Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作
—— 該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散
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Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130ºC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/127720.htm這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET可簡易替換高可靠性的信號以及負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，用于包括數(shù)碼相機(jī)、平板電腦和智能手機(jī)在內(nèi)的高便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品。
Diodes公司首次推出的這對MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道組件。在VGS為1.8V的情況下，該N通道MOSFET的典型導(dǎo)通電阻為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，有助于大幅減少傳導(dǎo)損耗和功率耗散。
Diodes之后還會(huì)推出采用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的組件和一系列雙極型器件。
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