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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù)

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實時數(shù)字信號處理而設(shè)計的數(shù)字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點，非常適合應(yīng)用于嵌入式實時系統(tǒng)。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
關(guān)鍵字： MBM29LV800BA 接口技術(shù) 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器

Flash越來越受到支持

　　根據(jù)Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉(zhuǎn)他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機平臺支援這項技術(shù)。　　
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基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計

1引言火災(zāi)樓層顯示器作為火災(zāi)自動報警系統(tǒng)的重要組成部分，是一種安裝在樓層或獨立防火區(qū)中的數(shù)字式火...
關(guān)鍵字：火災(zāi)報警 CAN總線樓層顯示器 FLASH 漢字液晶

NAND Flash存儲器管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲器管理算法映射物理地址

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
關(guān)鍵字：芯片設(shè)計控制 flash SD NAND 用于

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
關(guān)鍵字：設(shè)計管理 Flash NAND

NAND Flash管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
關(guān)鍵字：設(shè)計實現(xiàn) 算法管理 Flash NAND

MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

　　因應(yīng)MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。　　
關(guān)鍵字： MCU Flash

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計,1 引言

FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計存儲嵌入式 FLASH 基于

TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導(dǎo)功能的實現(xiàn)

關(guān)鍵字：引導(dǎo) FLASH ROM 中斷向量表內(nèi)存自引導(dǎo)

分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
關(guān)鍵字：南科 DRAM Flash

NAND Flash跌價深　上游大廠開始對模塊廠讓步

　　NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。　　近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
關(guān)鍵字：三星電子 NAND Flash

分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。　　
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NAND Flash市況兩極　靜待8月底補貨潮

　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。　　近期大陸因為亞運因素，
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]