mobile dram 文章進(jìn)入mobile dram技術(shù)社區(qū)

DRAM售價(jià)下降英飛凌Q1將虧損1.477億美元

歐洲芯片廠商英飛凌表示，DRAM內(nèi)存平均銷(xiāo)售價(jià)格的下降影響了該公司2006財(cái)年第一季度的財(cái)報(bào)結(jié)果。據(jù)reed-electronics.com網(wǎng)站報(bào)道，英飛凌截止到去年12月份的2006財(cái)年第一季度的銷(xiāo)售收入是大約20億美元（16.7億歐元），利息和稅項(xiàng)之前的利潤(rùn)為虧損1.477億美元（1.22億歐元）。英飛凌的凈虧損為2.216億美元（1
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瑞薩發(fā)布WMA/DRM解碼中間件 SH-Mobile

¾有助于實(shí)現(xiàn)版權(quán)保護(hù)的Windows Media Audio文件應(yīng)用開(kāi)發(fā)的解決方案¾ 瑞薩科技公司近日宣布，推出支持微軟公司數(shù)字版權(quán)管理技術(shù) “Windows Media® DRM 10*1 for Portable Devices*2” 的 “WMA/DRM解碼中間件”，它是一種用于使用SH-Mobile*3應(yīng)用處理器的移動(dòng)電話的應(yīng)用開(kāi)發(fā)軟件。新的WMA/DR
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ST推出內(nèi)置DRAM存儲(chǔ)器的微控制器

意法半導(dǎo)體（ST）日前公布了一款針對(duì)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備開(kāi)發(fā)的多用途微控制器的細(xì)節(jié)。這個(gè)代號(hào)為"GreenFIELD"、產(chǎn)品編號(hào)為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內(nèi)存、eFPGA（嵌入式現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列）模塊以及各種模擬和數(shù)字外設(shè)。GreenFIELD-STW21000是ST無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統(tǒng)芯片產(chǎn)品。　　GreenFI
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日立取得Hitachi Mobile攻車(chē)用電子

日立公司日前宣布，將通過(guò)換股方式將其控股的“Hitachi Mobile”公司轉(zhuǎn)為全資子公司，后者主要鎖定汽車(chē)電子、通訊產(chǎn)品等市場(chǎng)。Hitachi Mobile成立于1950年，目前日立公司持有其64.8%股份。據(jù)悉，Hitachi Mobile的股東明年初將開(kāi)會(huì)表決收購(gòu)事宜。　　根據(jù)換股協(xié)議，日立公司和未來(lái)的全資子公司將合并其車(chē)用電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和工程服務(wù)業(yè)務(wù)。日立希望透過(guò)整合能夠更快速地因應(yīng)市
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端接DDR DRAM的電源電路

DDR（雙數(shù)據(jù)速率）DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)中。存儲(chǔ)器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時(shí)，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供終端電壓，并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個(gè)降壓控制器和2個(gè)線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
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6月份全球DRAM出貨量增長(zhǎng)了4% 達(dá)5.54億件

　　來(lái)自市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)，6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內(nèi)存)增長(zhǎng)了4%，達(dá)到了5.54億件，其中DDR內(nèi)存的比例從5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例為30%。　　DRAMeXchange預(yù)測(cè)，隨著DDR內(nèi)存出貨量的削減，其供應(yīng)緊缺狀況貫穿整個(gè)第三季度，而DDR2內(nèi)存市場(chǎng)，就出貨量而言，Powerchip半導(dǎo)體公司和ProMOS 科技公司在我國(guó)臺(tái)灣廠商中處于領(lǐng)先地位。該研究機(jī)構(gòu)還預(yù)測(cè)
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DRAM齊備庫(kù)存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚

　　國(guó)際DRAM廠供應(yīng)貨源不足因應(yīng)旺季需求 OEM廠轉(zhuǎn)向臺(tái)廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)。由于OEM計(jì)算機(jī)大廠擔(dān)心進(jìn)入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后，目前庫(kù)存貨源可能不敷使用，近期紛紛開(kāi)始增加對(duì)DRAM廠下單，惟國(guó)際DRAM廠已陸續(xù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品，因此供貨情況未能滿足國(guó)際OEM計(jì)算機(jī)廠需求，為此，OEM計(jì)算機(jī)廠也轉(zhuǎn)向臺(tái)灣DRAM廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)，且以過(guò)去主力供應(yīng)現(xiàn)貨市場(chǎng)的DRAM廠為主，據(jù)傳訂單數(shù)量相當(dāng)驚人。　　TRI觀點(diǎn)：以產(chǎn)業(yè)鏈各廠商的動(dòng)態(tài)來(lái)觀察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下：　　
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臺(tái)灣DRAM廠商第二季財(cái)報(bào)多數(shù)將會(huì)出現(xiàn)赤字

DRAM廠商第2季財(cái)報(bào)恐多出現(xiàn)赤字，早盤(pán)股價(jià)紛紛拉回修正，盤(pán)中力晶、南科、茂德跌幅均超過(guò)1%以上，茂硅一度跌停。據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，DRAM 價(jià)格第 2 季處于低檔，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會(huì)計(jì)盈轉(zhuǎn)虧，稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)硬　出貨報(bào)價(jià)決不妥協(xié)

　　進(jìn)入第二季底，多數(shù)DRAM廠原本為應(yīng)對(duì)季底作帳而壓低DRAM報(bào)價(jià)，不過(guò)，由于日前合約價(jià)公布后竟逆勢(shì)上漲1～3%，讓所有DRAM廠吃下定心丸，不再擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨價(jià)恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價(jià)壓力。DRAM渠道商指出，現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說(shuō)是相當(dāng)強(qiáng)硬，客戶端若無(wú)法接受其報(bào)出價(jià)位，寧可不賣(mài)也不愿壓低報(bào)價(jià)。　　全球DRAM最新合約價(jià)公布后，盡管無(wú)法達(dá)到DRAM廠原本希望上調(diào)到3～5%的幅度，但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調(diào)1～3%的事實(shí)，而DRAM廠之所以能順勢(shì)漲價(jià)，最重要因素在于目
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DDRII需求過(guò)于樂(lè)觀　導(dǎo)致DDR供應(yīng)出現(xiàn)缺口

5月26日消息，近幾個(gè)月以來(lái)，全球DRAM大廠為配合英特爾（Intel）及國(guó)際計(jì)算機(jī)大廠全力推動(dòng)DDRII成為下一世代的計(jì)算機(jī)主流架構(gòu)，紛紛加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至DDRII，因而造成DDR產(chǎn)出量迅速下滑。也由于計(jì)算機(jī)大廠對(duì)于DDRII做出“過(guò)于樂(lè)觀”的錯(cuò)誤判斷，反而需回頭向中國(guó)臺(tái)灣DRAM廠采買(mǎi)更多的DDR顆粒以因應(yīng)市場(chǎng)需求。　　DRAM廠指出，過(guò)去幾個(gè)月以來(lái)，戴爾（Dell）、惠普（HP）等個(gè)人計(jì)算機(jī)（PC）大廠，對(duì)于推升DDRII成為市場(chǎng)主流的態(tài)度越來(lái)越積
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臺(tái)灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動(dòng)近期趨頻繁

近來(lái)臺(tái)灣DRAM晶圓廠人事異動(dòng)頻繁，包括華邦電（2344）原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國(guó)，以及力晶（5346）原創(chuàng)始元老曾邦助，都相繼轉(zhuǎn)換跑道，為其他DRAM業(yè)者效力，加上華邦電近半年來(lái)亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動(dòng)率偏高情況，DRAM業(yè)界多認(rèn)為，盡管人員流動(dòng)不至于影響DRAM廠既有運(yùn)作，但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。　華邦電發(fā)言人溫萬(wàn)壽19日表示，王其國(guó)原任華邦電BG2（Business Group 2）事業(yè)群總經(jīng)
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半導(dǎo)體分析師認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌將減緩

根據(jù)彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團(tuán)旗下半導(dǎo)體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團(tuán)科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評(píng)等調(diào)高，理由是認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌的狀態(tài)將開(kāi)始減緩。據(jù)了解，花旗將Infineon和南亞科技的評(píng)等由“持有”調(diào)高至“買(mǎi)進(jìn)”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣(mài)出”調(diào)高至“持有”，韓國(guó)三星電子評(píng)等維持不變?cè)凇俺钟小?。分析師指出，價(jià)格可能在下個(gè)月或其后一個(gè)約觸底，而全球
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300mm線建設(shè)今年掀高潮

2005年3月A版盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷(xiāo)售值勢(shì)比上年大幅下降，但銷(xiāo)量將繼續(xù)快速增長(zhǎng)。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線，比2003和2004年所建線加在一起還多。 2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線，其回報(bào)在2001年經(jīng)濟(jì)衰退中受到嚴(yán)重打擊，可執(zhí)著堅(jiān)持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場(chǎng)再創(chuàng)新高時(shí)獲得豐厚回報(bào)。
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

　　英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學(xué)會(huì)　2004年12月13～15日于美國(guó)舊金山舉行）國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來(lái)DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù)，此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎(chǔ)。目前全球25％的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報(bào)告中，英飛凌闡述了全部集成計(jì)劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破，顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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