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半導體成長攻頂2010年供需平衡增壓
- Gartner預測今年全球半導體成長率可攀至31.5%的高峰,而這股從去年景氣谷底復蘇的強勁力道,在歷經(jīng)連續(xù)五季的成長后即將落幕,一直到2014年全球半導體成長率最高不會超過7%,主要是因為半導體庫存若不實時調(diào)整,供過于求的態(tài)勢恐持續(xù)擴大。 Gartner副總裁JimEastlake表示,全球半導體成長趨勢已達高峰,一波調(diào)整庫存的浪潮將產(chǎn)生,以因應半導體端和系統(tǒng)端供需失衡的擴大。 Gartner副總裁JimEastlake表示,受景氣回溫影響,半導體產(chǎn)值自2009年第三季開始超過系統(tǒng)端產(chǎn)值
- 關鍵字: 半導體 DRAM
力晶9月營收衰退至75.19億
- DRAM大廠力晶自結9月營收新臺幣75.19億元,較上月88.88億元減少15%,累計前9月營收為675億元;力晶發(fā)言人譚仲民表示,9月營收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價疲軟的影響,隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務的需求和報價回穩(wěn),標準型DRAM制程技術也逐漸轉(zhuǎn)進爾必達63納米制程,未來成本可望進一步下降。 受到DRAM現(xiàn)貨價和合約價大幅下修的影響,DRAM廠9月營收除了華亞科受惠50納米制程大量轉(zhuǎn)換成功之賜,而逆勢成長之外,其它各廠營收都呈現(xiàn)下滑趨勢,包括力晶、瑞晶、南亞科、茂德等9月營收都難逃衰退命運
- 關鍵字: 力晶 DRAM
DRAM內(nèi)存芯片價格或迎來短期上漲
- 存儲芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示,盡管下滑趨勢依舊,但內(nèi)存和閃存芯片價格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。 來自交易市場的消息稱,在十一長假結束前市場對DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨,下周將進行新一輪的存貨補充。 不過inSpectrum也認為,由于零售渠道的根本需求依舊很弱,所以這種價格反彈只能是短期行為,不會持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價格,這也影響了整個內(nèi)存芯片市場的價格走
- 關鍵字: DRAM 閃存
坂本幸雄踩剎車 瑞晶擴產(chǎn)計劃喊停
- 個人計算機(PC)需求不振連累DRAM價格重挫,爾必達(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標,同時在臺灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴產(chǎn)計劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際,爾必達內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助瑞晶擴產(chǎn),屆時將依照投資比重來分配DRAM貨源,但傳出DRAM價格崩盤后,PC客戶早已溜之大吉,瑞晶的擴產(chǎn)計劃只好喊卡,然爾必達廣島廠的擴產(chǎn)進度仍將如期進行。 坂本幸雄表示,PC市場在傳統(tǒng)旺季的需求未如預期,將連累爾必達的財報獲利受到影響,但DRAM價格其實下修幅度已大
- 關鍵字: 爾必達 DRAM
NAND Flash價格瀕臨成本線 靜待大廠減產(chǎn)
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下,9月下旬合約價續(xù)跌,其中,32Gb芯片合約價下跌5~6%,64Gb芯片大跌 9~10%,模塊廠表示,NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線,若價格再跌,恐會讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損,接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補貨需求,帶動NAND Flash價格止跌。 模塊廠表示,近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些,DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深,通路商補貨意愿不高,但在NAND Flas
- 關鍵字: NAND DRAM
Castellano預測半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境再度急轉(zhuǎn)直下
- 市場研究機構The InformatiON Network總裁RobertCastellano表示,半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在惡化,而且領先指標顯示該市場即將發(fā)生庫存修正;他指出,雖然2010年將會是半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷大幅反彈成長的一年,但好日子恐怕不多了。 Castellano預測,終端電子產(chǎn)品銷售將出現(xiàn)下滑,首當而沖的就是DRAM領域;該市場在今年第二季還曾出現(xiàn)過135%的銷售成長;此外他也預言,PC銷售業(yè)績趨緩,將會對英特爾(Intel)、AMD等微處理器供應商造成負面影響,連帶讓晶圓代工業(yè)者也受到?jīng)_
- 關鍵字: 半導體 DRAM
內(nèi)存價格10月份將持續(xù)下調(diào)
- 據(jù)HKEPC網(wǎng)站報道,市調(diào)機構DRAMeXchange指出, 9月份下半DRAM顆粒合約價持續(xù)下調(diào), DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關口, DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調(diào)至34美元,跌幅約為5.5% ,而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平,第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ,創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅,不僅DDR3內(nèi)存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌, DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平,跌幅約為6% 。 現(xiàn)貨市場方面,由于廣州亞運將于11月舉辦,大陸方
- 關鍵字: 內(nèi)存 DRAM
爾必達12月將啟動30納米DRAM量產(chǎn)
- 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》周三報道,爾必達計劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片,此舉預計可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米,比三星電子的最新制程更小。至目前為止,三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。 報道稱呢個,爾必達已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術,能用現(xiàn)有的設備來達成更精細制程,而無需進行大規(guī)模的資本投資。 爾必達位于日本廣島的工廠,將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子
- 關鍵字: 爾必達 DRAM 30納米
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