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超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
關(guān)鍵字： III-V族 MOSFET

超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
關(guān)鍵字：矽晶 MOSFET

EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場興起機(jī)遇

　　功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。　　增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406

Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎?！　　峨娮赢a(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應(yīng)用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設(shè)備中顯著提高效率
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美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。　　美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計，從201
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開關(guān)電源技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r分析

　　開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。　　根據(jù)中國電源學(xué)會收集整理的數(shù)據(jù)，2008年全國開關(guān)電源(主要包含消費類開關(guān)電源、工業(yè)類開關(guān)電源、通信電源、PC電源，下同)產(chǎn)值達(dá)到855億元，2009年達(dá)931億元，
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一款基于AN8026的變頻器電源設(shè)計方案

1.前言變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大，電動機(jī)驅(qū)動是電能消耗大戶，約消耗全國65%發(fā)電量，近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用，其他家用電器例如變頻冰箱，變頻洗衣機(jī)、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn)，因此設(shè)計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。變頻技術(shù)目前得到了廣泛的應(yīng)用，而變頻器的可靠穩(wěn)定運行決定了變頻器性能指標(biāo)，作為基礎(chǔ)硬件，變頻器電源的高效可靠運行至關(guān)重要。如圖1所示為變頻器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，主要由整流單元、預(yù)充電電路、制動單元和逆變單元組成，從圖中可知，變頻器電源
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用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計的幾種方法

隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計。為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機(jī)，當(dāng)腳從剎車踏板移動
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IR擴(kuò)充StrongIRFET系列

　　　國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動器、鋰離子電池組保護(hù)及開關(guān)模式電源二次側(cè)同步整流等?！　∪?0V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
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Allegro MicroSystems推出新型雙同步低降壓穩(wěn)壓器

　　Allegro?MicroSystems,?LLC?公司宣布推出針對多輸出系統(tǒng)的新型雙轉(zhuǎn)換器。Allegro’經(jīng)?AEC-Q100?標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的?A8651?是雙?2?A?低?VIN?同步穩(wěn)壓器，帶可調(diào)頻率，整合了高端?P?通道?MOSFET?和低端?N?通道?MOSFET。A8651?整合電流模式控制，可
關(guān)鍵字： Allegro 雙轉(zhuǎn)換器 MOSFET

工程師該如何選擇電源？

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：供電處理器凌力爾特 MOSFET 均流控制器二極管

基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關(guān)電源的方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET TVS串聯(lián) 三相開關(guān)電源 ICE3AR2280JZ

同步正向 MOSFET 驅(qū)動器無需信號變壓器

??　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅(qū)動器?LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨特的預(yù)測模式，通過在副邊檢測信號以控制同步整流，無需信號變壓器實現(xiàn)原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數(shù)量和解決方案尺寸?！　T8311?在?3.7V?至?30V
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Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm?x?2mm?！　?/li>
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德州儀器面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計推出40V至100V NexFET? MOSFET

　　德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET，其支持?40V?至?100V?輸入電壓，進(jìn)一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產(chǎn)品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
關(guān)鍵字： TI TO-220 MOSFET NexFET