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英特爾筆記本專用SSD硬盤30天內上市

　　英特爾NAND產品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅動器(SSD)的產品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅動器適用于移動與臺式機客戶端、企業(yè)級服務器、存儲設備和工作站。這一系列產品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅動器產品線，是基于固態(tài)閃存的數據存儲設備，用于存儲計算機中的數據，可模擬并替代某些計算機中的硬盤驅動器。　　與傳統(tǒng)的硬盤驅動器(HDD)和目前市場上的固態(tài)驅動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應能力和計算機開/關啟動時間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
關鍵字：英特爾 NAND 固態(tài) 驅動器 SSD HDD

NAND閃存市場價格一路下滑降幅超10%

　　來自閃存制造業(yè)界的消息稱，預計在八月份晚期，當前閃存芯片市場上的主流產品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價格將雙雙下滑10%. 　　NAND閃存芯片多用于當前的消費類產品上，包括蘋果的iPhone手機、iPod音樂播放器以及數碼相機等產品上。盡管每年第三季度為消費類產品的傳統(tǒng)銷售旺季，但今年卻無法止住NAND閃存芯片價格下滑步伐。　　三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度，由于NAND閃存價格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
關鍵字：閃存 NAND 芯片三星

NAND閃存的下一個熱點：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數字內容需要的增長，公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
關鍵字： NAND 柵極感應 DDR MLC MLC

三星上半年閃存產品銷量居全球第一

　　新華網首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產品的暢銷，第二季度該類產品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關鍵字：三星閃存 NAND DRAM

三星上半年閃存產品銷量居全球第一

　　新華網首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產品的暢銷，第二季度該類產品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關鍵字：三星半導體 DRAM NAND

東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

　　東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產品應用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產。隨著帶有控制器功能的存儲器需求不斷擴大，東芝已經采取行動使其在這個不斷擴大的市場上占領領先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
關鍵字：東芝 NAND 閃存嵌入式

TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產品計劃于九月份開始銷售。　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元（SLC）和多級單元（MLC） NAND 閃存，實現了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC）和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應用領域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
關鍵字： TDK NAND 閃存控制器 LSI

Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術

　　據國外媒體報道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領域的共同開發(fā)項目。　　據國外媒體報道，根據協(xié)議內容，兩家公司將合作擴大NAND產品線，推出新產品和實現技術創(chuàng)新，從而應對未來五年NAND技術所面臨的挑戰(zhàn)。　　根據協(xié)議內容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術項目，聯(lián)合提供領先的NAND存儲技術和產品，并進行資源整合以促
關鍵字： NAND 閃存 Hynix 意法半導體 Numonyx

微控制器發(fā)展、過去和將來

　　對于選擇微控制器進行設計的系統(tǒng)設計師來說，可獲得的大量的不同型號的MCU會讓選型工作變得復雜。SiliconLabs已經發(fā)布了工作電壓低至0.9V的一款8位MCU，德州儀器有許多款針對16位MSP430的低功耗應用，英飛凌和飛思卡爾有針對汽車應用的多款MCU方案，而Atmel的AVR單片機和Microchip的PIC系列單片機一直在推陳出新，新的32位ARM核Cortex-M3處理器已經發(fā)布，古老的8位8051核還是在不同微控制器中占領主流地位，而市場老大瑞薩可以針對多種應用領域提供方案。　
關鍵字：微控制器 MCU 低功耗 SoC flash

單片機的FLASH引導裝載系統(tǒng)設計

　　前言　　DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統(tǒng)的性能直接關系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了T
關鍵字： DSP 存儲接口 FLASH

恒憶與海力士擴大合作共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產品

　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產品線并共同研發(fā)未來產品，進行技術創(chuàng)新。　　根據新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領先的NAND存儲器技術和產品，并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域，雙方也將進行合作。　　恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
關鍵字： NAND 恒憶海力士閃存

微控制器的市場前景及發(fā)展趨勢

　　微控制器廣泛應用于各種小型電器，隨著技術的發(fā)展，其不但價格低廉，而且功能越來越強大。由于家用電器、手持式消費電子產品、手持式通信裝置和車用電子等領域的市場推動，微控制器的使用量越來越大而且表現出了更新?lián)Q代的趨勢。預計在未來的市場中，低階應用將會以8位微控制器為主，而高階應用將會由32位微控制器稱霸。當然，也有可能沖出一個比32位微控制器更強大的產品，如果能夠控制成本，則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運。不過就目前的情形來看，32位微控制器將在市場中活躍一陣子。其市場占有率將會逐漸上升，到2010年
關鍵字：微控制器半導體微處理器 NAND

P89C51RD2的可定制人機交互界面設計

　　引言　　隨著社會需要和科學技術的發(fā)展，產品的競爭愈來愈激烈，更新的周期愈來愈短，因而要求設計者能很快地設計出新產品；而在產品的整體設計中，人機交互界面的設計往往占據著很大一部分工作，這樣，不但極大地增加了產品的開發(fā)成本而且延長了產品的上市周期。本文論述的基于P89C51RD2的人機交互界面是一種界面可定制、結構緊湊、價格低廉、簡單易用、性能優(yōu)良的通用型人機交互界面，能很好地解決上述問題。　　1 系統(tǒng)工作原理　　1.1 工作原理　　按照實際應用中控制系統(tǒng)的需要及控制系統(tǒng)與人機交互界面的
關鍵字：單片機人機交互界面 LCD Flash

蘋果大量訂購NAND芯片：三星預警缺貨

　　據我國臺灣省的一家媒體報道稱，三星對其客戶發(fā)出預警，因蘋果大量訂購NAND閃存芯片，預計這類芯片將在一段時間內缺貨。　　當地時間本周三，《電子時報》報道稱，三星在對其客戶發(fā)出的預警中表示，蘋果最近向三星訂購了5000萬顆8Gb的NAND閃存芯片，計劃用于3G版iPhone上；想必大家都聽說此事了。因此三星的其它客戶需要等上一段時間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋果的固定供應商之一，兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。　　蘋果這次訂購的NAND閃存芯片總容量相當于5000萬GB(8Gb
關鍵字：三星 NAND 閃存蘋果

Flash外部配置器件在SOPC中的應用

　　1 Flash在SOPC中的作用　　Flash在SOPC中的作用主要表現在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進行配置。另一方面，可用Flash來保存用戶程序。對于較為復雜的SOPC系統(tǒng)，用戶程序一般較大，用EPCS來存儲是不現實的。系統(tǒng)完成配置后，將Flash中的用戶程序轉移到外接RAM或片內配置生成的RAM中，然后系統(tǒng)開始運行。　　2 Flash編程的實現　
關鍵字： FPGA SOPC Flash RAM NiosII

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]