恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長(zhǎng)了兩個(gè)百分點(diǎn)，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國(guó)喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)期間進(jìn)行展示。

　　恩智浦RF功率產(chǎn)品線市場(chǎng)部門經(jīng)理Mark Murphy表示：“隨著移動(dòng)電信運(yùn)營(yíng)商開(kāi)始提供基于HSDPA和LTE等技術(shù)的超高速服務(wù)，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的功率需求也已達(dá)到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術(shù)，推出業(yè)界性能最高的LDMOS基站晶體管，其功率增加效率遠(yuǎn)高于目前市場(chǎng)上的任何產(chǎn)品。” 

　　第七代LDMOS的性能創(chuàng)下新的紀(jì)錄，達(dá)到3.8GHz，且輸出電容減少25%，可實(shí)現(xiàn)寬頻輸出匹配，從而設(shè)計(jì)出更加簡(jiǎn)單、性能更好的Doherty放大器。Doherty已經(jīng)成為新型基站發(fā)射器的首選放大器架構(gòu)，幫助無(wú)線網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商提高效率并降低成本。

　　ABI Research射頻（RF）元件與系統(tǒng)研究總監(jiān)Lance Wilson表示：“隨著數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型服務(wù)逐漸成為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的更重要的組成部分，一流的RF功率放大器性能就成為必需。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)，憑借其在功率密度和熱性能方面取得的重大進(jìn)步，理當(dāng)成為公司進(jìn)入相關(guān)應(yīng)用頂級(jí)設(shè)備市場(chǎng)時(shí)的重要資產(chǎn)。”

　　供貨

　　恩智浦的第七代LDMOS新型基站晶體管將于2008年6月15至20號(hào)在MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)的第523號(hào)展位進(jìn)行展示。BLC7G22L（S）-130的工程樣片將于2008年第三季度問(wèn)世?；诙髦瞧值谄叽鶯DMOS技術(shù)的其他產(chǎn)品將于2009年推出。