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英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開(kāi)關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。　　通過(guò)大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無(wú)論在任何負(fù)載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時(shí)達(dá)到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
關(guān)鍵字：英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。憑借同類(lèi)器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設(shè)計(jì)的導(dǎo)通損耗降低一半。　　對(duì)于應(yīng)用二極管整流的48V開(kāi)關(guān)電源而言，工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當(dāng)前典型的效率水平高出兩個(gè)百分點(diǎn)，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET OptiMOS

　　今日在深圳舉辦的中國(guó)國(guó)際電源展覽會(huì)上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)控制和快速開(kāi)關(guān)D類(lèi)功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。　　OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開(kāi)關(guān)模式電源(譬如面向全球市場(chǎng)的臺(tái)式機(jī)和計(jì)算機(jī)服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS

　　環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類(lèi)生存的難題已經(jīng)使全球有識(shí)之士認(rèn)識(shí)到節(jié)能減排提高能效是未來(lái)科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項(xiàng)長(zhǎng)期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開(kāi)關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個(gè)時(shí)髦詞匯，更是一個(gè)全球挑戰(zhàn)！”如何應(yīng)對(duì)這項(xiàng)挑戰(zhàn)？各個(gè)半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來(lái)動(dòng)作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
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