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錢是英雄膽——DRAM王道

  • 　　戰(zhàn)國(guó)時(shí)代群雄割據(jù)，秦始皇一統(tǒng)天下，成就了后來(lái)的西漢盛世。如今的臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，也面臨群雄割據(jù)與經(jīng)營(yíng)艱辛的困境，到了需要有人出面主導(dǎo)整合再造的時(shí)機(jī)，因此像臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)這種角色的存在，確有其必要性。 　　然而，當(dāng)前DRAM業(yè)若要整合，并非光比誰(shuí)的技術(shù)強(qiáng)，最重要的還是錢，尤其在價(jià)格萎靡不振，各廠都面臨資金龐大壓力時(shí)，「錢是英雄膽」才是王道哲學(xué)。 　　就目前臺(tái)灣兩大DRAM陣營(yíng)來(lái)看，美光有臺(tái)塑集團(tuán)撐腰，爾必達(dá)也將陸續(xù)獲得日方巨額金援，各有其利基之處，兩強(qiáng)之間的爭(zhēng)霸，勢(shì)必還有一番廝殺。TMC出面
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  內(nèi)存  

恒憶與三星合作的生意經(jīng)

  • 　　2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory，PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格，兩大存儲(chǔ)器廠商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒(méi)有永遠(yuǎn)的對(duì)手”。 　　韓國(guó)三星電子稱霸存儲(chǔ)器行業(yè)已有多時(shí)，其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長(zhǎng)期無(wú)可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲(chǔ)器行業(yè)的新寵，其正式成立距今不過(guò)一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM，并利
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  PCM  DRAM  RAM  NOR  

南亞科成臺(tái)灣首家獲營(yíng)運(yùn)資金DRAM廠

  • 　　南亞科努力進(jìn)行營(yíng)運(yùn)轉(zhuǎn)型，如期在6月底之前達(dá)成減資和增資的動(dòng)作。日前辦理10億股的私募，正式以每股私募價(jià)格新臺(tái)幣12.22元的定價(jià)，取得122.2億元的資金，認(rèn)購(gòu)人包括南亞塑料、臺(tái)灣化學(xué)纖維、臺(tái)灣塑料、臺(tái)塑石化、麥寮汽電和長(zhǎng)庚醫(yī)療財(cái)團(tuán)法人，全數(shù)由母公司相關(guān)企業(yè)力挺到底，成為臺(tái)灣第1家獲得營(yíng)運(yùn)資金的DRAM廠，南亞科表示，三廠(Fab3)要盡快轉(zhuǎn)入50奈米的堆疊式技術(shù)制程，降低成本結(jié)構(gòu)。 　　臺(tái)塑集團(tuán)對(duì)外宣示不加入TMC以來(lái)，以實(shí)際行動(dòng)力挺自家DRAM廠進(jìn)行營(yíng)運(yùn)體質(zhì)強(qiáng)化運(yùn)動(dòng)，并挹注新的營(yíng)運(yùn)資金，使得旗下
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力晶稱今年資本支出將遠(yuǎn)低于50億臺(tái)幣 低于原預(yù)估

  • 　　臺(tái)灣DRAM芯片制造大廠——力晶半導(dǎo)體上周五表示，今年資本支出將遠(yuǎn)低于50億臺(tái)幣，較去年10月時(shí)的預(yù)估減少一半以上。 　　力晶副總經(jīng)理譚仲民在年度股東大會(huì)場(chǎng)邊向路透表示，由于制造已升級(jí)至65納米，基本上以現(xiàn)有制程生產(chǎn)即可，因此資本支出也就大幅下降。 　　力晶在去年10月的投資人說(shuō)明會(huì)中曾表示，今年資本支出目標(biāo)為100億臺(tái)幣。力晶自2007年第二季至今年第一季已連虧損八個(gè)季度。
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日本半導(dǎo)體巨頭將獲得政府和民間巨額融資

  • 　　據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》網(wǎng)站最新消息，為了確保日本在最先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，未來(lái)3年內(nèi)，日本政府和民間將總共為半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)(Elpida)提供2000億日元(約合21億美元)融資。 　　報(bào)道說(shuō)，為了幫助爾必達(dá)進(jìn)行企業(yè)重建，除了日本政策投資銀行和大型商業(yè)銀行，國(guó)際協(xié)力銀行也將提供緊急融資。此外，日本官方與民間共同組建的基金——“產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)”也將向其提供資助。 　　爾必達(dá)是日本最大DRAM生產(chǎn)商。報(bào)道說(shuō)，2000億日元的融資將在未來(lái)3年內(nèi)幫助
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iPhone 3GS拆解報(bào)告：博通與東芝贏得訂單

  • 第三代蘋果iPhone的拆機(jī)分析結(jié)果顯示，部分由于采用了博通和東芝的芯片，這款手機(jī)的集成度更高，而且可能成本更低...
  • 關(guān)鍵字： iPhone  3GS  拆解報(bào)告  博通  東芝  DRAM  BCM432  

茂德、TMC、爾必達(dá) 金三角定調(diào)

  • 　　茂德與臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TMC)、爾必達(dá)(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見(jiàn)日，茂德將以中科12寸廠為爾必達(dá)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，從65納米制程技術(shù)開始，值得注意的是，茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束，為此三角關(guān)系埋下伏筆。此外，茂德中科12寸廠亦將作為TMC工程開發(fā)基地，茂德將提供12寸廠機(jī)臺(tái)和人才，作為TMC開發(fā)DRAM技術(shù)平臺(tái)，這亦破除市場(chǎng)質(zhì)疑TMC沒(méi)有廠房、但要做DRAM技術(shù)開發(fā)的疑慮。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露，茂德與海力士2008年底達(dá)成共識(shí)，將技轉(zhuǎn)54納米制程DRAM技術(shù)，但轉(zhuǎn)換至5
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DRAM芯片發(fā)明人登納德將獲IEEE榮譽(yù)勛章

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)科技巨頭IBM的研究人員、DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德(Robert Dennard )將于下周四獲得美國(guó)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)頒發(fā)的榮譽(yù)勛章。 　　   　　DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德 　　與“摩爾定律”(Moore's Law)提出者、英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)相比，今年76歲的登納德并不太為全球公眾所熟悉。但在全球技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域
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韓國(guó)海力士在無(wú)錫成功“擴(kuò)容” 規(guī)模國(guó)內(nèi)最大

  • 　　繼韓國(guó)海力士十二英寸封裝測(cè)試項(xiàng)目落戶無(wú)錫，其在無(wú)錫的銷售中心日前也正式簽約。海力士無(wú)錫工廠新任董事權(quán)五哲日前透露，十二英寸后工序項(xiàng)目明年初將建設(shè)完畢，屆時(shí)，該集團(tuán)將真正實(shí)現(xiàn)在無(wú)錫的一體化生產(chǎn)，成為中國(guó)最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。 　　海力士半導(dǎo)體是世界第二大DRAM制造商，也在全球半導(dǎo)體公司中名列前茅。無(wú)錫工廠是其在海外唯一的生產(chǎn)基地，承擔(dān)了韓國(guó)總部百分之五十的DRAM生產(chǎn)量，占全世界DRAM市場(chǎng)的百分之十。 　　權(quán)五哲稱，金融危機(jī)下，國(guó)際內(nèi)存需求量逆勢(shì)上升，該公司目前內(nèi)存價(jià)格較年初已上漲二倍。明年實(shí)現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  封裝測(cè)試  DDR3  

茂德科技稱正與潛在戰(zhàn)略合作伙伴進(jìn)行談判

  • 　　臺(tái)灣存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商茂德科技董事長(zhǎng)陳民良周二表示，公司正與數(shù)家企業(yè)就開展戰(zhàn)略合作生產(chǎn)芯片事宜進(jìn)行談判。 　　陳民良在年度大會(huì)上向公司股東表示，茂德科技將利用其臺(tái)中的工廠生產(chǎn)DRAM芯片。 　　該公司還將打算利用其新竹的芯片廠生產(chǎn)非主流DRAM產(chǎn)品和非DRAM芯片。 　　由于存儲(chǔ)芯片行業(yè)供應(yīng)過(guò)剩及全球經(jīng)濟(jì)滑坡導(dǎo)致的需求下滑，茂德科技此前八個(gè)季度連續(xù)虧損，導(dǎo)致公司現(xiàn)金緊張，舉步維艱。
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  存儲(chǔ)芯片  

茂德、TMC、爾必達(dá) 金三角定調(diào)

  • 　　茂德與臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TMC)、爾必達(dá)(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見(jiàn)日，茂德將以中科12寸廠為爾必達(dá)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，從65納米制程技術(shù)開始，值得注意的是，茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束，為此三角關(guān)系埋下伏筆。此外，茂德中科12寸廠亦將作為TMC工程開發(fā)基地，茂德將提供12寸廠機(jī)臺(tái)和人才，作為TMC開發(fā)DRAM技術(shù)平臺(tái)，這亦破除市場(chǎng)質(zhì)疑TMC沒(méi)有廠房、但要做DRAM技術(shù)開發(fā)的疑慮。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露，茂德與海力士2008年底達(dá)成共識(shí)，將技轉(zhuǎn)54納米制程DRAM技術(shù)，但轉(zhuǎn)換至5
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德國(guó)總理暗示將對(duì)本國(guó)半導(dǎo)體業(yè)提供資助

  • 　　德國(guó)總理默克爾15日在柏林的一次演講中暗示，政府可能對(duì)本國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)提供財(cái)政資助，以幫助這些企業(yè)更好地與美國(guó)公司競(jìng)爭(zhēng)。 　　默克爾在演講中比較了德國(guó)英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)與美國(guó)英特爾的情況，并認(rèn)為英特爾獲得了美國(guó)政府經(jīng)濟(jì)刺激計(jì)劃的慷慨支持。她表示，對(duì)歐洲僅剩的幾家半導(dǎo)體生產(chǎn)商，政府可能需要對(duì)其提供資助。 　　數(shù)據(jù)顯示，受經(jīng)濟(jì)衰退影響，DRAM價(jià)格過(guò)去一年下跌58%。德國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)深受打擊，奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)于今年1月23日申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。 　　據(jù)悉，由于德國(guó)9月27日將迎來(lái)全國(guó)大選，總理默克爾和其挑戰(zhàn)者副總理兼外
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  DRAM  半導(dǎo)體  

茂德科技稱正與潛在戰(zhàn)略合作伙伴進(jìn)行談判

  • 　　中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商茂德科技董事長(zhǎng)陳民良周二表示，公司正與數(shù)家企業(yè)就開展戰(zhàn)略合作生產(chǎn)芯片事宜進(jìn)行談判。 　　陳民良在年度大會(huì)上向公司股東表示，茂德科技將利用其臺(tái)中的工廠生產(chǎn)DRAM芯片。 　　該公司還將打算利用其新竹的芯片廠生產(chǎn)非主流DRAM產(chǎn)品和非DRAM芯片。 　　由于存儲(chǔ)芯片行業(yè)供應(yīng)過(guò)剩及全球經(jīng)濟(jì)滑坡導(dǎo)致的需求下滑，茂德科技此前八個(gè)季度連續(xù)虧損，導(dǎo)致公司現(xiàn)金緊張，舉步維艱。
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  存儲(chǔ)芯片  

三星DRAM藏伏筆　臺(tái)廠忐忑難安

  • 　　過(guò)去一向扮演DRAM市場(chǎng)領(lǐng)頭羊的三星電子(Samsung Electronics)，在近期這波合約價(jià)上漲過(guò)程中，卻表現(xiàn)異常的沈默，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，三星不僅不愿意跟進(jìn)調(diào)漲，甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價(jià)格上漲超過(guò)1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想讓原本奄奄一息的臺(tái)廠，再度有喘息機(jī)會(huì)，加上DRAM產(chǎn)業(yè)前景仍不明確，終端需求回籠跡象還不明顯，但卻已傳出多家DRAM廠開始低調(diào)增加投片量，希望能趕上2009年下半PC市場(chǎng)傳統(tǒng)旺季，這不僅讓整體DRAM市場(chǎng)彌漫著相當(dāng)詭異氣氛，亦讓臺(tái)DRAM廠對(duì)
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  晶圓  DDR2  

DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門

  • 　　據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相當(dāng)創(chuàng)新，但其實(shí)去年已經(jīng)先由惠普對(duì)外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。 　　根據(jù)《CENT》報(bào)導(dǎo)，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIS
  • 關(guān)鍵字： 惠普  DRAM  內(nèi)存  軟性憶阻器  
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