Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

　　近來(lái)謠言越來(lái)越厲，市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來(lái)2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過(guò)時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時(shí)間不久，其成本高，容量有限，有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價(jià)格將大大降低，容量也將達(dá)到320GB左右。

　　固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC的特點(diǎn)是容量大成本低，但相應(yīng)速度也較低;SLC的特點(diǎn)是成本高容量小，但是速度更快。受益于先進(jìn)的34納米制程，英特爾MLC固態(tài)硬盤的容量將會(huì)獲得巨大突破，有望從目前的160GB提升到320GB。SLC固態(tài)硬盤的進(jìn)度相對(duì)要慢一些，預(yù)計(jì)英特爾SLC固態(tài)硬盤還得等到2010年才能達(dá)到320GB容量。