nor-cell 文章進(jìn)入nor-cell技術(shù)社區(qū)

2021全球NOR Flash市場(chǎng)：兆易創(chuàng)新銷售額暴增100%，份額升至23.2%

6月21日消息，半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布的最新研究報(bào)告指出，2021年NOR Flash市場(chǎng)銷售額雖然僅占整個(gè)Flash市場(chǎng)的銷售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長(zhǎng)了33%，同時(shí)平均售價(jià)也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷售額同比暴漲了63%，達(dá)到了29億元。根據(jù)IC Insights的預(yù)測(cè)， 2022年NOR Flash市場(chǎng)還將繼續(xù)增長(zhǎng) 21%，使得總銷售金額達(dá)到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠直接受益。數(shù)據(jù)顯示，華邦電子、旺宏
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國(guó)際巨頭把控全球存儲(chǔ)市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)如何破局

根據(jù)斷電之后數(shù)據(jù)是否依舊被保存對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行劃分，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩大類。我們熟知的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）屬于易失性存儲(chǔ)器，其中RAM又可分為DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。而ROM（只讀存儲(chǔ)器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲(chǔ)器，即斷電之后存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)仍然能被保存的存儲(chǔ)設(shè)備。據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2022年、2023年全球存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1804億和2196億美元，市場(chǎng)成長(zhǎng)空間廣闊。但在全球的存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，市
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汽車缺芯帶來(lái)確定性上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)兆易創(chuàng)新活力

作為國(guó)內(nèi) MCU 產(chǎn)商的領(lǐng)先公司，兆易創(chuàng)新將直接受益于 MCU 國(guó)產(chǎn)化，強(qiáng)化其領(lǐng)先地位，擴(kuò)寬其成長(zhǎng)潛力。全球汽車缺芯帶來(lái)公司估值的上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)全新的創(chuàng)新方向，國(guó)產(chǎn)化擴(kuò)寬公司的成長(zhǎng)潛力。1. 確定性與創(chuàng)新性是公司估值擴(kuò)張最有力的保障半導(dǎo)體行業(yè)庫(kù)存結(jié)構(gòu)性緊張帶來(lái)確定性的估值上漲。半導(dǎo)體存貨緊張引起供應(yīng)不足，帶來(lái)市場(chǎng)的高景氣。汽車電子市場(chǎng)需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈沖擊的持續(xù)與消費(fèi)電子等芯片市場(chǎng)產(chǎn)能擠壓共同影響，汽車芯片產(chǎn)能釋放不及時(shí)，存貨市場(chǎng)將帶來(lái)公司估值確定性擴(kuò)張。圍繞最具活力的創(chuàng)新性方向擴(kuò)張其估值。創(chuàng)新
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E Ink推全球首個(gè)On-Cell電子紙模塊：電子書彩色大幅提升

5月25日，E Ink元太科技于今日宣布推出全球首個(gè)On-cell觸控電子紙模塊，該技術(shù)已投入量產(chǎn)。
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第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案

日本計(jì)劃在東京奧運(yùn)會(huì)上展示無(wú)人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來(lái)汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂(lè)影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無(wú)人駕駛的目標(biāo)前進(jìn)。而實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車、盲點(diǎn)偵測(cè)以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動(dòng)式安全保護(hù)，以達(dá)到無(wú)人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來(lái)越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
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武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”），一家領(lǐng)先的非易失性存儲(chǔ)供應(yīng)商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
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面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用恒爍半導(dǎo)體50nm NOR Flash芯片正式面世

合肥恒爍半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“恒爍半導(dǎo)體”）正式推出第一款面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的50nm 128Mb 高速低功耗、業(yè)界最小尺寸的 NOR Flash 存儲(chǔ)芯片，此芯片的推出將有效加快萬(wàn)物智能互聯(lián)的進(jìn)程。
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互聯(lián)環(huán)境中的安全存儲(chǔ)器

嵌入式系統(tǒng)越來(lái)越普遍地采用云技術(shù)來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集、事件檢測(cè)和軟件更新。這些遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備普遍通過(guò)固件完成設(shè)置，這些固件有可能存儲(chǔ)在主機(jī)MCU中，也有可能存儲(chǔ)在外置非易失性存儲(chǔ)器的用戶空間中。而這些非易失性存儲(chǔ)器中的內(nèi)容則是惡意攻擊的主要對(duì)象。對(duì)于所有全新開發(fā)的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備來(lái)說(shuō)，采取應(yīng)對(duì)措施防止非易失性存儲(chǔ)器的非授權(quán)修改，已成為一項(xiàng)基本的設(shè)計(jì)要求。圖?1 - 作為節(jié)點(diǎn)的互聯(lián)嵌入式系統(tǒng)本文將對(duì)分立閃存存儲(chǔ)器領(lǐng)域開始涌現(xiàn)的加密和安全基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行介紹，并探討如何將這些新特性用于物聯(lián)網(wǎng)互聯(lián)設(shè)備的安全保障。新一
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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
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賽普拉斯Semper NOR閃存助力東芝加速開發(fā)新一代ADAS

日前，賽普拉斯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司宣布，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已選擇將賽普拉斯Semper NOR閃存用于其面向汽車高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的新一代Visconti?系列產(chǎn)品。Semper系列采用嵌入式處理器架構(gòu)，專為要求最嚴(yán)苛的汽車環(huán)境而開發(fā)，同時(shí)符合高密度要求和功能安全要求。針對(duì)正在努力實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛L2級(jí)功能的主要汽車制造商，東芝專門推出Visconti? ADAS SoC。賽普拉斯Semper NOR閃存系列在功能安全合規(guī)方面處于業(yè)界領(lǐng)先地位，是首款專為達(dá)到ISO26262汽車
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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。“中國(guó)芯”獎(jiǎng)項(xiàng)是目前國(guó)內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報(bào)名，基本涵蓋國(guó)內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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兆易創(chuàng)新SPI NOR Flash全系列產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證

　　中國(guó)北京(2019年3月26日) — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布，其GD25全系列SPI NOR Flash產(chǎn)品已完成AEC-Q100認(rèn)證，是目前唯一的全國(guó)產(chǎn)化車規(guī)閃存產(chǎn)品，為汽車前裝市場(chǎng)以及需要車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的特定應(yīng)用提供高性能和高可靠性的閃存解決方案?！　‰S著自動(dòng)駕駛、車聯(lián)網(wǎng)和新能源汽車的發(fā)展，汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)存儲(chǔ)器的需求與日俱增，成為存儲(chǔ)芯片中重要的新興增長(zhǎng)點(diǎn)和決定市場(chǎng)格局的重要力量。實(shí)現(xiàn)汽車的智能化需要更多的環(huán)境感知，隨著傳感器和更多MC
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使用高速NOR閃存配置FPGA

　　NOR閃存已作為FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門列陣)的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來(lái)的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))等應(yīng)用中得到廣泛采用。汽車場(chǎng)景中攝像頭系統(tǒng)的快速啟動(dòng)時(shí)間要求就是很好的一個(gè)例子——車輛啟動(dòng)后后視圖像在儀表板顯示屏上的顯示速度是最為突出的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)?！　∩想姾螅現(xiàn)PGA立即加載存儲(chǔ)于NOR器件中的配置比特流。傳輸完成后，F(xiàn)PGA轉(zhuǎn)換為活動(dòng)(已配置)狀態(tài)。FPGA包括許多配置接口選項(xiàng)，通常包括并行NOR總線和串行外設(shè)接口(SPI)總線。支持
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中天弘宇：攻克核心設(shè)計(jì)缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過(guò)，因?yàn)橹袊?guó)企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累，完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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美光推出品類齊全的高密度 45 nm 汽車級(jí) NOR 閃存產(chǎn)品組合

　　在 Electronica 2018 展會(huì)上，創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼：MU)今日宣布推出品類齊全的高密度汽車級(jí) AEC-Q100 一級(jí)(+125°C)NOR 閃存產(chǎn)品組合，該下一代超高溫汽車解決方案可實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)和即時(shí)啟動(dòng)，并可直接在芯片內(nèi)執(zhí)行運(yùn)算 (XiP)。該產(chǎn)品組合涵蓋了美光領(lǐng)先的 45nm NOR 閃存解決方案，采用quad- SPI 和 Xccela? 總線接口，密度范圍從 128 兆位(Mb)到 2 千兆位(Gb)不等?！　榱藵M足自動(dòng)
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