臺(tái)DRAM廠4Q面臨全虧危機(jī)

　　南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財(cái)報(bào)，稅后獲利19.36億元，若加計(jì)瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元;南亞科和華亞科則因?yàn)?0奈米制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)出不如預(yù)期，加上DDR3價(jià)格慢性崩盤，使得2家公司第3季虧損分別逾20億和30億元。展望第4季，若1Gb芯片價(jià)格跌到1美元，2Gb芯片跌破2美元，這3家臺(tái)DRAM廠恐將全數(shù)虧損。

　　力晶自結(jié)第3季(不含轉(zhuǎn)投資瑞晶)營收250.24億元，毛利率17.35%，營業(yè)凈利率12.89%，稅前獲利22.91億元、稅后獲利19.36億元，換算每股稅后0.34元;累計(jì)前3季稅后約122.39億元，每股獲利2.22元。力晶轉(zhuǎn)投資瑞晶第3季由于從65奈米轉(zhuǎn)換至63奈米制程速度快，7月全數(shù)產(chǎn)出都已是63奈米制程產(chǎn)品，成本大幅下降20%，若加計(jì)瑞晶獲利挹注，力晶第3季獲利上看30億元。

　　相較之下，南亞科和華亞科第3季財(cái)報(bào)則是持續(xù)虧損，虧損金額分別以20億和30億元起跳。南亞科和華亞科第3季財(cái)報(bào)不如預(yù)期，主要是受到50奈米制程轉(zhuǎn)換影響。華亞科7、8月期間因?yàn)槿珨?shù)停止溝槽式制程，產(chǎn)出大幅減少，導(dǎo)致成本大幅提升，加上DDR3價(jià)格逐月慢性崩盤走勢(shì)，使得南亞科和華亞科第3季虧損都將較第2季擴(kuò)大。

　　??o注意的是，由于1Gb容量DDR3芯片報(bào)價(jià)已跌破2美元，10月上旬2GB容量DDR3模塊報(bào)價(jià)又再重挫6~9%，這種慢性崩盤趨勢(shì)將一路持續(xù)至2010年底，預(yù)期年底1Gb容量DDR3芯片恐往1美元靠攏，2Gb芯片價(jià)格則約2美元，屆時(shí)全球能獲利的DRAM廠除三星電子(SamsungElectronics)外，恐怕是寥寥可數(shù)。

　　華亞科第4季底12吋晶圓廠13萬片產(chǎn)能將傾巢而出，可望大幅降低成本，雖然有利轉(zhuǎn)虧為盈，但以其成本結(jié)構(gòu)來看，若年底2Gb芯片價(jià)格力撐在2美元以上，第4季營運(yùn)轉(zhuǎn)盈才有機(jī)會(huì)，但若2Gb芯片價(jià)格跌破2美元，南亞科和華亞科第4季恐將持續(xù)面臨虧損壓力。

　　力晶第4季主要壓力還是來自于現(xiàn)貨價(jià)跌勢(shì)，若力晶全?銃i63奈米制程，成本頂多撐在1.4美元附近，一旦1Gb價(jià)格往1美元靠攏，力晶亦將承受由盈轉(zhuǎn)虧壓力;至于瑞晶狀況會(huì)好些，由于積極轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米，2Gb芯片成本不到1.5美元，屆時(shí)力晶可望獲得瑞晶獲利挹注。