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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> lpddr5x dram

爾必達(dá)宣布開(kāi)始銷(xiāo)售DDR3 DRAM樣品芯片

  • 　　日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開(kāi)始銷(xiāo)售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過(guò)TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
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DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 　　
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爾必達(dá)開(kāi)發(fā)出全球最薄的DRAM

  • 　　日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。 　　超薄DRAM將有助于減少智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。 　　
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Rambus指責(zé)海力士美光非法共謀

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商Rambus在周一加利福尼亞州開(kāi)審的反壟斷訴訟案中指出，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商海力士和美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商美光科技曾使用了“非法的陰謀”，欲將Rambus趕出計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)。Rambus在此訴訟案中，針對(duì)海力士和美光科技侵犯公司DRAM存儲(chǔ)芯片的行為，提出了高達(dá)129億美元的索賠要求。Rambus表示，依據(jù)加利福尼亞 州的相關(guān)法律，該公司43億美元的損害賠償將自動(dòng)增加兩倍，達(dá)到129億美元。截至目前，海力士與美光科技對(duì)此報(bào)道未置可否。　
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DRAM產(chǎn)業(yè)：美日聯(lián)合抗三星

  • 　　DRAM價(jià)格持續(xù)處于跌價(jià)泥淖，不只臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)轉(zhuǎn)型、退出，國(guó)際大廠也在尋求長(zhǎng)遠(yuǎn)生存之道，近日傳出爾必達(dá)(Elpida)、美光 (Micron)、南亞科高層接觸頻繁，為未來(lái)可能的合作暖身，其中華亞科成為這次整并的中心點(diǎn)，因此也傳出爾必達(dá)對(duì)華亞科的股權(quán)有興趣，為此和美光、臺(tái)塑接洽;業(yè)界認(rèn)為DRAM產(chǎn)業(yè)未來(lái)在技術(shù)、資金等門(mén)檻越來(lái)越高下，若要有效對(duì)抗三星電子(Samsung Electronics)，美日結(jié)盟勢(shì)為必走之路。 　　
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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)整合之路迫在眉睫

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)走過(guò)2008年底的全球金融風(fēng)暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠都把產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做其它產(chǎn)品，如Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，PC DRAM仍是面臨持續(xù)崩跌局面，因此集成的議題持續(xù)被討論;金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)即表示，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)不集成只有死路一條;某臺(tái)廠 DRAM廠高層即表示，整并最恰當(dāng)?shù)姆绞绞?家母廠(美光、爾必達(dá))先自行整并，臺(tái)灣DRAM廠自然會(huì)集成?！?/li>
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Mobile RAM防線恐失守

  • 　　行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠最佳避風(fēng)港，然在各家存儲(chǔ)器大廠一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現(xiàn)供過(guò)于求警訊，日廠爾必達(dá)(Elpida)傳出原本爆滿的Mobile RAM產(chǎn)能將轉(zhuǎn)回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛(wèi)戰(zhàn)，DRAM廠12寸廠產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計(jì)算機(jī)崛起讓每臺(tái)系統(tǒng)DRAM
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爾必達(dá)2Gbit LPDDR2產(chǎn)品使用HKMG技術(shù)

  • 　　日本爾必達(dá)公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術(shù)的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級(jí)別DRAM芯片產(chǎn)品。HKMG技術(shù)即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(shù)(縮寫(xiě)為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術(shù)的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能?！?/li>
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DRAM廠搶進(jìn)行動(dòng)式存儲(chǔ)器

  • 　　根據(jù)集邦科技統(tǒng)計(jì)，隨著今年平板計(jì)算機(jī)與智能型手機(jī)的興起，PC出貨量已不若往年呈現(xiàn)高度成長(zhǎng)，隨著后PC時(shí)代來(lái)臨，各DRAM廠也紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式存儲(chǔ)器市場(chǎng)，不過(guò)，在產(chǎn)出量將于下半年大增，加上平板計(jì)算機(jī)出貨數(shù)字下修的影響，集邦預(yù)警，下半年行動(dòng)式存儲(chǔ)器的價(jià)格走勢(shì)恐增添隱憂?！　?/li>
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臺(tái)灣爾必達(dá)高層異動(dòng)　大舉整頓在臺(tái)PC DRAM代理策略

  • 　　日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)臺(tái)灣人事和營(yíng)運(yùn)布局大地震，總經(jīng)理謝俊雄6月初閃電退休，職缺暫由全球業(yè)務(wù)副總張士昌兼任，同時(shí)爾必達(dá)也著手整頓臺(tái)灣PC DRAM通路代理，由過(guò)去2~3家代理商的策略，收回由力晶關(guān)系人近期秘密成立的新通路商智勝統(tǒng)籌，另外也傳出爾必達(dá)將小幅入股智勝，象征與力晶之間的合作關(guān)系緊密;存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，力晶年初宣布棄品牌投注爾必達(dá)代工麾下，對(duì)雙方營(yíng)運(yùn)層面的改變才正要開(kāi)始而已。 　　2年前臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)雖然沒(méi)有集成成功，但顯然地，爾必達(dá)已默默搜刮臺(tái)灣12寸晶圓產(chǎn)能，從茂德合作伙伴
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晶圓代工決勝18寸廠

  • 　　從技術(shù)投資與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的觀點(diǎn)來(lái)看，半導(dǎo)體業(yè)者從12寸廠拓展至18寸廠，以提升產(chǎn)能規(guī)模，已是不可避免的發(fā)展趨勢(shì)。然而，18寸廠的建置正面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)，因此未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)者在18寸晶圓廠的布局結(jié)果，將進(jìn)一步影響半導(dǎo)體市場(chǎng)版圖。 　　
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臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  • 　　存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng)，2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)，面對(duì)臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示，認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺(tái)灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計(jì)畫(huà)性地將各方力量做結(jié)合，才能讓臺(tái)灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場(chǎng)波動(dòng)沖擊。　
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

南韓媒體稱(chēng)海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換不順

  • 　　據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競(jìng)爭(zhēng)中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會(huì)更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，并動(dòng)搖海力士數(shù)年來(lái)維持的競(jìng)爭(zhēng)力。對(duì)此說(shuō)法，海力士反駁道，目前皆依照計(jì)劃日程順利進(jìn)行轉(zhuǎn)換中。　
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  

今年DRAM市場(chǎng)將維持雙位數(shù)成長(zhǎng)

  • 　　IHS iSuppli(IHS-US)最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%，今年全球的DRAM模塊市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長(zhǎng)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  

iSuppli報(bào)告稱(chēng)今年DRAM市場(chǎng)將維持雙位數(shù)成長(zhǎng)

  • 　　IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM) 整體出貨量彈升 10.8%，今年全球的 DRAM 模塊市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長(zhǎng)。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  
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lpddr5x dram介紹

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