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二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測量

  • 中心議題： 二極管的泄漏電流的測量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測量解決方案： 采用源-測量單元測量二極管的泄漏電流 采用兩臺SMU來測量MOSFET的亞閥區(qū)電流
    測試半導體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量
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Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

  • 　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。 　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案

UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應用設計

  • UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應用設計,1　引言

    　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮，為驅(qū)動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
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智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能的設計方案

  • 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護功能以增強電源的可靠性?！　CD
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科銳推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實現(xiàn)更高的能源效率。
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飛兆半導體鋰離子電池組保護設計解決方案

  • 便攜產(chǎn)品的設計人員通常在設計的每個階段都會面對減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中，這是一個特別重要的問題。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆半導體  MOSFET  FDMB2307NZ  

Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設計要求，如智能手機及平板計算機等。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  DMP1245UFCL  

功率因數(shù)校正器(PFC)在電源應用中的重要作用

  • 傳統(tǒng)的離線開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器會產(chǎn)生帶高諧波含量的非正弦輸入電流。這會給電源線、斷路開關(guān)和電力設施帶來...
  • 關(guān)鍵字： PFC  MOSFET  PWM  

為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

  • 中心議題： 同步整流基礎(chǔ)知識 優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案： 確定優(yōu)化MOSFET的負載電流 借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET
    1. 引言

    電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標準越來越嚴格，
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  最優(yōu)化  選擇  整流  同步  

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(二)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能 (上接第
  • 關(guān)鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

快速二極管MOSFET在三相逆變器拓撲中的應用

  • 高效率和節(jié)能是家電應用中首要的問題。三相無刷直流電機因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應用在家電設...
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  MOSFET  逆變器  

MOSFET驅(qū)動電路設計及應用

  • 下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應用電路?！≡谑褂肕OS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動  電路設計    

Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨家供應商。
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AOS推出適用便攜式應用的功率MOSFET

  • 　　日前，集設計，開發(fā)和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。 　　新的產(chǎn)品上應用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機及便攜式音樂播放器。 　　AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
  • 關(guān)鍵字： AOS  MOSFET  
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