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ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關(guān)性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低，在開關(guān)工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題，ROHM的新產(chǎn)品通過采用自有的結(jié)構(gòu)，成功
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晶心科技和IAR Systems攜手力助車用芯片設(shè)計領(lǐng)導廠商加速產(chǎn)品上市時程

  • 32及64位高效能、低功耗RISC-V處理器核心領(lǐng)導供貨商、RISC-V國際協(xié)會（RISC-V International）創(chuàng)始首席會員晶心科技（TWSE: 6533；SIN: US03420C2089；ISIN: US03420C1099）及嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導者IAR Systems?共同宣布：來自歐洲及亞洲的IC領(lǐng)導廠商已采用晶心科技RISC-V AndesCore?車用CPU內(nèi)核，以及IAR Systems已獲得功能安全認證的RISC-V開發(fā)工具。這個由晶心科技及IAR Systems所
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IAR Systems 宣布支持64位RISC-V內(nèi)核，進一步擴展其強大的RISC-V 解決方案

  • 嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導者IAR Systems?日前自豪地宣布：其專業(yè)開發(fā)工具鏈IAR Embedded Workbench? for RISC-V現(xiàn)已支持64位RISC-V內(nèi)核。憑借此次在內(nèi)核支持能力方面的擴展，IAR Systems在為RISC-V提供專業(yè)開發(fā)解決方案方面繼續(xù)走在前沿。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一個完整的C/C++編譯器和調(diào)試器工具鏈，其將嵌入式開發(fā)者所需的一切都整合至同一個集成開發(fā)環(huán)境（IDE）中，包括確保代碼質(zhì)量的集成式代碼分析工具
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半導體一周要聞3.7-3.11

  • 1. 提前預(yù)定五年產(chǎn)能，全球半導體硅片進入黃金期！根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%，總出貨量達到141.65 億平方英寸（MSI），收入同比增長了13%，達到126.2億美元。 目前，包括長江存儲和武漢新芯等客戶，都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協(xié)議。其中，2022年1-6月預(yù)計交易金額分別為1.55億元、8000萬元，而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
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ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

  • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
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安森美剝離晶圓制造廠達成最終協(xié)議改善成本結(jié)構(gòu)

  • 安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標是透過擴大毛利率實現(xiàn)可持續(xù)的財務(wù)業(yè)績。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到其全球制造網(wǎng)絡(luò)內(nèi)更高效的晶圓廠，安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結(jié)構(gòu)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實現(xiàn)優(yōu)化的制造網(wǎng)路，同時為我們的客戶提供長期的供應(yīng)保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機
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基于GaN的高功率密度快充正快速成長

  • 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關(guān)器件的商用化進程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應(yīng)用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機驅(qū)動、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達等，其中快充會繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開關(guān)器件的市場成長。相對于硅
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ST已經(jīng)做好部署，準備挖掘GaN的全部潛力

  • GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但長期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場前景將如何？GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破？為此，本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動向。
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GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開啟智能集成時代

  • GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領(lǐng)域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應(yīng)商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機會，電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
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蘋果證實：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

  • 　　10月19日消息，據(jù)The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。　　與傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率。　　此外，蘋果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設(shè)備充電?！　⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網(wǎng)上架。　　其中，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉(zhuǎn)MagSa
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
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InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

  • 　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計?！　⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
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TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

  • TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題，降低總所有成本
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集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

  • TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預(yù)估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達8.5億美元，年復合成長率高達78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

  • 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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gan systems介紹

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