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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

　　據(jù)了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
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TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點數(shù)字信號處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
關(guān)鍵字：技術(shù) 在線 Flash 片內(nèi) TMS320F2812

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 分析系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計

摘要：先對ONFI標準進行了介紹，然后再設(shè)計了一種支持ONFI2．1標準源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機的設(shè)計，接口的設(shè)計等。對設(shè)計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進行了說明，并提出了一種解決方
關(guān)鍵字： Flash 控制器設(shè)計 NAND 模式 ONFI 同步支持

海力士看好存儲器價格反彈

　　韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會擔心日后供給吃緊造成漲價問題。　　
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DSP芯片（TMS320C6711D）的Flash存儲器

在嵌入式系統(tǒng)中，為了實現(xiàn)程序的脫機自動運行，程序往往固化在電可擦除的Flash存儲器中。要實現(xiàn)一個嵌入式系統(tǒng)...
關(guān)鍵字： DSP TMS320C6711D Flash

TMS320F2812芯片開發(fā)中Flash代碼性能的研究

TMS320F2812是目前性能非常優(yōu)秀的32位定點DSP，集成了多種外設(shè)。對TMS320F2812開發(fā)通常利用TI公司的CCS2集成...
關(guān)鍵字： TMS320F2812 Flash

用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA配置

摘要：FPGA可以通過串行接口進行配置。本文對傳統(tǒng)的配置方法進行了研究，并從更新配置文件的方法入手，提出了利用處理機通過網(wǎng)絡(luò)更新的方法，給出了一個用CPLD和Flash對FPGA進行配置的應(yīng)用實例。
關(guān)鍵詞：現(xiàn)場可編程
關(guān)鍵字： Flash CPLD FPGA

英特爾與美光科技關(guān)系緊張

　　隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大，英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。　　這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫-阿普爾頓(Steven Appleton)指責英特爾沒有為升級新加坡的這個工廠提供必要的資金。　
關(guān)鍵字：美光 Flash

傳英特爾、美光科技的合資企業(yè)將解體

　　12月31日消息，據(jù)國外媒體報道，隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大，英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。　　這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對IM Flash新加坡公司做出的貢獻的爭議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫·阿普爾頓(Steven Appleton)指責英特爾沒有為升級新加坡的這個工廠提供必要的資金。　
關(guān)鍵字：美光科技 Flash

英飛凌推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)

　　英飛凌科技股份公司近日在法國巴黎“智能卡暨身份識別技術(shù)工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全IC的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù)，英飛凌成為全球首家可將靈活可靠的閃存與出類拔萃的非接觸式性能有機結(jié)合的安全產(chǎn)品供應(yīng)商。
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串行Flash存儲器的編程解決方案

串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介紹一種通過51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運行
關(guān)鍵字：解決方案編程存儲器 Flash 串行

基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實現(xiàn)片外FLASH擦寫

基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言

在DSP系統(tǒng)的設(shè)計中，經(jīng)常要使用片外存儲器擴充系統(tǒng)存儲空間。特別是當DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分數(shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫等存儲到片外的存儲器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
關(guān)鍵字：方式實現(xiàn) FLASH 擦寫映射地址 DSP 嵌入式系統(tǒng) 通過

基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計

基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計,Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
關(guān)鍵字：心電監(jiān)控應(yīng)用設(shè)計 FPGA 混合 Flash 構(gòu)架模數(shù) 基于

Flash單片機自編程技術(shù)

Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲器進行擦除/編程，但是，要求運行程序代碼的存儲區(qū)與待編程的存儲區(qū)不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
關(guān)鍵字：技術(shù) 編程單片機 Flash

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]