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瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

  • 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級(jí)電池的充電控制開(kāi)關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開(kāi)關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的μPA2812T1L。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  MOSFET  μPA2812T1L  

飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開(kāi)關(guān)解決方案的需求
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VP-P  120  電壓    

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  高頻特性  放大器電路  工作原理    

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(五)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
  • 關(guān)鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  集成  

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
  • 關(guān)鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

  • 用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
    隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘９β势骷碾娏黩?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
  • 關(guān)鍵字： 考量  設(shè)計(jì)  MOSFET  功率  

MOSFET高速驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

  • 隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來(lái)的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來(lái)越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問(wèn)題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電容  

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

  • 1. 引言　　散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差，一般說(shuō)來(lái)主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
  • 關(guān)鍵字： 熱模型  MOSFET  PSPICE  

飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo)體  英飛凌科技  MOSFET  

飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。 　　飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。 　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展，旨在為客戶保證供
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  

開(kāi)關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

  • 1引言開(kāi)關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備，然而隨著開(kāi)關(guān)頻率以及開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來(lái)越大，由于市場(chǎng)準(zhǔn)入制度的實(shí)施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  干擾  電磁  MOSFET  電壓  開(kāi)關(guān)電源  

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(三)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個(gè)PIN腳功能(上接第
  • 關(guān)鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  集成  

大功率電源中MOSFET功率計(jì)算

  • 計(jì)算功率耗散　　要確定一個(gè)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括 ...
  • 關(guān)鍵字： 大功率  電源中  MOSFET  功率  

適用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

  • 摘要
    　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和水泵中的小型直流無(wú)刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個(gè)MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路 (HVIC)。通過(guò)使用專門設(shè)計(jì)的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  逆變  模塊  系統(tǒng)  驅(qū)動(dòng)  功率  電機(jī)  適用于  
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