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使用集成GaN解決方案提高功率密度

  • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  GaN  功率密度  

GaN將在數(shù)據(jù)服務(wù)器中挑起效率大梁

  • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢(shì)，但這還不夠，能源效率是另一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域，這是因?yàn)榉?wù)器及其冷卻系統(tǒng)對(duì)能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運(yùn)營(yíng)成本。GaN具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉(zhuǎn)換、節(jié)能、減少對(duì)冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴(kuò)展性。數(shù)字化和云端服務(wù)的快速建置推動(dòng)了全球數(shù)據(jù)服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長(zhǎng)。今天，數(shù)據(jù)服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個(gè)數(shù)字預(yù)計(jì)會(huì)不斷的成長(zhǎng)下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，例如虛擬世界、增強(qiáng)實(shí)境和虛擬現(xiàn)實(shí)，所消耗大量電力將遠(yuǎn)超現(xiàn)今地球上所能
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殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？

  • 在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一?；诠瑁⊿i）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應(yīng)用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點(diǎn)

  • 和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來(lái)新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動(dòng)汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
  • 關(guān)鍵字： 202207  東芝    共源共柵  GaN  

Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴(kuò)大SuperGaN平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)

  • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴(kuò)充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
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東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應(yīng)用痛點(diǎn)

  • 受訪人：黃文源  東芝電子元件（上海）有限公司半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部技術(shù)企劃部高級(jí)經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　回答：自從半導(dǎo)體產(chǎn)品面世以來(lái)，硅一直是半導(dǎo)體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導(dǎo)體的出現(xiàn)，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導(dǎo)體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導(dǎo)體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導(dǎo)體的
  • 關(guān)鍵字： 東芝  GaN  級(jí)聯(lián)共源共柵  

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的“互補(bǔ)共生”

  • 　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營(yíng)銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì)，并在過去20年中設(shè)計(jì)了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
  • 關(guān)鍵字： TI  第三代半導(dǎo)體  GaN  SiC  

GaN是否具有可靠性？或者說(shuō)我們能否如此提問？

  • 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對(duì)于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀點(diǎn)，因
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IAR Systems 全面支持 Renesas RH850，助力汽車行業(yè)創(chuàng)新

  • IAR Systems 很高興地宣布推出全新的 3.10 版 IAR Embedded Workbench 以及 IAR 構(gòu)建工具（Renesas RH850 版），全面支持 Renesas RH850，用于創(chuàng)建汽車行業(yè)下一代突破性解決方案，助力汽車行業(yè)創(chuàng)新?日益復(fù)雜的汽車應(yīng)用需要在保證性能的情況下進(jìn)行實(shí)時(shí)控制， Renesas 的現(xiàn)代化多核 RH850 汽車 MCU可以幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。作為全球唯一為 Renesas 全系列 MCU 提供開發(fā)工具的供應(yīng)商，IAR Systems 推出的最新版本
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破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

  • SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來(lái)了使用和測(cè)量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無(wú)法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評(píng)估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計(jì)的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測(cè)量中，最難的部分就是對(duì)半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓VGS的測(cè)量，包括兩個(gè)部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時(shí)是無(wú)法使用無(wú)源探頭進(jìn)行測(cè)量的，這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備和人員危險(xiǎn)，同時(shí)還會(huì)由
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GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評(píng)估板在貿(mào)澤開售

  • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評(píng)估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強(qiáng)模式 (e-mode) 半橋評(píng)估板性能優(yōu)異，同時(shí)減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。 貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動(dòng)器和兩
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Qorvo 助力簡(jiǎn)化 GaN PA 偏置

  • 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計(jì)，可加強(qiáng) Qorvo GaN PA 的設(shè)計(jì)與測(cè)試。GaN 器件是耗盡型 FET，運(yùn)行時(shí)需要施加負(fù)柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中，需要以特定的順序進(jìn)行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負(fù)柵極電壓，以保護(hù)器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
  • 關(guān)鍵字： GAN  PA  

IAR Systems支持全新Arm Cortex-M85處理器

  • 嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems 今天宣布推出完整開發(fā)工具鏈 IAR Embedded Workbench for Arm 的最新9.30版本，支持最新推出的高性能 Arm Cortex-M85 處理器。圖：IAREmbeddedWorkbench_9.30_screenshot?Arm 公司物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式事業(yè)部副總裁 Mohamed Awad 表示：“要想在多樣化且不斷增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式市場(chǎng)中進(jìn)行創(chuàng)新并取得成功，開發(fā)者需要一個(gè)強(qiáng)大的軟件和工具生態(tài)系統(tǒng)。Arm 最高性能
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學(xué)貫中西(8)：從GAN領(lǐng)悟人機(jī)協(xié)同創(chuàng)新之道

  • 1 回顧：GAN里的兩個(gè)角色在上一期里，詳細(xì)介紹了 GAN( 生成對(duì)抗網(wǎng) ) 里的 兩個(gè)角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者，又稱為創(chuàng)新者，而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領(lǐng)域，其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是： G( 創(chuàng)新者 ) 負(fù)責(zé)創(chuàng)作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負(fù)責(zé)辨別一 張圖像的真或假，然后引領(lǐng) G 逐步改進(jìn)，止于完美逼 近目標(biāo)。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式，屬于 AI 機(jī)器與機(jī)器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而，在 AI 科技不斷
  • 關(guān)鍵字： 202206  GAN  人機(jī)協(xié)同  

EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái)

  • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採(cǎi)用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設(shè)，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺(tái)。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
  • 關(guān)鍵字： GaN  宜普  
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