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簡單分析微波射頻器件極限功率損耗與分散

每個器件都有一個最大的功率極限，不管是有源器件（如放大器），還是無源器件（如電纜或濾波器）。理解功率在這些器件中如何流動有助于在設(shè)計電路與系統(tǒng)時處理更高的功率電平。
關(guān)鍵字： PCB IR 微波射頻器件熱分析紅外技術(shù)

無線傳感器網(wǎng)絡(luò)標準化進展與協(xié)議分析

　　無線傳感器網(wǎng)絡(luò)作為一門面向應(yīng)用的研究領(lǐng)域，在近幾年獲得了飛速發(fā)展。在關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)方面，學(xué)術(shù)界從網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、數(shù)據(jù)融合、測試測量、操作系統(tǒng)、服務(wù)質(zhì)量、節(jié)點定位、時間同步等方面開展了大量研究，取得豐碩的成果;工業(yè)界也在環(huán)境監(jiān)測、軍事目標跟蹤、智能家居、自動抄表、燈光控制、建筑物健康監(jiān)測、電力線監(jiān)控等領(lǐng)域進行應(yīng)用探索。隨著應(yīng)用的推廣，無線傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)開始暴露出越來越多的問題。不同廠商的設(shè)備需要實現(xiàn)互聯(lián)互通，且要避免與現(xiàn)行系統(tǒng)的相互干擾，因此要求不同的芯片廠商、方案提供商、產(chǎn)品提供商及關(guān)聯(lián)設(shè)備提供商達成一定的
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Intel白皮書：UWB技術(shù)實現(xiàn)高速無線個人局域網(wǎng)

無線連接為用戶新的移動生活方式注入了便捷。消費者馬上就會對這種電子家庭的便捷產(chǎn)生巨大需求，他們的個人電腦、數(shù)碼錄像機、MP3播放器、數(shù)碼可攜式攝像機、數(shù)碼相機，高清晰電視(HDTV)、機頂盒(STB)、游戲系統(tǒng)、掌
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基于變換采樣的超寬帶接收機設(shè)計

基于變換采樣的超寬帶接收機設(shè)計, 在高精度UWB定位系統(tǒng)中，目標信號是超短脈寬的脈沖，有很寬的帶寬，為了對這種寬帶信號進行處理，我們要求如下兩個條件。1)設(shè)計應(yīng)該實現(xiàn)超高的采樣率。對于UWB定位系統(tǒng)，恢復(fù)較好的脈沖波形以獲得較高時間分辨率信息
關(guān)鍵字：變換采樣 FPGA 可編程延時芯片 ADC UWB 接收機

IR多功能IRS2983控制IC 為高性能調(diào)光應(yīng)用簡化而設(shè)

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International R
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抑制SSN的新型內(nèi)插L-EBG結(jié)構(gòu)

本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新型結(jié)構(gòu)，對于同步開關(guān)噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優(yōu)秀的特性。我們設(shè)計的這款新型EBG結(jié)構(gòu)，是在周期性L-bridge EBG結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在一些單元內(nèi)插小型的L-bridge EBG。通過仿真驗證，此結(jié)構(gòu)具有傳統(tǒng)型L-bridge EBG結(jié)構(gòu)所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結(jié)構(gòu)上下變頻。另外，通過3-D
關(guān)鍵字： EBG SSN 電源完整性 IR-Drop 201607

IR的電池保護MOSFET系列為移動應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。　　　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護電路。IRL6297SD
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D類放大器市場突飛猛進廠商新品頻出

　　D類音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運行，讓設(shè)計者能夠利用小型散熱器或者無需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設(shè)備以及移動設(shè)備的首選拓撲，能夠幫助設(shè)計者實現(xiàn)高性能與小尺寸組合，而這正是全世界用戶所期望和需要的。　　現(xiàn)在，高集成度D類放大器件，包括單個封裝內(nèi)的整個放大器模塊的出現(xiàn)讓企業(yè)能夠更快地將價格極具競爭力的新產(chǎn)品推向市場，并且其音頻性能達到或者超過了傳統(tǒng)的模擬放大器。因此，D類音頻放大器近十年來市場突飛猛進，年復(fù)合增長率遠遠高于應(yīng)用特殊型音頻器件。　　D
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IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機控制和車身控制等。　　使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
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IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

　　球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR智慧型功率模組簡化家電馬達驅(qū)動器設(shè)計

　　國際整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系統(tǒng)級封裝(System-In-Package,SIP)節(jié)能智慧型功率模組(IntelligentPowerModule)系列，有效縮小及簡化空調(diào)、風(fēng)扇、壓縮機和洗衣機等家電馬達驅(qū)動應(yīng)用的設(shè)計。　　IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，要超越IR上一代IRAM產(chǎn)品所建立的行業(yè)標準基準并非易事，全新IRAMGen2平臺能夠利用下一代IRAM系統(tǒng)級封裝智慧型功率模組的先進技術(shù)，通過改善熱效能及減少電磁雜訊，以滿足市場對更高效家電應(yīng)用馬達驅(qū)動器與日俱增的需求
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一種新型雙陷波特性的超寬帶單極子天線設(shè)計

摘要提出了一種新型雙陷波特性的超寬帶單極子天線。通過在介質(zhì)基板上添加錐形輻射貼片，天線可以覆蓋超寬帶通信頻段。在輻射貼片上引入上、下兩個錐形縫隙結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)3.5 GHz、5.5 GHz的雙陷波特性。天線實測模型電壓駐波比<2的阻抗帶寬是2.56～10.61GHz，其中3.18～3.76 GHz和4.4～5.75 GHz具有陷波特性。測試表明，天線在工作頻帶內(nèi)具有全向輻射特性。 20世紀90年代，超寬帶技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于軍事領(lǐng)域。隨著短距離無線通信的發(fā)展，2002年美國聯(lián)邦通信委員會劃分3.1～1
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非交叉饋電的印刷對數(shù)周期天線的頻域特性

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：對數(shù)周期天線印刷天線非交叉饋電 UWB

IR擴充StrongIRFET系列

　　　國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護及開關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等?！　∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
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IR全新D類音頻芯片組優(yōu)化音頻放大器性能

???　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商?-?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)推出全新D類音頻芯片組，內(nèi)含IRS20965數(shù)字音頻驅(qū)動器IC，可提供受保護的脈沖寬度調(diào)制?(PWM)?開關(guān)和完整的音頻MOSFET?，旨在為高性能D類音頻放大器產(chǎn)品作出優(yōu)化?！　RS20965具有高側(cè)和低側(cè)獨立浮動脈沖寬度調(diào)制輸入，能夠從外部的脈沖寬度調(diào)制控制器進行死區(qū)時間控制。新I
關(guān)鍵字： IR PWM IRS20965 音頻