韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍圖、15nm是制程微縮極限？

　　三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上。

　　韓媒etnews 18日報導，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標最快2020年量產(chǎn)。相關人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時間可能延后。

　　三星從20納米制程(28→25→20)，轉進10納米制程(18→17)，縮小線寬(Line-width)的速度明顯放緩。三星尚未成立15納米制程以下的研發(fā)團隊，因為由此開始，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯，需要開發(fā)新的材質。

　　三星裝置解決方案部門的半導體實驗室人員Jung Eun-seung說，為了繼續(xù)縮小線寬，必須開發(fā)與當前不同的新材質，并提高制程穩(wěn)定性，以便進入量產(chǎn)。業(yè)界人士估計，15納米或許是制程微縮的極限，未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對手差距，并擔憂中國業(yè)者急起直追，趕上三星。

　　當下三星DRAM主力為20納米制程，今年將逐步增加18納米產(chǎn)出比例，期望明年生產(chǎn)以18納米為主。

　　MoneyDJ新聞4月13日報導，Trendforce指出，從第一季中開始，三星18納米的標準型存儲器產(chǎn)品陸續(xù)進入量產(chǎn)階段，但由于先進制程的設計難度高，在生產(chǎn)的過程中容易與部分筆電的平臺出現(xiàn)相容性相關的問題，導致產(chǎn)線的不良率過高，影響出貨;目前三星半導體正積極解決該異常狀況，但出貨不順的現(xiàn)況使供貨吃緊的態(tài)勢未能舒緩。同時，美光的17納米產(chǎn)品也在第一季中陸續(xù)送交樣品給客戶做測試，目前測試過程并不順利，原先設定在第二季可能量產(chǎn)的目標恐將推遲。

　　SK海力士則因為目前沒有進行制程轉換，成為三大廠當中唯一沒有遭遇供貨不順問題的廠商。吳雅婷指出，三星和美光遭逢的狀況說明制程轉進至20納米以下時，在設計、生產(chǎn)的難度都大幅提升，此外，也說明制程微縮能享有的位元成長越來越少，使得供貨端吃緊的態(tài)勢若要得到舒緩，還需花費更多時間。