīng)懂得:硅中參雜電子多的話,會在那里寫個(gè)N,參雜空穴多
- 關(guān)鍵字: 模擬電路 MOS
EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管,實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出三款激光驅(qū)動器電路板,這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評估板,分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
- 關(guān)鍵字: EPC GaN FET 激光二極管
MOS 管的死區(qū)損耗計(jì)算
- MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn),習(xí)慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFET 為上管, Low-side MOSFET為下管.如果上管和下管同時(shí)導(dǎo)通,就會導(dǎo)致電源短路,MOS 管會損壞,甚至?xí)r電源損壞,這種損壞是災(zāi)難行動,必須避免.由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時(shí)沿的,為了避免上管和下管同時(shí)導(dǎo)通,造成短路現(xiàn)象,從而引入了死區(qū)的概念,也就是上下管同時(shí)關(guān)斷的區(qū)間,如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
- 關(guān)鍵字: MOS 管 逆變電路
超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
- 一、變頻器的定義及應(yīng)用領(lǐng)域 變頻器的定義變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、制動單元、驅(qū)動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應(yīng)用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調(diào)整電機(jī)的功率,實(shí)現(xiàn)電機(jī)的變速運(yùn)行,達(dá)到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動,避免一旦電壓發(fā)生異常而導(dǎo)致設(shè)備的跳閘或者出現(xiàn)異常運(yùn)行的現(xiàn)象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊,從而有效地減少無功損耗,增
- 關(guān)鍵字: RS瑞森半導(dǎo)體 MOS 變頻器
Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝,為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識,如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級聯(lián)氮化鎵場效應(yīng)管(GaN FET),Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用CCP
- 關(guān)鍵字: Nexperia SMD CCPAK GaN FET
mos-fet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條mos-fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mos-fet的理解,并與今后在此搜索mos-fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mos-fet的理解,并與今后在此搜索mos-fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473