gan mos driver 文章進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： GaN MOSFET

無(wú)須降壓電容的低零件成本LED Driver

　　特點(diǎn)－　　工作電壓范圍：5V~450V 　　支持四種調(diào)光方式：開(kāi)關(guān)調(diào)光、脈沖信號(hào)(PWM)調(diào)光、DC調(diào)光（0~5V）、熱平衡調(diào)光。　　多重保護(hù)功能：LED開(kāi)路保護(hù)、LED短路保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)、過(guò)溫度保護(hù) 　　支持隔離或非
關(guān)鍵字：綠達(dá) LED Driver

集成電路布圖設(shè)計(jì)登記：數(shù)量持續(xù)上升中國(guó)企業(yè)占優(yōu)

　　2008年，受到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)衰退的影響，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長(zhǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國(guó)以內(nèi)需市場(chǎng)為主的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長(zhǎng)，但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測(cè)行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場(chǎng)的變化和利潤(rùn)的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式，集成電路布圖設(shè)計(jì)登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。　　最近，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國(guó)集成電路布圖設(shè)計(jì)登記2008年度報(bào)告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。　　本報(bào)告數(shù)據(jù)
關(guān)鍵字： NEC MOS 集成電路布圖設(shè)計(jì)

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端

麻省理工學(xué)院計(jì)劃為發(fā)展中國(guó)家開(kāi)發(fā)12美元PC

　　美國(guó)麻省理工學(xué)院一個(gè)為第三世界家庭開(kāi)發(fā)廉價(jià)計(jì)算機(jī)的項(xiàng)目組將以任天堂娛樂(lè)系統(tǒng)為基礎(chǔ)而不是以蘋果II電腦為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì)。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。　　一些Mac計(jì)算機(jī)網(wǎng)站指出，《波士頓先驅(qū)報(bào)》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國(guó)際設(shè)計(jì)峰會(huì)部分內(nèi)容“教育家庭計(jì)算計(jì)劃”。這個(gè)計(jì)劃的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)成本只有12美元的初級(jí)計(jì)算機(jī)。　　雖然設(shè)計(jì)師之一的27歲研究生Derek Lomas說(shuō)他希望給第三世界的學(xué)校提供類似于伴隨他長(zhǎng)大蘋果II計(jì)算機(jī)，但是，他和他的團(tuán)隊(duì)研制的這種計(jì)算機(jī)
關(guān)鍵字： PC 廉價(jià) 處理器 MOS 6502

測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話技術(shù)問(wèn)題

要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值...
關(guān)鍵字： GAN 蜂窩話音質(zhì)量

基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計(jì)

　　0 引言　　很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會(huì)采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣，在更換維護(hù)插件板時(shí)，通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí)，一般會(huì)產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng)，這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí)，插件板上附加電容的充放電會(huì)給工作背板提供一個(gè)低阻抗，此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì)燒毀連接器和電路元件，或者暫時(shí)使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。　　所謂熱插拔(Hot
關(guān)鍵字：電路熱插拔 MOS 電源

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：　　1. 相比于類似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率　　3. 在免授權(quán)的5.8G
關(guān)鍵字：三極管 WiMAX Cree GaN

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無(wú)裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? 　　“對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來(lái)說(shuō)，在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

如何測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

　　要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測(cè)試。　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無(wú)話音也無(wú)數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無(wú)線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無(wú)線 LAN)之間無(wú)縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過(guò)程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動(dòng)電話 UMA GAN SEGW WLAN

中國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問(wèn)世

　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國(guó)家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長(zhǎng)設(shè)備研制取得突破，我國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長(zhǎng)6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。　　　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測(cè)器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
關(guān)鍵字：青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN

藍(lán)色激光的應(yīng)用

藍(lán)色激光所使用的半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)商業(yè)應(yīng)用研究始于1970年，GaN在高頻和高溫條件下能夠激發(fā)藍(lán)光的獨(dú)特...
關(guān)鍵字：藍(lán)色激光激光光束 GaN 1970年 Nichia 激光打印激光器外線單晶生長(zhǎng) 深紫

AB類功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)

　　1 AB類功放驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)目標(biāo) 　　在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱為功率放大電路，簡(jiǎn)稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。　　　　A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電放大器 MOS