爾必達“高明投資”方式應(yīng)對DRAM需求增長
日本爾必達存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計2011財年(2011年4月~2012年3月)的DRAM需求增幅將達到50%/年,但卻打算以較上財年減少30%的設(shè)備投資額(800億日元)來應(yīng)對。從40nm開始采用的嵌入式字線(Word Line)工藝技術(shù)是確保上述計劃得以實現(xiàn)的關(guān)鍵。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/119714.htm嵌入式字線技術(shù)的特點是,無需大量使用實現(xiàn)微細化所必需的ArF液浸曝光裝置等。而且,2011財年將全面導(dǎo)入的30nm和部分導(dǎo)入的25nm將與40nm具有較高的工藝共通性。由此,只需少量設(shè)備投資額便可推進微細化進程。對此,爾必達在發(fā)布2011財年第四季度(2011年1月~3月)的結(jié)算時表示,“微細化至30nm和25nm所需要的設(shè)備投資額,僅為微細化至采用嵌入式字線技術(shù)之前的70nm的1/7”,“將臺灣瑞晶電子的量產(chǎn)線(300mm晶圓的處理能力超過8萬枚/月)從30nm全部換成25nm,需要耗費250億日元左右”,“如果新建一條相同規(guī)模的量產(chǎn)線,需要花費2500億日元左右”。
這樣做的話,在晶圓處理能力為1萬枚/月的條件下,針對30nm和25nm的微細化投資可以大幅壓縮至30億日元左右,而新設(shè)生產(chǎn)線則需要約300億日元,微細化至70nm需要200多億日元。另外,關(guān)于20nm以后的微細化,爾必達計劃采用三維構(gòu)造,制成4F2(F為設(shè)計規(guī)則)單元的工藝技術(shù)。此時工藝技術(shù)會發(fā)生較大變化,存在更新生產(chǎn)設(shè)備、需要大量設(shè)備投資的可能性。關(guān)于這一點,爾必達表示“我們將動腦筋盡可能控制設(shè)備投資額”。
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