- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP,將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。
- 關鍵字:
Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP
- 針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中,開關型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當?shù)?200 W),并且常常會把電
- 關鍵字:
IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動器
- 在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下,加之出口回升,預計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。
據(jù)IHS公司的中國研究專題報告,今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預計為22.5億美元,比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。
明年增長將更加強勁,預計營業(yè)收入上升11%,隨后每年將保持穩(wěn)定增長,至少保持到2017年。到2017年,預
- 關鍵字:
消費電子 MOSFET
- 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
- 關鍵字:
MOSFET 功率器件
- 摘要:在分析了功率MOSFET其結構特性的基礎上,討論驅(qū)動電路的設計,從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能,提高設計的可靠性。
關鍵詞:MOSFET;急聚點;損耗
功率MOSFET具有開關速度快,導通電阻小等優(yōu)點,因此在開關
- 關鍵字:
MOSFET 急聚點 損耗
- L為PCB走線電感,根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm,考慮其他走線因素,取L=Length+10(nH),其中Length單位取mm。Rg...
- 關鍵字:
MOSFET 驅(qū)動電阻
- 在電源設計小貼士#42中,我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器,并且了解到利用小型SOT-23...
- 關鍵字:
MOSFET 驅(qū)動器
- 要點1.導通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關器件的選擇,硅遠未到...
- 關鍵字:
晶圓減薄 MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線,功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性,比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能,定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性,減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。
- 關鍵字:
Vishay MOSFET DrMOS
- 摘要: 先進的單元結構和壽命控制技術已同時增強了功率MOSFET的導通電阻和反向恢復性能。 本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性,另外還介紹了其性能和效率。
- 關鍵字:
MOSFET 鎮(zhèn)流器 FRFET 201302
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動IC。新產(chǎn)品具有全面保護和診斷功能,為繼電器更換和電池開關應用提供更高的可靠性。
- 關鍵字:
IR 驅(qū)動IC AUIR3200S MOSFET
- TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比,TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG,QGD)數(shù)值都有所減小,降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去,降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設計,同時實現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
- 關鍵字:
TrenchFET MOSFET DC/DC
- MOSFET結構及工作原理,金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
- 關鍵字:
mosfet 場效應管
- PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個主要的組成部分:用于實施系統(tǒng)管理任務和控制算法的控制器,以及AC至DC轉(zhuǎn)換電路??刂破鞯奶匦匀Q于PV系統(tǒng)的類型和結構以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細地分析每個組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
- 關鍵字:
PV系統(tǒng) 逆變器 MOSFET 光伏逆變器
- 隨著LED用于室內(nèi)照明解決方案日漸盛行,成本結構已成為關鍵因素。簡單的反激式轉(zhuǎn)換器是實現(xiàn)低成本LED照明的最佳解決方案之一。然而,LED照明的開關電源仍要求高功率因數(shù)及高系統(tǒng)效率。為應對這一挑戰(zhàn),采用最新的功率器件至關重要。本文將介紹用作LED照明解決方案的全新集成控制器和高性能高壓超級結MOSFET。
- 關鍵字:
LED MOSFET DCM
mosfet-90n10介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet-90n10!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mosfet-90n10的理解,并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473