- DRAM報價面臨二次崩盤危機，過去曾被提及但最后鎩羽的臺日DRAM產(chǎn)業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺面!日本外電指出，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄將于2011年初訪臺，洽談在臺灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺廠連同爾必達(dá)進(jìn)行4合1大整并的細(xì)節(jié)，若能整并成功，“新爾必達(dá)”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺廠表示，未聽聞此事。
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爾必達(dá) DRAM
- 據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價格繼續(xù)下降，跌勢不止，經(jīng)過幾個月的大幅下滑，價格已降到年內(nèi)最低水平。
12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價格為21.50美元，遠(yuǎn)低于6月時的38.80美元。
圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價格，包括1GB和2GB兩種密度。
與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
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DRAM 30納
- 美系內(nèi)存大廠美光(Micron)預(yù)測2011會計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價將持續(xù)走跌，其中DRAM價格會下跌約25%，而NANDFlash價格會下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術(shù)微縮，以期能持續(xù)降低生產(chǎn)成本，因應(yīng)需求不如預(yù)期的市況。
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美光 DRAM
- 美國計算機記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季(迄12月2日)財報，由于供智能型手機使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個人計算機記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續(xù)第5個季度出現(xiàn)獲利。
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美光 DRAM
- 2010年12月下旬DRAM的合約價格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%，平均售價跌破20美元，低價來到17美元價格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價格較當(dāng)時的價格已下跌超過50%，市場預(yù)期供過于求的情況至少還會再持續(xù)1季，因為2011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大，預(yù)計要到2011年4月之后，等個人計算機(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料，DRAM價格才有機會落底止跌。
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爾必達(dá) DRAM
- 據(jù)市場研究公司iSuppli表示，今年全球半導(dǎo)體市場將較上年同期低迷的水平實現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預(yù)計，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或為3,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。
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半導(dǎo)體 DRAM
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
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三星電子 DRAM
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產(chǎn)計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長率(Bit Growth)將增加50%。
三星電子201
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三星電子 DRAM
- 據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強了在第三方DRAM模組市場中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強大的購買力擴大了市場份額。
2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場，后者同期增長26%。
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金士頓 DRAM
- 據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品，10月時已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上，完成產(chǎn)品測試。
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三星 DRAM
- Rambus雖說是專利官司大戶，但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。
此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛，從久遠(yuǎn)的SDR內(nèi)存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協(xié)議為期五年，爾必達(dá)將向Rambus總共支付1.8億美元的授權(quán)費，首次付賬4700萬美元。
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爾必達(dá) DRAM
- 全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱，營運獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示，公司計劃提高大陸廠制程技術(shù)，以生產(chǎn)高階晶片。
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海力士 DRAM
- 按VLSI市場調(diào)研公司的最新報告，今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一，由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價格下降。
同時，該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測，為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為2486億美元，以及2012年再增長7.9%。VLSI之前曾預(yù)測2011年半導(dǎo)體增長8%。
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半導(dǎo)體 DRAM
- 11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%，讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%，1Gb DDR3報價摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%，其實只是以補跌來反應(yīng)品牌顆粒的價格;然此跌價情況若再延續(xù)，不排除各家DRAM廠會有擴大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。
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力晶 DRAM
- 全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報價達(dá)到頂峰，但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺，加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出，使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境，時至11月，上、下旬合約價連番重挫，且上旬跌幅高達(dá)12~13%，較上旬不到10%合約價持續(xù)擴大。
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力晶 DRAM
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