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晶圓代工決勝18寸廠

  • 　　從技術(shù)投資與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的觀點(diǎn)來(lái)看，半導(dǎo)體業(yè)者從12寸廠拓展至18寸廠，以提升產(chǎn)能規(guī)模，已是不可避免的發(fā)展趨勢(shì)。然而，18寸廠的建置正面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)，因此未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)者在18寸晶圓廠的布局結(jié)果，將進(jìn)一步影響半導(dǎo)體市場(chǎng)版圖。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓代工  

臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  • 　　存儲(chǔ)器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲(chǔ)器景氣波動(dòng)，2010年全球獨(dú)立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān)，NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)，面對(duì)臺(tái)灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當(dāng)下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀(jì)川表示，認(rèn)同孫大衛(wèi)認(rèn)為臺(tái)灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計(jì)畫(huà)性地將各方力量做結(jié)合，才能讓臺(tái)灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟(jì)、市場(chǎng)波動(dòng)沖擊?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

南韓媒體稱海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換不順

  • 　　據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競(jìng)爭(zhēng)中，一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida)，可能會(huì)更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè)，并動(dòng)搖海力士數(shù)年來(lái)維持的競(jìng)爭(zhēng)力。對(duì)此說(shuō)法，海力士反駁道，目前皆依照計(jì)劃日程順利進(jìn)行轉(zhuǎn)換中?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  

今年DRAM市場(chǎng)將維持雙位數(shù)成長(zhǎng)

  • 　　IHS iSuppli(IHS-US)最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%，今年全球的DRAM模塊市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長(zhǎng)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  

iSuppli報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持雙位數(shù)成長(zhǎng)

  • 　　IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM) 整體出貨量彈升 10.8%，今年全球的 DRAM 模塊市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長(zhǎng)。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

應(yīng)對(duì)智能手機(jī)和平板電腦需求，更多形式的移動(dòng)DRAM浮現(xiàn)

  • 據(jù)IHSiSuppli公司的研究，目前形式的移動(dòng)DRAM可能不足以滿足智能手機(jī)和平板電腦的需求，因其在處理各種應(yīng)用時(shí)...
  • 關(guān)鍵字： DRAM  LLPDDR2  低功耗DDR2  

NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線

  • 　　全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營(yíng)收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月?tīng)I(yíng)收低點(diǎn)的警戒線。不過(guò)，以毛利率角度來(lái)看，由于NANDFlash價(jià)格并沒(méi)有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

韓DRAM微細(xì)制程比重高

  • 　　據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì)，維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國(guó)企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫(xiě)下不錯(cuò)成績(jī)，其它DRAM業(yè)者因轉(zhuǎn)換制程時(shí)機(jī)較晚，第1季營(yíng)收多不理想。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  

爾必達(dá)“高明投資”方式應(yīng)對(duì)DRAM需求增長(zhǎng)

  • 　　日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器正致力于通過(guò)小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達(dá)到50%/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30%的設(shè)備投資額(800億日元)來(lái)應(yīng)對(duì)。從40nm開(kāi)始采用的嵌入式字線(Word Line)工藝技術(shù)是確保上述計(jì)劃得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。 　　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)賣(mài)廠以爭(zhēng)取時(shí)間

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)景氣到底復(fù)蘇沒(méi)?同樣一個(gè)問(wèn)題問(wèn)上游芯片制造商和下游模組廠，可能會(huì)得到兩極化的答案，再看看國(guó)際大廠財(cái)報(bào)，對(duì)比一下臺(tái)灣DRAM廠財(cái)報(bào)，可能也會(huì)一頭霧水;現(xiàn)在DRAM價(jià)格比起2010年第4季水準(zhǔn)，或許大幅改善，但臺(tái)系DRAM廠前債太多，成了繼續(xù)往前走最大的陰影和阻礙，退出品牌、賣(mài)廠止血都是被逼到絕路的招數(shù)，但手上牌快出完，賽局卻越來(lái)越不利，茂德的困境便是臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)的縮影。
  • 關(guān)鍵字： 渝德科技  DRAM  

茂德計(jì)劃出售重慶8英寸芯片工廠

  • 　　臺(tái)系DRAM廠茂德由于資金窘迫，17日董事會(huì)通過(guò)處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技，全力將手上資源用來(lái)保住僅存的中科12寸晶圓廠命脈;茂德指出，規(guī)劃將出售范圍是渝德科技、8寸晶圓廠，至于建筑物和土地仍是屬于重慶市政府，處分后至少暫時(shí)不需再認(rèn)列渝德廠虧損，對(duì)于手上財(cái)務(wù)資金應(yīng)用可較寬裕。 　
  • 關(guān)鍵字： 茂德  芯片  DRAM  

茂德結(jié)束在陸投資

  • 　　DRAM 廠茂德科技日前公告，為集中資源在臺(tái)灣母公司，董事會(huì)決議處分中國(guó)子公司重慶渝德科技股份，將暫時(shí)結(jié)束在大陸的投資。茂德是政府開(kāi)放8吋晶圓廠赴大陸投資的3家公司之一，截至目前，除臺(tái)積電已順利在大陸量產(chǎn)運(yùn)作外，力晶、茂德的西進(jìn)路均不如預(yù)期順利。 　　
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  

三星成DRAM合約價(jià)增長(zhǎng)推手

  • 　　DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GBDDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計(jì)問(wèn)題，導(dǎo)致合約市場(chǎng)持續(xù)供給吃緊。不過(guò)，現(xiàn)貨市場(chǎng)需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%，是過(guò)去相當(dāng)少見(jiàn)差距?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

分析DRAM漲價(jià)成功原因

  • 　　DRAM合約價(jià)再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價(jià)格拉升至19美元，成為這次拉升合約價(jià)主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計(jì)問(wèn)題，導(dǎo)致合約市場(chǎng)持續(xù)供給吃緊。不過(guò)，現(xiàn)貨市場(chǎng)需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%，是過(guò)去相當(dāng)少見(jiàn)差距?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

創(chuàng)見(jiàn)：臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問(wèn)題與景氣無(wú)關(guān)

  • 　　創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)看好下半年DRAM和NAND Flash市場(chǎng)景氣都不錯(cuò)，對(duì)存儲(chǔ)器模塊廠而言，是風(fēng)險(xiǎn)不大的一年，但談到臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景，他感慨表示，DRAM產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題的關(guān)鍵不是在于景氣波動(dòng)，而是臺(tái)灣沒(méi)有自有DRAM技術(shù)，但現(xiàn)在專(zhuān)利都被國(guó)際大廠把持，一切都為時(shí)已晚。 　
  • 關(guān)鍵字： 創(chuàng)見(jiàn)  DRAM  
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