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飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管

  • 　　飛思卡爾半導(dǎo)體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達(dá)應(yīng)用的50V LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品的神秘面紗。這一產(chǎn)品線非常適合于各種高功率RF應(yīng)用，包括空中交通管理和長(zhǎng)射程氣象雷達(dá)。? 　　RF產(chǎn)品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅(qū)動(dòng)。當(dāng)頻率在1200 － 1400 MHz之間時(shí)， MRF6V14300H生成330 W的RF脈沖輸出功率；與競(jìng)爭(zhēng)性雙極場(chǎng)效晶體管（FET）器件相比，它重新設(shè)立了該功率和頻率級(jí)的新的效率、增益和熱阻標(biāo)準(zhǔn)。? 　　先進(jìn)的RF功率
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恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

  • 　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長(zhǎng)了兩個(gè)百分點(diǎn)，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會(huì)期間進(jìn)行展示。 　　恩智浦R
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英飛凌推出行業(yè)最優(yōu)峰值輸出功率的LDMOS射頻功率晶體管

  • 　　英飛凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）發(fā)布兩款面向無線寬帶應(yīng)用的最新LDMOS射頻功率晶體管，例如在2.5至2.7 GHz頻段上運(yùn)行的WiMAX應(yīng)用。這些產(chǎn)品可提供最高達(dá)170 W的峰值輸出功率，進(jìn)一步壯大了英飛凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX應(yīng)用的射頻功率晶體管產(chǎn)品陣營。這款LDMOS射頻功率晶體管杰出的峰值功率性能可支持設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化其射頻功率放大器的設(shè)計(jì)。 　　 　　英飛凌科技公司副總裁兼射頻功率器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Helmut Volger表示：&ldqu
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飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

  • 飛思卡爾半導(dǎo)體日前在IEEE MTT-S國際微波大會(huì)上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設(shè)備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設(shè)備最高的排放效率和功率增益。 這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場(chǎng)提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設(shè)備相比，它具有明顯的優(yōu)勢(shì)。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等
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ldmos介紹

橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體 LDMOS lateral double-diffused metal-oxide semiconductor 　　LDMOS技術(shù)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術(shù)。 　　與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，L [ 查看詳細(xì) ]

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