IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。

　　開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。

　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面的經(jīng)驗，可使該技術(shù)平臺廣泛應(yīng)用于AC-DC電源轉(zhuǎn)換器、DC - DC電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、照明系統(tǒng)及高密度音頻和汽車系統(tǒng)領(lǐng)域。其系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品組合和相關(guān)知識產(chǎn)權(quán) (IP) 遠遠超越了其他的領(lǐng)先分立功率器件。

　　高吞吐量、150毫米GaN器件及其制造工藝完全符合IR公司倡導(dǎo)的低成本高效益的芯片制造要求，為客戶提供世界一流的、可商業(yè)化的GaN功率器件制造平臺。

　　IR總裁兼首席執(zhí)行官Oleg Khaykin表示："領(lǐng)先的GaN器件技術(shù)平臺和IP組合符合我們?yōu)榭蛻艄?jié)約能源的核心使命，進一步提升了IR公司在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，預(yù)示著電源轉(zhuǎn)換新紀元的到來。我們完全相信這種新器件技術(shù)平臺對電源轉(zhuǎn)換市場的潛在影響至少和30多年前IR推出的功率HEXFET?電源一樣大。"

　　幾個新GaN器件產(chǎn)品平臺的原型將在2008年11月11日至14日于慕尼黑舉辦的Electronica電子貿(mào)易展上向主要原始設(shè)備制造商展示。

　　Khaykin 還表示："我們認為，GaN器件產(chǎn)品平臺最早將在那些充分利用功率密度以及電源轉(zhuǎn)換效率和成本的關(guān)鍵特性價值實現(xiàn)革命性轉(zhuǎn)換能力的市場領(lǐng)域和設(shè)備中得以應(yīng)用。"