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微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  •   量子計算機如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地,IBM、谷歌都涉獵其中。   現(xiàn)在,微軟也要在量子計算領域發(fā)揮能量了。   半導體技術公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達成合作,雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng),為未來的量子計算機服務。   Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱,與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率,并且降低功耗。   同時,高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行,從而確保整個存儲系統(tǒng)在
  • 關鍵字: 微軟  DRAM  

第一季PC DRAM合約價格上漲約三成

  •   集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看,由于去年第四季嚴重供不應求,多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定,使得第一季合約價再度上漲超過三成,亦帶動其他內存類別同步上揚,如服務器內存在第一季的價格上揚也相當可觀,移動式內存價格也有近一成的漲幅。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察,原廠產(chǎn)能增加的效應最快在
  • 關鍵字: DRAM  

麥格理分析師:DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

  •   據(jù)外媒報道,存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。   他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲,有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。   據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導,Daniel Kim發(fā)布報告說:「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。   整體來說,Daniel Kim認為芯片價格上漲,即暴露看空論點的瑕疵。   他指出,建構數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
  • 關鍵字: DRAM  Flash  

傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導體大廠

  •   全球硅晶圓缺貨嚴重,已成為半導體廠營運成長瓶頸,后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火,半導體業(yè)者透露,日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單,優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠,不僅加重NOR Flash短缺情況,日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠,恐讓大陸半導體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。   硅晶圓已成為半導體產(chǎn)業(yè)的關鍵物資,過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài),如今硅晶圓卻面臨缺貨,且已缺到影響半導體廠生產(chǎn)線運作,尤其是12吋規(guī)
  • 關鍵字: 晶圓  DRAM  

一文看懂3D Xpoint! 它估將在未來引爆內存市場革命

  • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術逐漸出現(xiàn),傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走,直到 2025 年,這個技術都是安然無憂的。 因此,NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術取代。
  • 關鍵字: 內存  DRAM  

高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉跌

  •   據(jù)外電報道,高盛判斷,DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫, 2018年價格也許會轉跌,決定調降內存大廠美光評等。   巴倫周刊8日報導,高盛的Mark Delaney報告表示,過去四個季度以來,DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗顯示,DRAM榮景通常持續(xù)四到九季,此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點,比以往更高。   Delaney強調,和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn),DRAM現(xiàn)貨價的成長動能放緩,價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴重;產(chǎn)業(yè)人士表示,NAND價
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

后PC時代 移動型DRAM成市場主力

  •   三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢,本季營收可望超越英特爾而榮登半導體產(chǎn)業(yè)王座,證明了后PC時代的到來,隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起,讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領域,也使得三星更加壯大。   三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢,半導體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭,原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機搭載需求倍增,在制程轉換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴充等因素作用下,帶動存儲器報價上漲。   從DRAM角度來看,存儲器原廠中,有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
  • 關鍵字: 英特爾  DRAM  

三星投26億擴展Line 17工廠10nm級DRAM內存產(chǎn)能

  •   三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內存生產(chǎn)。   三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

新興內存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  •   內存是半導體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過,由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢,且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制,因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構,希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。   根據(jù)研究機構Tech Insights估計,包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存,都已陸續(xù)進入小量生產(chǎn)階段。 不
  • 關鍵字: 內存  DRAM  

2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐

  •   2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示,2016年全球半導體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%,而前十大半導體業(yè)者的營收則成長2.3%,優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看,DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產(chǎn)品,成長幅度超過30%;車用半導體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。   IHS預期,由于市場需求強勁,2017年內存市場的營收規(guī)??赏賱?chuàng)新高,車用半導體市場的規(guī)模則有機會成長超過10%。整體來說,2017年半導體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
  • 關鍵字: DRAM  NANDFlash  

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  •   量子計算機如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地,IBM、谷歌都涉獵其中。   現(xiàn)在,微軟也要在量子計算領域發(fā)揮能量了。   半導體技術公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達成合作,雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng),為未來的量子計算機服務。   Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱,與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率,并且降低功耗。   同時,高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行,從而確保整個存儲系統(tǒng)
  • 關鍵字: 微軟  DRAM  

力晶:大陸DRAM做不起來 5G時代存儲器會長缺

  •   力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示,大陸扶植半導體以為撒錢就可以,但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù),必須要有技術在手才行,但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器,包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華,預計進入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩,配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術,未來DRAM是長期缺貨的走勢!   黃崇仁進一步表示,全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入,三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
  • 關鍵字: DRAM  5G  

力晶:大陸DRAM做不起來 5G時代存儲器會長缺

  •   力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示,大陸扶植半導體以為撒錢就可以,但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù),必須要有技術在手才行,但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器,包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華,預計進入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩,配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術,未來DRAM是長期缺貨的走勢!   黃崇仁進一步表示,全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入,三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
  • 關鍵字: DRAM  5G  

三星制定DRAM發(fā)展藍圖 15納米是制程微縮極限

  •   三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè),制定 DRAM 發(fā)展藍圖,擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估,15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限,擔憂三星遭中國業(yè)者追上。   韓媒 etnews 18 日報導,業(yè)界消息稱,三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM,目前正研發(fā) 17 納米 DRAM,預定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時,三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組,目標最快 2020 年量產(chǎn)。相關人士透露,微縮難度高,2020 年量產(chǎn)時間可能延后。   三星從 20 納米制程(28→25&rar
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍圖、15nm是制程微縮極限?

  •   三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè),制定DRAM發(fā)展藍圖,擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估,15納米可能是DRAM制程微縮的極限,擔憂三星遭中國業(yè)者追上。   韓媒etnews 18日報導,業(yè)界消息稱,三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM,目前正研發(fā)17納米DRAM,預定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時,三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組,目標最快2020年量產(chǎn)。相關人士透露,微縮難度高,2020年量產(chǎn)時間可能延后。   三星從20納米制程(28→25→20),轉進10納米制程(18&rarr
  • 關鍵字: 三星  DRAM  
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