nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

JTAG口及其對(duì)F1aSh的在線(xiàn)編程

本文介紹一種通過(guò)JTAG對(duì)Flash進(jìn)行的在線(xiàn)編程方法。
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適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來(lái)越多地在控制類(lèi)、消費(fèi)類(lèi)、通訊類(lèi)等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，并且隨著數(shù)字信號(hào)處理與人機(jī)交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大，數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜，在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與管理是不容回避的問(wèn)題。FLASH存儲(chǔ)器因制造成本低廉、存儲(chǔ)容量大、數(shù)據(jù)非易失、無(wú)機(jī)械故障，在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲(chǔ)器件。然而Flash存儲(chǔ)器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，應(yīng)用中可能會(huì)出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元，這又給應(yīng)用Flash存儲(chǔ)器的嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理增
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Flash 編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)

1 引言閃速存儲(chǔ)器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線(xiàn)更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲(chǔ)器（ROM）使用。現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題。Flash由于容量大、存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件的首選。由于在研制實(shí)時(shí)信號(hào)處理系統(tǒng)時(shí)，需要一塊大容量的Flash來(lái)存儲(chǔ)坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此
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外掛Flash的引導(dǎo)裝載設(shè)計(jì)

本文所敘述的引導(dǎo)方法在四通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中得到了有效的驗(yàn)證，并且整個(gè)過(guò)程操作起來(lái)非常方便快捷。
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言 FLASH（閃速存儲(chǔ)器）作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM（Non-Volatile Memory），根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
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分頁(yè)燒寫(xiě)Flash的多頁(yè)程序并行自舉方法

以TMS320VC5410為例，介紹對(duì)Am29LV200B Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序分頁(yè)燒寫(xiě)以及上電后多頁(yè)用戶(hù)程序并行自舉的方法。
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Micron35億美金押寶NAND閃存

美國(guó)半導(dǎo)體廠(chǎng)商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。　　產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢(shì)地位。　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營(yíng)業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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SanDisk擬降NAND價(jià)格將再引業(yè)界地震

據(jù)臺(tái)灣SanDisk公司內(nèi)部人士透露，公司將在本周將其N(xiāo)AND閃存的價(jià)格降低10％到15％。　　知情人士稱(chēng)，SanDisk公司此次對(duì)其N(xiāo)AND閃存制成品的價(jià)格調(diào)整將在全球范圍內(nèi)同時(shí)展開(kāi)，而不是針對(duì)某一地區(qū)市場(chǎng)進(jìn)行。這將是SanDisk公司在今年進(jìn)行的第四次產(chǎn)品降價(jià)，業(yè)內(nèi)觀(guān)察員指出，每次SanDisk公司對(duì)產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整都會(huì)對(duì)整個(gè)業(yè)界的價(jià)格體系造成一定影響。　　業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，Sandisk公司即將進(jìn)行的產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整可能會(huì)在業(yè)內(nèi)
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大容量串行e-Flash的FPGA配置方案

為配合某電力測(cè)量?jī)x表的開(kāi)發(fā)，對(duì)Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進(jìn)行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲(chǔ)器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動(dòng)串行模式下完成對(duì)XC2S30 的在線(xiàn)配置。該方案具有接口簡(jiǎn)單、成本低廉、便于移植的優(yōu)點(diǎn)。
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ST NAND閃存數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)造世界記錄

單片多級(jí)單元NAND閃存內(nèi)嵌功能強(qiáng)大的5位糾錯(cuò)機(jī)制降低下傳時(shí)間50% 意法半導(dǎo)體公布了數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細(xì)節(jié)，ST新閃存芯片的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)36MB/s, 比今天市場(chǎng)上的最好成績(jī)還高大約50%。新芯片內(nèi)嵌一個(gè)功能強(qiáng)大的糾錯(cuò)處理器，每頁(yè)可以改正最多五個(gè)錯(cuò)誤，為高度可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸提供了保證，同時(shí)還簡(jiǎn)化了存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，在舊金山國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)(ISSCC) 上，意法半導(dǎo)體和韓國(guó)現(xiàn)代海力士（Hynix）的研究人員
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蘋(píng)果iPod降價(jià)舉動(dòng)波及亞洲NAND制造商

　受蘋(píng)果電腦公司調(diào)降其數(shù)字音樂(lè)播放器價(jià)格影響，三星電子和其它亞洲存儲(chǔ)芯片制造商的股票價(jià)格出現(xiàn)不同程度的下滑。　　很明顯，蘋(píng)果的降價(jià)舉動(dòng)引發(fā)人們擔(dān)心字音樂(lè)播放器里應(yīng)用的芯片價(jià)格可能會(huì)大幅下降。　　在其數(shù)字音樂(lè)播放器里采用NAND芯片的蘋(píng)果公司周二調(diào)降了其最廉價(jià)機(jī)型iPod Shuffle的價(jià)格，并推出了中端iPod Nano的一個(gè)容量較小的版本。　　據(jù)分析家稱(chēng)，受淡季需求降低影響，NAND芯片價(jià)格最近急劇回落，蘋(píng)果的舉動(dòng)反應(yīng)了這一趨勢(shì)，同時(shí)也加劇了投資者對(duì)芯片制造商的
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三星與索尼就長(zhǎng)期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

三星電子近日證實(shí)，正在就供應(yīng)NAND閃存問(wèn)題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判，但是目前還沒(méi)有確定任何細(xì)節(jié)?！?nbsp; 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱(chēng)雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋(píng)果電腦11月與三星簽署了五億美元的長(zhǎng)期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
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NAND新應(yīng)用層出不窮價(jià)格不斷降低

隨著NAND閃存成本每年下跌40%，對(duì)NAND的新應(yīng)用尤其是計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用層出不窮。今年晚些時(shí)候，將有帶閃存的硬盤(pán)與微軟的新操作系統(tǒng)Vista同時(shí)出售。 “理論上，硬盤(pán)不必一直運(yùn)行，”三星（歐洲）公司高級(jí)存儲(chǔ)器部門(mén)經(jīng)理
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DDR2價(jià)格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠(chǎng)商面臨過(guò)低的DRAM價(jià)格不愿放貨，導(dǎo)致帶動(dòng)UTT(未經(jīng)完整測(cè)試)產(chǎn)品的價(jià)格反彈。適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場(chǎng)上買(mǎi)家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫(kù)存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠(chǎng)也不愿意在年底前買(mǎi)貨增加庫(kù)存，使得上周現(xiàn)貨市場(chǎng)方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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