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2010年DRAM產(chǎn)業(yè)憂多于喜

  •   2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾,年初報(bào)價(jià)大漲至1顆DDR3報(bào)價(jià)達(dá)3美元,但年底卻跌到1美元;但以獲利來看,2010年只有力晶和瑞晶有賺錢,南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢,南亞科和華亞科是因?yàn)橹瞥剔D(zhuǎn)換之故,沒有掌握到年初報(bào)價(jià)上漲的機(jī)會(huì),年底雖然成功轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米,但報(bào)價(jià)已呈現(xiàn)溜滑梯狀態(tài)。   
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瑞晶宣布暫停出貨給力晶

  •   瑞晶31日公告,由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付,因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示,由于DRAM價(jià)格不佳,在財(cái)務(wù)上規(guī)畫保守,目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中;瑞晶則表示,將與力晶協(xié)議針對(duì)保障瑞晶債權(quán)的方案。   
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臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價(jià)

  •   臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢(shì)升值,采取匯市收盤價(jià)力守30元的作法,外界開始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭(zhēng)議,但彭淮南這次直接挑明表示,臺(tái)灣和韓國(guó)在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高,匯率過度升值會(huì)影響出口商的競(jìng)爭(zhēng)力;與韓國(guó)處于高度競(jìng)爭(zhēng)的DRAM廠表示,若新臺(tái)幣升值幅度高于韓元,與三星電子(Samsung Electronics)競(jìng)爭(zhēng)上的確區(qū)居下風(fēng),不過臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)有很大一塊問題是自己的技術(shù)和財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu),匯率是影響競(jìng)爭(zhēng)力因素之一,但絕不是影響臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的最關(guān)鍵因素,主要因素還是在售價(jià)。   
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海力士DRAM制程升級(jí)到30納米級(jí)

  •   海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后,將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布,已開發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品,將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示,計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品,2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。  
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海力士2011年計(jì)劃投資26億美元

  •   據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo),海力士(Hynix)計(jì)劃資本支出3兆韓元(約26億美元),該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)(Seoul Economic Daily)的報(bào)導(dǎo)。   彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出,實(shí)際投資金額可能會(huì)依市場(chǎng)情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出,2010年的投資金額為3.38兆韓元,相較之下,2011年的投資金額可能會(huì)比較小。
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臺(tái)日DRAM是否會(huì)產(chǎn)業(yè)整合?

  •   DRAM報(bào)價(jià)面臨二次崩盤危機(jī),過去曾被提及但最后鎩羽的臺(tái)日DRAM產(chǎn)業(yè)4合1大整并議題,再度被端上臺(tái)面!日本外電指出,爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄將于2011年初訪臺(tái),洽談在臺(tái)灣成立控股公司,將力晶、瑞晶和茂德3家臺(tái)廠連同爾必達(dá)進(jìn)行4合1大整并的細(xì)節(jié),若能整并成功,“新爾必達(dá)”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺(tái)廠表示,未聽聞此事。
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12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑

  •   據(jù)iSuppli公司,12月DRAM價(jià)格繼續(xù)下降,跌勢(shì)不止,經(jīng)過幾個(gè)月的大幅下滑,價(jià)格已降到年內(nèi)最低水平。   12月10日,2GB DDR3 DRAM模組合同價(jià)格為21.00美元,比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價(jià)格下跌,DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價(jià)格為21.50美元,遠(yuǎn)低于6月時(shí)的38.80美元。   圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價(jià)格,包括1GB和2GB兩種密度。   與上一代的DDR2相比,DDR3傳輸速度更快,而且功耗更低。但
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下季DRAM和NAND Flash報(bào)價(jià)看跌

  •   美系內(nèi)存大廠美光(Micron)預(yù)測(cè)2011會(huì)計(jì)年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報(bào)價(jià)將持續(xù)走跌,其中DRAM價(jià)格會(huì)下跌約25%,而NANDFlash價(jià)格會(huì)下跌約10%,美光表示,將致力于制程技術(shù)微縮,以期能持續(xù)降低生產(chǎn)成本,因應(yīng)需求不如預(yù)期的市況。   
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手機(jī)記憶芯片熱銷

  •   美國(guó)計(jì)算機(jī)記憶芯片大廠美光日前公布會(huì)計(jì)年度第1季(迄12月2日)財(cái)報(bào),由于供智能型手機(jī)使用的記憶芯片需求殷切,不但抵銷了個(gè)人計(jì)算機(jī)記憶芯片需求下滑的沖擊,更讓公司連續(xù)第5個(gè)季度出現(xiàn)獲利。   
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DRAM合約價(jià)再跌10%

  •   2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫,其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%,平均售價(jià)跌破20美元,低價(jià)來到17美元價(jià)格,相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期,2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過50%,市場(chǎng)預(yù)期供過于求的情況至少還會(huì)再持續(xù)1季,因?yàn)?011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大,預(yù)計(jì)要到2011年4月之后,等個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料,DRAM價(jià)格才有機(jī)會(huì)落底止跌。   
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2010全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)遠(yuǎn)超預(yù)期

  •   據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示,今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長(zhǎng),這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。iSuppli預(yù)計(jì),2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或?yàn)?,040億美元,較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。   
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2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%

  •   2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%。   
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2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%

  •   2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率,仍都是來自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)將增加50%。   三星電子201
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金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

  •   據(jù)iSuppli公司,2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位,在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購(gòu)買力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。   2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元,比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場(chǎng)中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場(chǎng),后者同期增長(zhǎng)26%。   
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三星TSV應(yīng)用DRAM模塊首次實(shí)現(xiàn)商用化

  •   據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片,制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品,10月時(shí)已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上,完成產(chǎn)品測(cè)試。   
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