首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> lpddr5x dram

手機DRAM將增至8GB!三星供貨、料用于明年S8

  •   行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布,智慧機將進入8GB DRAM年代,該公司已經(jīng)開始生產(chǎn),外界預料將用于明年初問世的Galaxy S8。   韓聯(lián)社報導,三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程,由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示,8GB行動DRAM的到來,可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。   目前智慧機行動DRAM最大為6GB,記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱,新品效能與當前
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

  •   半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù),進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證,目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術(shù),并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。   “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導者而聞名,我
  • 關(guān)鍵字: Kilopass  DRAM  

VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

  •   10月11日,Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù),簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱,該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身,有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。   最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術(shù)   Charlie Cheng指出,DRAM整體市場較為穩(wěn)定,未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮,新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領(lǐng)域。然而當前
  • 關(guān)鍵字: VLT  DRAM  

詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  • DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力,因為它提供了廣泛的性能,用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念,及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
  • 關(guān)鍵字: 存儲器    DRAM    SDRAM  

TrendForce:九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示,隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重,標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下,九月合約價維持強勁上漲走勢,均價已來到14.5美元,月漲幅達7.4%,在全球筆電需求出乎意料大增的情況下,預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成,創(chuàng)下兩年來的新高點。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈,如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元,較上月同期已各上漲19%與15%,顯見市場供不應求
  • 關(guān)鍵字: DRAM  

TrendForce:九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示,隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重,標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下,九月合約價維持強勁上漲走勢,均價已來到14.5美元,月漲幅達7.4%,在全球筆電需求出乎意料大增的情況下,預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成,創(chuàng)下兩年來的新高點。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈,如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元,較上月同期已各上漲19%與15%,顯見市場供不應求
  • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

南亞科未來兩年投資500億元 提升價值凌駕市占率

  •   南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺灣半導體產(chǎn)業(yè)年會(TSIA)表示,南亞科計劃兩年投資500億元,這不是小數(shù)目的投資,其目的在于提升芯片價值,而非拉升全球市占率,未來新存儲器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意,且臺灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。   再者,南亞科召開重大訊息指出,為導入20納米制程技術(shù),從2016年2月至9月29日為止,向臺塑網(wǎng)科購置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設備,總價款約3.43億元。整體來看,南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程,預計花430億~450億元進行相關(guān)設備擴
  • 關(guān)鍵字: 南亞科  DRAM  

DRAM價格漲勢延續(xù) 存儲器廠模組廠運營同步走高

  •   DRAM現(xiàn)貨價漲不停,主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達2.1美元,攀上七個多月來高點,本季來大漲逾24%,第4季報價持續(xù)看漲一成,南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進補。   業(yè)界透露,在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下,DRAM漲勢延續(xù),9月以來已連續(xù)三周上漲,漲勢明確,伴隨追價買盤進場,漲勢加大。   根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價,DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價來到2.1美元,單日漲幅1.6%,合計本周以來二個交易日
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

三星主導調(diào)漲報價策略 DRAM廠商有望重掌號令

  •   三星主導調(diào)漲DRAM報價策略奏效,全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報價連四天緩步上揚,主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關(guān),也是近2個月來漲勢最明確的半導體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等,可望重掌多頭反攻號令。   存儲器渠道商表示,三星和SK海力士近期主導價格漲勢態(tài)度積極,除8月調(diào)漲DRAM報價,第4季合約價也再漲一成,連同第3季合約價調(diào)漲15%,等于下半年漲幅約25%。   2大韓系DRAM大廠的市占逾八成,主導DRAM漲價策略奏效
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?

  •   明年下半年DRAM供給可能會供不應求,韓媒指出,存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。   BusinessKorea 12日報道,半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預料將年增19.3%,不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,從當前的105萬組、2017年降至103萬組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%,2017年成長率可能減至10%,加劇供給不足問題。   據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
  • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?

  •   明年下半年DRAM供給可能會供不應求,韓媒指出,存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。   BusinessKorea 12日報道,半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預料將年增19.3%,不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,從當前的105萬組、2017年降至103萬組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%,2017年成長率可能減至10%,加劇供給不足問題。   據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
  • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

SK海力士業(yè)務重整 DRAM、NAND等目標并進

  • 南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運,事業(yè)群自行加強競爭力,而SK海力士
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND   

2012年全球存儲器模組廠營收排名

  • 全球市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查,該年度全球模組市場總銷售金額為
  • 關(guān)鍵字: 記憶體儲存  金士頓  DRAM   

IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

  • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應商的最新動態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

DRAM晶片價格居高不下 智能手機需求旺

  • 近來DRAM 價格晶片大宗訂單的價格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應給日益成長的智慧手機市場,令人擔心個人電腦(PC)未來的供應。預料
  • 關(guān)鍵字: DRAM  晶片  智能手機   
共1839條 34/123 |‹ « 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 » ›|

lpddr5x dram介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473