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未來幾年P(guān)C中的DRAM含量增長速度將會放慢
- 據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲報告,個人電腦(PC)中的DRAM含量增長速度將出現(xiàn)歷史性的下降,2012年以后每臺新PC中的DRAM含量的平均年度增長速度將不會超過35%,低于最近25年48%的平均水平。
- 關(guān)鍵字: DRAM 操作系統(tǒng)
DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速
- 最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極,但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
- 關(guān)鍵字: Inotera DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。 雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極,但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
- 關(guān)鍵字: DRAM 50納米
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