mlc 文章 進入mlc技術(shù)社區(qū)
NAND閃存價格波動 破壞SSD市場普及性
- 周一消息 研究機構(gòu)iSuppli指出,NAND閃存價格大幅波動的現(xiàn)象,大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預(yù)期。 iSuppli專研行動和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示,近期NAND閃存價格上漲,對閃存供貨商來說來說是好事,但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價格上漲,SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。 多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存,其平均價格大幅上漲12
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 MLC
Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤
- 近來謠言越來越厲,市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存,不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時間不久,其成本高,容量有限,有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出,固態(tài)硬盤的價格將大大降低,容量也將達到320GB左右。 固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell,多層單元)和SLC(Single Layer Cell,單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字: 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
NAND閃存的下一個熱點:性能
- 利用50-40nm的工藝制程節(jié)點,NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元(MLC)技術(shù)。盡管位元密度強勁增長,但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長,公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能,使其比特更高和性能更快,以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降,高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
- 關(guān)鍵字: NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC
英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品
- 據(jù)國外媒體報道,本周四美光科技宣布,它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。 美光稱,與SLC(單層單元)閃存組件相比,新的MLC 閃存組件體積更小,能量效益更高,能夠更理想的使用在目前的計算和消費電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB,而SLC閃存組件的密度僅4GB。 英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示,我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水
- 關(guān)鍵字: MLC 閃存 消費電子 英特爾 消費電子
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