- 從技術投資與市場競爭力的觀點來看，半導體業(yè)者從12寸廠拓展至18寸廠，以提升產能規(guī)模，已是不可避免的發(fā)展趨勢。然而，18寸廠的建置正面臨嚴峻考驗，因此未來全球半導體業(yè)者在18寸晶圓廠的布局結果，將進一步影響半導體市場版圖。
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DRAM 晶圓代工
- 存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動，2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關，NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場，面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當下，金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀川表示，認同孫大衛(wèi)認為臺灣 DRAM產業(yè)要集成才有活路的策略，唯有計畫性地將各方力量做結合，才能讓臺灣DRAM廠免受全球經濟、市場波動沖擊?！?/li>
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NAND DRAM
- 據(jù)南韓電子新聞報導，全球主要DRAM內存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細制程轉換作業(yè)，然而海力士半導體(Hynix)在轉換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細制程轉換競爭中，一直緊追在海力士之后的爾必達(Elpida)，可能會更快完成制程轉換作業(yè)，并動搖海力士數(shù)年來維持的競爭力。對此說法，海力士反駁道，目前皆依照計劃日程順利進行轉換中?！?/li>
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Hynix DRAM
- IHS iSuppli(IHS-US)最新研究報告指出，受惠于動態(tài)隨機存取內存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%，今年全球的DRAM模塊市場成長仍將持續(xù)增長，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。
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三星電子 DRAM
- IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究報告指出，受惠于動態(tài)隨機存取內存 (DRAM) 整體出貨量彈升 10.8%，今年全球的 DRAM 模塊市場成長仍將持續(xù)增長，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長。
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三星 DRAM
- 據(jù)IHSiSuppli公司的研究，目前形式的移動DRAM可能不足以滿足智能手機和平板電腦的需求，因其在處理各種應用時...
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DRAM LLPDDR2 低功耗DDR2
- 全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期，不僅快閃記憶卡和隨身碟應用需求大幅降溫，甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現(xiàn)砍單情況，記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫，市場五窮六絕跡象顯現(xiàn)，使得記憶體模組廠營收恐再次探底，部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過，以毛利率角度來看，由于NANDFlash價格并沒有出現(xiàn)急跌，因此，模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準之上。
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NAND DRAM
- 據(jù)韓國電子新聞報導，韓國半導體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導權，尤其40納米等級微細制程擴大，使韓國企業(yè)市占率隨之擴大，在2011年第1季寫下不錯成績，其它DRAM業(yè)者因轉換制程時機較晚，第1季營收多不理想。
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三星電子 DRAM
- 日本爾必達存儲器正致力于通過小額設備投資實現(xiàn)大幅增產的“高明投資”方式。該公司預計2011財年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達到50%/年，但卻打算以較上財年減少30%的設備投資額(800億日元)來應對。從40nm開始采用的嵌入式字線(Word Line)工藝技術是確保上述計劃得以實現(xiàn)的關鍵。
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爾必達 DRAM
- DRAM產業(yè)景氣到底復蘇沒?同樣一個問題問上游芯片制造商和下游模組廠，可能會得到兩極化的答案，再看看國際大廠財報，對比一下臺灣DRAM廠財報，可能也會一頭霧水;現(xiàn)在DRAM價格比起2010年第4季水準，或許大幅改善，但臺系DRAM廠前債太多，成了繼續(xù)往前走最大的陰影和阻礙，退出品牌、賣廠止血都是被逼到絕路的招數(shù)，但手上牌快出完，賽局卻越來越不利，茂德的困境便是臺灣DRAM產業(yè)的縮影。
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渝德科技 DRAM
- 臺系DRAM廠茂德由于資金窘迫，17日董事會通過處分100%轉投資的重慶渝德科技，全力將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠命脈;茂德指出，規(guī)劃將出售范圍是渝德科技、8寸晶圓廠，至于建筑物和土地仍是屬于重慶市政府，處分后至少暫時不需再認列渝德廠虧損，對于手上財務資金應用可較寬裕。
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茂德 芯片 DRAM
- DRAM 廠茂德科技日前公告，為集中資源在臺灣母公司，董事會決議處分中國子公司重慶渝德科技股份，將暫時結束在大陸的投資。茂德是政府開放8吋晶圓廠赴大陸投資的3家公司之一，截至目前，除臺積電已順利在大陸量產運作外，力晶、茂德的西進路均不如預期順利。
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茂德 DRAM
- DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GBDDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米制程良率不順和設計問題，導致合約市場持續(xù)供給吃緊。不過，現(xiàn)貨市場需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價格差距幅度逼近15%，是過去相當少見差距?！?/li>
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三星 DRAM
- DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(Elpida)40納米制程良率不順和設計問題，導致合約市場持續(xù)供給吃緊。不過，現(xiàn)貨市場需求卻再降溫，現(xiàn)貨和合約價格差距幅度逼近15%，是過去相當少見差距?！?/li>
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三星 DRAM
- 創(chuàng)見董事長束崇萬看好下半年DRAM和NAND Flash市場景氣都不錯，對存儲器模塊廠而言，是風險不大的一年，但談到臺灣DRAM產業(yè)前景，他感慨表示，DRAM產業(yè)最大問題的關鍵不是在于景氣波動，而是臺灣沒有自有DRAM技術，但現(xiàn)在專利都被國際大廠把持，一切都為時已晚。
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創(chuàng)見 DRAM
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